工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)Si3N4(s)+12HCl(g) ΔH<0

某溫度和壓強(qiáng)條件下,分別將0.3 mol SiCl4(g)、0.2 mol N2(g)、0.6 mol H2(g)充入2 L密閉容器內(nèi),進(jìn)行上述反應(yīng),5 min達(dá)到平衡狀態(tài),所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60 g

(1)H2的平均反應(yīng)速率是     mol·L-1·min-1。 

(2)平衡時(shí)容器內(nèi)N2的濃度是     mol·L-1。 

(3)SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率是    。 

(4)若按n(SiCl4)n(N2)n(H2)=326的投料配比,向上述容器不斷擴(kuò)大加料,SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng)    (增大”“減小不變”)。 

(5)在不改變反應(yīng)條件的情況下,為了提高SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率,可通過(guò)改變投料配比的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。下列四種投料方式,其中可行的是    。 

選項(xiàng)投料方式

An(SiCl4)n(N2)n(H2)=112

Bn(SiCl4)n(N2)n(H2)= 122

Cn(SiCl4)n(N2)n(H2)= 322

Dn(SiCl4)n(N2)n(H2)= 213

 

(6)達(dá)到平衡后升高溫度,其他條件不變,對(duì)平衡體系產(chǎn)生的影響是    (填字母序號(hào)) 

A.c(HCl)減少

B.正反應(yīng)速率減慢,逆反應(yīng)速率加快

C.Si3N4的物質(zhì)的量減小

D.重新平衡時(shí)c(H2)/c(HCl)增大

 

【答案】

(1)0.048 (2)0.06 (3)40% (4)減小 (5)A、B (6)AC、D

【解析】依據(jù)三部曲計(jì)算

    3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)Si3N4(s)+12HCl(g)

:0.150.10.30

:0.060.040.120.24

:0.090.060.180.24

(4)相當(dāng)于加壓,平衡左移;(5)AB、CD的投料比分別為336、366322、31.54.5,A、B、C、D分別相當(dāng)于在326的投料配比基礎(chǔ)上增加N2、增加N2、減少H2、減少N2H2;(6)升高溫度不論平衡向哪個(gè)方向移動(dòng),正逆反應(yīng)速率均增大,B錯(cuò)誤;升高溫度,平衡左移,c(H2)增大,c(HCl)減小,A、CD正確

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率.工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)
高溫
 Si3N4(s)+12HCl(g)△H=-Q(Q>0)
完成下列填空:
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,3min后達(dá)到平衡,測(cè)得固體的質(zhì)量增加了2.80g,則H2的平均反應(yīng)速率
0.02mol/(L.min)
0.02mol/(L.min)
 mol/(L?min);該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K=
c12(HCl)
c3(SiCl4)c2(N2)c6(H2)
c12(HCl)
c3(SiCl4)c2(N2)c6(H2)

(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說(shuō)法正確的是
bd
bd

a.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡常數(shù)K減小
b.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小
c.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量平衡向左移動(dòng)
d.其他條件不變,增大HCl物質(zhì)的量平衡向左移動(dòng)
(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是
ac
ac
_
a.3v(N2)=v(H2)    b.v(HCl)=4v(SiCl4)  c.混合氣體密度保持不變
d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?普陀區(qū)二模)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率.工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,反應(yīng)如下:3SiCl4+2N2+6H2
高溫
Si3N4+12HCl
完成下列填空:
(1)氮化硅可用于制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,因?yàn)樗鼘儆?!--BA-->
原子
原子
 晶體.有關(guān)氮化硅的上述反應(yīng)中,原子最外層只有一個(gè)未成對(duì)電子的元素是
H、Cl
H、Cl
(填寫元素符號(hào));屬于非極性分子的化合物的電子式是

(2)比較Si和Cl兩種元素非金屬性強(qiáng)弱的方法是
b
b

a.比較兩種元素的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)
b.比較兩種元素的原子獲得一個(gè)電子時(shí)釋放能量的大小
c.比較兩種元素的原子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)獲得電子的多少
d.比較相同條件下兩種元素氫化物水溶液的酸性強(qiáng)弱
(3)Si與Al、Be具有相似的化學(xué)性質(zhì),因?yàn)?!--BA-->
它們都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近
它們都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近
(簡(jiǎn)述理由),寫出Si與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)的離子反應(yīng)方程式:
Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2
Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?房山區(qū)一模)碳化硅(SiC)、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途.
(1)Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為
;Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為
2Al+2OH-+2H2O=2AlO2-+3H2
2Al+2OH-+2H2O=2AlO2-+3H2

(2)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,其反應(yīng)方程式為
Si3N4+16HF=4NH4F+3SiF4
Si3N4+16HF=4NH4F+3SiF4

(3)工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)
高溫
Si3N4(s)+12HCl(g)△H<0
某溫度和壓強(qiáng)條件下,分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密閉容器內(nèi),進(jìn)行上述反應(yīng),5min達(dá)到平衡狀態(tài),所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g.
①H2的平均反應(yīng)速率是
0.024
0.024
 mol/(L?min).
②平衡時(shí)容器內(nèi)N2的濃度是
0.06
0.06
mol?L-1
③SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率是
40%
40%

④若按n(SiCl4):n(N2):n(H2)=3:2:6的投料配比,向上述容器不斷擴(kuò)大加料,SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng)
減小
減小
(填“增大”、“減”或“不變”).
⑤在不改變反應(yīng)條件的情況下,為了提高SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率,可通過(guò)改變投料配比的方式來(lái)實(shí)現(xiàn).下列四種投料方式,其中可行的是
AB
AB

選項(xiàng) 投料方式
A n(SiCl4):n(N2):n(H2)=1:1:2
B n(SiCl4):n(N2):n(H2)=1:2:2
C n(SiCl4):n(N2):n(H2)=3:2:2
D n(SiCl4):n(N2):n(H2)=2:1:3

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013屆江蘇省鹽城市明達(dá)中學(xué)高三上學(xué)期學(xué)情調(diào)研考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題

(10 分)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g)    △H<0
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,3min后達(dá)到平衡,測(cè)得固體的質(zhì)量增加了1.40g,則SiCl4的平均反應(yīng)速率為       ;該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為       
(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說(shuō)法正確的是              
a.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小
b.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
c.其他條件不變,增大SiCl4物質(zhì)的量,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
d.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量,平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)
(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是       
a.v(N2)=3v(H2)         b.v(HCl)=4v(SiCl4
c.混合氣體密度保持不變       d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6
(4)若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為m/n,保持其他條件不變,降低溫度后達(dá)到新德平衡時(shí),H2和HCl的物質(zhì)的量之比      m/n(填“>”“=”或“<”)

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