(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g)。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為              。
(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                          。
(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是           。
a.充入更多的SiCl4(g)
b.充入更多的H2(g)
c.及時(shí)分離出Si(s)
d.使用催化劑
e.將容器的體積擴(kuò)大一倍
(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1        T2(填“>”或“<”,下同),理由是          。已知n1>n2,ΔH       0。
(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)     (填“合理”或“不合理”),理由是                            。
(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                   。

(14分)
(1)1.0 mol/(L ? min)(2分) (2)(2分)
(3)be (2分)
(4)< (1分)    T2時(shí)反應(yīng)速率快(2分)> (1分)
(5)不合理(1分)  SiCl4遇水完全水解生成硅酸和鹽酸(2分)
(6)白色沉淀轉(zhuǎn)化為黑色沉淀(1分)

解析

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

高純硅是當(dāng)今科技的核心材料.工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g)
高溫
Si(s)+4HCl(g).已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸.向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng).SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:
時(shí)間/min 0 2 4 t1 t2
n(SiCl4)/mol
溫度/℃
T1 5.0 4.5 4.2 n1 n1
T2 5.0 4.2 3.6 n2 n2
(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為
 

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=
 

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是
 

a.充入更多的SiCl4(g)    b.充入更多的H2(g)         c.及時(shí)分離出Si(s)
d.使用催化劑           e.將容器的體積擴(kuò)大一倍
(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1
 
  T2(填“>”或“<”,下同),理由是
 

已知n1>n2,△H
 
0.
(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率.該認(rèn)識(shí)
 
(填“合理”或“不合理”),理由是
 

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到
 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為              。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是            

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是          。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                            。

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                   。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為              。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是            

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是          。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                            。

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                   。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011-2012學(xué)年河南省鎮(zhèn)平一高高三下學(xué)期第二次周考理綜化學(xué)部分(解析版) 題型:填空題

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi), 用HCl表示的反應(yīng)速率為               。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是             。

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是           。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                             。

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                    。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010-2011學(xué)年山西省太原市高三模擬(二)(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi), 用HCl表示的反應(yīng)速率為               。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是             。

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是           。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                             。

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                   

 

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