Question

（1）圖1為元素X的前五級電離能的數(shù)值示意基態(tài)圖，已知X的原子序數(shù)小于20，請寫出X基態(tài)原子的核外電子排布式

 

（2）A、B、C、D、E、F、G、H八種連續(xù)短周期元素，其單質(zhì)的沸點(diǎn)如圖2所示．請回答：
①上述元素中，某些元素的常見單質(zhì)所形成的分子中既含有σ鍵又含有π鍵的是

 

（填化學(xué)式）．
②已知D、F、G三種元素的離子具有跟E相同的電子層結(jié)構(gòu)，則B、C、D三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)椋ㄓ孟嚓P(guān)元素符號(hào)表示）

 

．
③B元素與D元素形成的化合物的電子式為

 

，價(jià)層電子對互斥模型為

 

，中心原子的雜化方式為

 

．
④已知H的電負(fù)性為1.5，而氯元素的電負(fù)性為3.0，二者形成的化合物極易水解，且易升華．據(jù)此推測該化合物的化學(xué)鍵類型為

 

．

Answer 1

考點(diǎn)：元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用,原子核外電子排布,判斷簡單分子或離子的構(gòu)型,原子軌道雜化方式及雜化類型判斷

專題：

分析：（1）圖1為元素X的前五級電離能的數(shù)值示意基態(tài)圖，X原子核外電子數(shù)大于5，且X原子序數(shù)小于20，
則X為Mg元素，根據(jù)構(gòu)造原理書寫Mg原子核外電子排布式；
（2）A的沸點(diǎn)最高，應(yīng)該為原子晶體，則A為C元素；
A、B、C、D、E、F、G、H八種連續(xù)短周期元素，則B、C、D、E、F、G、H分別是N、O、F、Ne、Na、Mg、Al元素；
①分子中單鍵為σ鍵，雙鍵中一個(gè)是σ鍵一個(gè)是π鍵，三鍵中一個(gè)是σ鍵兩個(gè)是π鍵；
②同一周期元素，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素；　
③B是N元素、D是F元素，二者形成共價(jià)化合物NF₃；根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論確定分子空間構(gòu)型及原子雜化方式；
④H為Al元素，H的電負(fù)性為1.5，而氯元素的電負(fù)性為3.0，二者電負(fù)性差為1.5＜1.7，二者形成的化合物極易水解，且易升華，則AlCl₃為共價(jià)化合物．

解答： 解：（1）圖1為元素X的前五級電離能的數(shù)值示意基態(tài)圖，X原子核外電子數(shù)大于5，且X原子序數(shù)小于20，則X為Mg元素，根據(jù)構(gòu)造原理書寫Mg原子核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²；
（2）A的沸點(diǎn)最高，應(yīng)該為原子晶體，則A為C元素；
A、B、C、D、E、F、G、H八種連續(xù)短周期元素，則B、C、D、E、F、G、H分別是N、O、F、Ne、Na、Mg、Al元素；
①分子中單鍵為σ鍵，雙鍵中1個(gè)是σ鍵1個(gè)是π鍵，三鍵中1個(gè)是σ鍵2個(gè)是π鍵，N₂中含有1個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵，O₂含有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵，故答案為：N₂、O₂；
②同一周期元素，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以第一電離能F＞N＞O，
故答案為：F＞N＞O；
③B是N元素、D是F元素，二者形成共價(jià)化合物NF₃，其電子式為，該分子中N原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4且含有一個(gè)孤電子對，所以為正四面體結(jié)構(gòu)，N原子為雜化，
故答案為：；四面體；sp³；
④H為Al元素，H的電負(fù)性為1.5，而氯元素的電負(fù)性為3.0，二者電負(fù)性差為1.5＜1.7，二者形成的化合物極易水解，且易升華，則AlCl₃為共價(jià)化合物，氯化鋁中Al和Cl原子之間只存在極性共價(jià)鍵，
故答案為：極性共價(jià)鍵．

點(diǎn)評：本題考查電負(fù)性、第一電離能、原子雜化、微�？臻g構(gòu)型等知識(shí)點(diǎn)，為高考高頻點(diǎn)，明確元素周期律、物質(zhì)結(jié)構(gòu)、價(jià)層電子對互斥理論等知識(shí)點(diǎn)即可解答，注意氯化鋁為分子晶體而不是離子晶體，為易錯(cuò)點(diǎn)．