5.物質(zhì)的組成、結(jié)構(gòu)都是決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素.
(1)R+中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層,它與Cl-形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示.
①其中R+的外圍電子排布式為3d10
②該晶體中與同一個(gè)Cl-相連的R+有4個(gè).
(2)下列有關(guān)說法正確的是ABC(填字母).
A.根據(jù)等電子體原理,N2O為直線形分子
B.碳的第一電離能比氮小
C.已知鍵能:EN≡N>3EN-N,則N2分子中鍵能:Eπ鍵>Eσ鍵
D.已知Mr(CH3Cl)>Mr(CH3OH),則沸點(diǎn):T(CH3Cl)>T(CH3OH)
(3)在配位化合物[Cu(NH34]SO4中,不考慮空間構(gòu)型,內(nèi)界離子的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為,其中配體分子中心原子的雜化方式為sp3,與外界離子互為等電子體的一種分子的化學(xué)式為SiCl4或SiF4

分析 (1)①每層最多容納2n2個(gè)電子,當(dāng)K、L、M三個(gè)電子層都滿時(shí),電子分別為2、8、18;
②氯離子處于晶胞頂點(diǎn),共用這個(gè)氯離子的晶胞有4個(gè),每個(gè)晶胞中有1個(gè)R+與氯離子相連;
(2)A.原子數(shù)相同,電子總數(shù)相同的分子,互稱為等電子體,等電子體的結(jié)構(gòu)相似;
B.氮的第一電離能大于相鄰?fù)髯澹?br />C.N-N、N=N、N≡N鍵能之比為1.00:2.17:4.90;
D.甲醇分子間存在氫鍵,使沸點(diǎn)升高;
(3)NH3分子中N原子成3個(gè)N-H鍵,含有1對(duì)孤對(duì)電子,雜化軌道數(shù)目為4,采取sp3雜化;Cu2+提供空軌道,N原子提供孤對(duì)電子,Cu2+與NH3分子之間形成配位鍵;原子數(shù)相同、價(jià)電子總數(shù)相同的分子,互稱為等電子體,據(jù)此寫出.

解答 解:(1)①R+中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層,每層最多容納2n2個(gè)電子,則K、L、M三個(gè)電子層的電子分別為2、8、18,該離子核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d10,外圍電子排布式為3d10,故答案為:3d10;
②氯離子處于晶胞頂點(diǎn),共用這個(gè)氯離子的晶胞有4個(gè),每個(gè)晶胞中有1個(gè)R+與氯離子相連,則該晶體中與同一個(gè)Cl-相連的R+有4個(gè),故答案為:4;
(2)A.已知N2O與CO2互為等電子體,等電子體的結(jié)構(gòu)相似,已知CO2為直線形的分子,所以N2O的空間構(gòu)型為直線形,故A正確;
B.N原子的最外層電子排布為2s22p3屬于全滿和半滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),不容易失電子,所以氮的第一電離能大于相鄰?fù)髯,故B正確;
C.N=N、N≡N中都含有1個(gè)δ鍵,分別含有1、2個(gè)大π鍵,由N-N、N=N、N≡N鍵能之比為1.00:2.17:4.90,說明N2分子中π鍵鍵能>σ鍵鍵能,故C正確;
D.甲醇分子間存在氫鍵,使沸點(diǎn)升高,則甲醇的沸點(diǎn)更高,故D錯(cuò)誤;
故答案為:ABC;
(3)NH3分子中N原子成3個(gè)N-H鍵,含有1對(duì)孤對(duì)電子,雜化軌道數(shù)目為4,采取sp3雜化;
Cu2+提供空軌道,N原子提供孤對(duì)電子,Cu2+與NH3分子之間形成配位鍵,內(nèi)界結(jié)構(gòu)用示意圖表示為;硫酸根為外界,SiCl4或SiF4與硫酸根的原子數(shù)都為5,價(jià)電子總數(shù)都為32,屬于等電子體;
故答案為:;sp3;SiCl4或SiF4

點(diǎn)評(píng) 本題考查了外圍電子排布式、第一電離能大小比較、軌道雜化類型的判斷、等電子體判斷等,題目難度中等,掌握基礎(chǔ)是解題關(guān)鍵,注意等電子體的概念.

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(1)A的結(jié)構(gòu)簡式為
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②既能發(fā)生銀鏡反應(yīng),又能發(fā)生水解反應(yīng),
其中核磁共振氫譜顯示為3組峰,且峰面積比為6:1:1的是(寫結(jié)構(gòu)簡式).
D的所有同分異構(gòu)體在下列一種表征儀器中顯示的信號(hào)(或數(shù)據(jù))完全相同,該儀器是c(填標(biāo)號(hào)).
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