Question

【題目】砷化鎳可用于制作發(fā)光器件、半導(dǎo)體激光器、太陽能電池和高速集成電路。

（1）基態(tài)Ni原子的價(jià)電子排布式為 ___，基態(tài)As原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為 __ 形。

（2）第一電離能As ___Se(填“>”或“＜”) ，原因是____。As2O3(砒霜)是兩性氧化物，As2O3溶于鹽酸生成AsCl3，AsCl3用LiAlH4還原生成AsH3。

（3）①AlH4-的中心原子的雜化方式為___，其空間構(gòu)型為____，寫出一種與AlH4-互為等電子體的分子的化學(xué)式___。

②AsH3分子中H—As—H鍵角__109.5°（填“>”、“=”或“＜”)。AsH3沸點(diǎn)低于NH3，其原因是____。

（4）有機(jī)砷是治療昏睡病不可缺少的藥物，該有機(jī)砷中存在的化學(xué)鍵的種類為____(填字母編號)。

a．離子鍵 b．σ鍵 c．π鍵 d．碳碳雙鍵

（5）砷化鎳激光在醫(yī)學(xué)上用于治療皮膚及粘膜創(chuàng)面的感染、潰瘍等，砷化鎳晶胞如圖所示，該晶胞密度ρ為____g·cm-3(列式即可，不必化簡)。

Answer 1

【答案】3d84s2 啞鈴（紡錘） ＞ As元素原子的4p軌道上的電子呈半滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定 sp3 正四面體 SiH4或CH4 ＜ 液態(tài)NH3分子間能形成氫鍵，AsH3分子間只有范德華力 abc 或或

【解析】

（1）Ni原子序數(shù)為28，基態(tài)Ni原子的價(jià)電子為3d能級上的8個(gè)電子、4s能級上的2個(gè)電子，基態(tài)As原子核外電子排布式為[Ar]3d104s24p3，該基態(tài)原子中占據(jù)最高能級的電子為4p電子，為啞鈴形；

（2）原子軌道中電子處于全滿、全空或半空時(shí)較穩(wěn)定；

（3）①AlH4－的中心原子Al的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=4+(3+1-4×1)/2=4且不含孤電子對，根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷Al原子雜化方式及其空間構(gòu)型，與AlH4－互為等電子體的分子中含有5個(gè)原子、價(jià)電子數(shù)是8；

②AsH3分子中As原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=3+(5-3×1)/2=4且含有1個(gè)孤電子對，該分子為三角錐形結(jié)構(gòu)，孤電子對與成鍵電子對之間的排斥力大于成鍵電子對之間的排斥力，導(dǎo)致其鍵角減小；

氨分子間能形成氫鍵，氫化物熔沸點(diǎn)較高；

（4）有機(jī)砷中共價(jià)單鍵中存在σ鍵，苯環(huán)中存在大π鍵，鈉離子和陰離子之間存在離子鍵；

（5）該晶胞中Ni原子個(gè)數(shù)=4×1/12+4×1/6+2×1/3+2×1/6=2、As原子個(gè)數(shù)為2，Ni和As原子個(gè)數(shù)之比為2：2=1：1，晶胞體積=（a×10-10 cm）2×sin60°×b×10-10cm=，晶胞密度= ，代入計(jì)算。

（1）Ni原子序數(shù)為28，基態(tài)Ni原子的價(jià)電子為3d能級上的8個(gè)電子、4s能級上的2個(gè)電子，基態(tài)As原子核外電子排布式為[Ar]3d104s24p3，其價(jià)電子排布式為3d84s2，該基態(tài)原子中占據(jù)最高能級的電子為4p電子，為啞鈴形；

（2）原子軌道中電子處于全滿、全空或半空時(shí)較穩(wěn)定，As元素原子的4p軌道上的電子呈半滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定；

（3）①AlH4－的中心原子Al的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=4+(3+1-4×1)/2=4，不含孤電子對，根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論，Al原子雜化方式為sp3、空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu)，與AlH4－互為等電子體的分子中含有5個(gè)原子、價(jià)電子數(shù)是8，其等電子體有 SiH4或CH4；

②AsH3分子中As原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=3+(5-3×1)/2=4，含有1個(gè)孤電子對，該分子構(gòu)型為三角錐形，孤電子對與成鍵電子對之間的排斥力大于成鍵電子對之間的排斥力，該分子中含有孤電子對，導(dǎo)致其鍵角減小，小于109.5°；

分子間能形成氫鍵的氫化物熔沸點(diǎn)較高，液態(tài)NH3分子間能形成氫鍵，AsH3分子間只有范德華力，氨氣熔沸點(diǎn)較高；

（4）有機(jī)砷共價(jià)單鍵中存在σ鍵，苯環(huán)中存在大π鍵，鈉離子和陰離子之間存在離子鍵，所以含有離子鍵、σ鍵、π鍵，

故選abc；

（5）該晶胞中Ni原子個(gè)數(shù)=4×1/12+4×1/6+2×1/3+2×1/6=2、As原子個(gè)數(shù)為2，Ni和As原子個(gè)數(shù)之比為2：2=1：1，晶胞體積=（a×10-10 cm）2×sin60°×b×10-10cm=，晶胞密度= = g·cm－3。