Question

19．（1）熔點沸點HF＞HI；原因：HF分子間含有氫鍵
（2）各種含氧酸HClO、HClO₃、H₂SO₃、HClO₄的酸性由強到弱排列為HClO₄＞HClO₃＞H₂SO₃＞HClO
（3）下列4種物質(zhì)熔點沸點由高到低排列為①＞④＞③＞②（填序號）
①金剛石（C-C） ②鍺（Ge-Ge） ③晶體硅（Si-Si）④金剛砂（Si-C）
（4）晶體具有規(guī)則的幾何外形，晶體中最基本的重復(fù)單元稱之為晶胞．NaCl晶體結(jié)構(gòu)如圖所示．晶體中每個Na⁺同時吸引著6個Cl^-，由這些 Cl^-構(gòu)成的幾何構(gòu)型為正八面體，晶體中在每個Cl^-周圍與它最接近且距離相等的Cl^-共有12個．
（5）某元素的激發(fā)態(tài)原子的電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p³4s¹，則該元素基態(tài)原子的電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁴；其最高價氧化物對應(yīng)的水化物的化學(xué)式是H₂SO₄．
（6）某元素原子的價電子構(gòu)型為3d¹⁰4s²，它屬于第四周期，第IIB族，
ds區(qū)元素，元素符號是Zn．該原子核外有7個能級，電子云的形狀有3種．

Answer 1

分析 （1）氫化物都是分子晶體，熔沸點與其相對分子質(zhì)量成正比，但含有氫鍵的熔沸點較高；
（2）元素的非金屬性越強，其最高價氧化物的水化物酸性越強，同一元素的不同含氧酸，含有非羥基氧原子個數(shù)越多其酸性越強；
（3）原子晶體熔沸點與鍵長成反比；
（4）晶體中每個Na⁺同時吸引著6個Cl^-，由這些Cl^-構(gòu)成的幾何構(gòu)型為正八面體，晶體中在每個Cl^-周圍與它最接近且距離相等的Cl^-個數(shù)=3×8÷2；
（5）某元素的激發(fā)態(tài)原子的電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p³4s¹，該元素原子核外有16個電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫其基態(tài)原子核外電子排布式；該元素是S元素，其最高價氧化物的水化物是硫酸；
（6）根據(jù)該元素價電子排布式知，該元素位于第四周期第IIB族，屬于ds區(qū)，該原子核外電子能級數(shù)=1+2+3+1=7，電子云形狀有球形、紡錘形、花瓣形．

解答 解：（1）氫化物都是分子晶體，熔沸點與其相對分子質(zhì)量成正比，但含有氫鍵的熔沸點較高，HF中含有氫鍵，所以熔沸點HF＞HI，故答案為：＞；HF分子間有氫鍵；   
（2）元素的非金屬性越強，其最高價氧化物的水化物酸性越強，同一元素的不同含氧酸，含有非羥基氧原子個數(shù)越多其酸性越強，亞硫酸酸性大于次氯酸，所以酸性強弱順序是，故答案為：HClO₄＞HClO₃＞H₂SO₃＞HClO；
（3）原子晶體熔沸點與鍵長成反比，鍵長Ge-Ge＞Si-Si＞C-Si＞C-C，所以熔沸點①＞④＞③＞②，
故答案為：①＞④＞③＞②；
（4）在氯化鈉晶體中陰陽離子配位數(shù)是6，所以每個Na⁺同時吸引著6個Cl^-，由這些 Cl^-構(gòu)成的幾何構(gòu)型為正八面體，晶體中在每個Cl^-周圍與它最接近且距離相等的Cl^-個數(shù)=3×8÷2=12，
故答案為：6；正八面體；12；
（5）某元素的激發(fā)態(tài)原子的電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p³4s¹，該元素原子核外有16個電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫其基態(tài)原子核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁴；該元素是S元素，其最高價氧化物的水化物是硫酸，化學(xué)式為H₂SO₄，故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁴；H₂SO₄；
（6）根據(jù)該元素價電子排布式知，該元素位于第四周期第IIB族，屬于ds區(qū)，該原子核外電子能級數(shù)=1+2+3+1=7，電子云形狀有球形、紡錘形、花瓣形，
故答案為：四；IIB；ds；Zn；7；3．

點評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，為高頻考點，涉及原子核外電子排布、配位數(shù)計算、氫鍵等知識點，側(cè)重考查學(xué)生推斷、計算及空間想象能力，難點是配位數(shù)計算．