“物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”模塊(10分)

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)N、AI、Si、Zn四種元素中,有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下:

(2)則該元素是_____(填寫(xiě)元素符號(hào))。Zn原子的電子排布式是____。Ce的最高價(jià)氯化物分子式是_ _____。該元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有_____。

A.是一種活潑的金屬元素

B.其電負(fù)性大于硫

C.其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料

D.其最高價(jià)氯化物的沸點(diǎn)低于其溴化物的沸點(diǎn)

關(guān)于化合物   ,下列敘述正確的有      ⑤    。

A.分子間可形成氫鍵

B.分子中既有極性鍵又有非極性鍵

C.分子中有7個(gè)鍵和1個(gè)

D.該分子在水中的溶解度大于2-丁烯

(4)NaF的熔點(diǎn)   ⑥   的熔點(diǎn)(填>、<或=),其原因是    ⑦

 

【答案】

①AI

④C、D

⑤B、D

⑥>

⑦兩者均為離子化合物,且陰陽(yáng)離子電荷數(shù)均為1,但后者的離子半徑較大,離子鍵較弱,因此其熔點(diǎn)較低

【解析】

(1)該元素在第四電離能發(fā)生突變,該元素為正三價(jià),為鋁元素;根據(jù)能量最低原理和核外電子排布規(guī)律不難寫(xiě)出電子排布式;Ge和C為同族元素,Ge最高價(jià)為+4價(jià),氯化物分子式為GeCl4。Ge位于金屬和非金屬分界線附近,既具有金屬性,也具有一定的非金屬性,可作為半導(dǎo)體材料;Ge不是一種活潑的金屬;Ge為金屬,電負(fù)性要小于硫;Ge的氯化物和溴化物均為分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,Ge的溴化物沸點(diǎn)更高。

分子中含有碳碳非極性共價(jià)鍵,也含有碳?xì)錁O性共價(jià)鍵,B項(xiàng)正確;分子中含有4個(gè)C-H和3個(gè)C-C    和2個(gè)C-O,3個(gè)π鍵,1個(gè)πC=C和2個(gè)πC=O ;該分子中含有兩個(gè)醛基,溶解度要大于2-丁烯。

(4)兩者均為離子化合物,晶格能越大,熔點(diǎn)越高;兩者陰陽(yáng)離子電荷數(shù)均為1,但后者的離子半徑較大,晶格能小,因此其熔點(diǎn)較低。

【考點(diǎn)定位】本題考查較為綜合,涉及電子排布式、分子的立體構(gòu)型、雜化軌道類(lèi)型、化學(xué)鍵類(lèi)型等知識(shí),具有一定的難度。

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

(2013?青島一模)[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代.第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池.完成下列填空:
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?!--BA-->
Br>As>Se
Br>As>Se
 (用元素符號(hào)表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大
;
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3. BF3?NH3中B原子的雜化軌道類(lèi)型為
sp3
sp3
,B與N之間形成
配位
配位
鍵;
(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個(gè)C原子周?chē)罱腃原子數(shù)目為
12
12

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?泰安二模)【化學(xué)一物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
X、Y、Z、Q、W為按原子序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素,已知:
①x元素與Q處于同一主族,其原子價(jià)電子排布式都為ns2np2,且x原子半徑小于Q的原子半徑;
②Y元素是地殼中含量最多的元素;w元素的電負(fù)性略小于Y元素;在w原子的電子排布中,P軌道上只有1個(gè)未成對(duì)電子;
③Z元素的電離能數(shù)據(jù)見(jiàn)下表(kJ?mol-1
I1 I2 I3 I4
496 4562 6912 9540
(1)XY2分子空間構(gòu)型為
直線型
直線型
.QX的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的相似,其中X原子的雜化方式為
SP3
SP3
,微粒間存在的作用力是
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵

(2)晶體ZW的熔點(diǎn)比晶體XW4明顯高的原因是
氯化鈉為離子晶體而四氯化碳是分子晶體
氯化鈉為離子晶體而四氯化碳是分子晶體

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與QX的相等,則M為
Mg
Mg
(填元素符號(hào)).MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與ZW晶體相似.MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是
鎂離子半徑比鈣離子小,氧化鎂晶格能大
鎂離子半徑比鈣離子小,氧化鎂晶格能大

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?南通一模)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
K2Cr2O7是一種常見(jiàn)的強(qiáng)氧化劑,酸性條件下會(huì)被還原劑還原成Cr3+
(1)Cr3+能與OH-、CN-形成配合物[Cr(OH)4]-、[Cr(CN)6]3
①Cr3+的電子排布式可表示為
1s22s22p63s23p63d3
1s22s22p63s23p63d3

②不考慮空間構(gòu)型,[Cr(OH)4]-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為

③CN-與N2互為等電子體,寫(xiě)出CN-的電子式:

(2)K2Cr2O7能將乙醇氧化為乙醛,直至乙酸.
①乙醛中碳原子的雜化方式有
sp3
sp3
、
sp2
sp2

②乙酸的沸點(diǎn)是117.9℃,甲酸甲酯的沸點(diǎn)是31.5℃,乙酸的沸點(diǎn)高于甲酸甲酯的沸點(diǎn)的主要原因是
乙酸分子間存在氫鍵
乙酸分子間存在氫鍵

(3)一種新型陽(yáng)極材料LaCrO3的晶胞如圖所示,已知距離每個(gè)Cr原子最近的原子有6個(gè),則圖中
c
c
原子代表的是Cr原子.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

(2012?開(kāi)封二模)[選修一物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]同一周期(短周期)各元素形成單質(zhì)的沸點(diǎn)變化如圖1所示(按原子序數(shù)連續(xù)遞增順序排列).該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見(jiàn)表.
 
氟化物 AF BF2 DF4
熔點(diǎn)/K 1266 1534 183
(1)A原子核外共有
11
11
種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子,
4
4
種不同能級(jí)的電子.
(2)B的單質(zhì)在空氣中燃燒的主要產(chǎn)物是白色的
MgO
MgO
,還生成少量的
Mg3N2
Mg3N2
(填化學(xué)式);
(3)已知下列數(shù)據(jù):
①、Fe(s)+
1
2
O2(g)=FeO(s)△H=-272.0kJ/mol
②、2C(s)+
3
2
O2(g)=C2O3(s)△H=-1675.7kJ/mol
 則C的單質(zhì)和FeO反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為
2Al(s)+3FeO(s)=3Fe(s)+Al2O3(s)△H=-859.7kJ/mol
2Al(s)+3FeO(s)=3Fe(s)+Al2O3(s)△H=-859.7kJ/mol

(4)元素D的氣態(tài)氫化物分子為
非極性
非極性
分子(填“極性”或“非極性”).D的電負(fù)性比E的
 (填“大”或“小”).在D、E、G、H四種元素形成的氫化物中,熱穩(wěn)定性最大的是
HCl
HCl
 (填化學(xué)式).
(5)G的最高價(jià)氧化物水化物的酸根離子的立體構(gòu)型是
正四面體
正四面體
,其中G原子的雜化軌道類(lèi)型是
sp3
sp3

(6)元素H的鈉鹽晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,每個(gè)Na+周?chē)c之距離最近的Na+的個(gè)數(shù)為
12
12

(7)解釋上表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因:
NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點(diǎn)低;MgF2的晶格能比NaF的晶格能大,故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高
NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點(diǎn)低;MgF2的晶格能比NaF的晶格能大,故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2011?鄭州二模)[化學(xué)--選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
已知A、B、C、D、E都是元素周期表中的前20號(hào)元素,它們的原子序數(shù)依次增大.B、C、D同周期,A、D同主族,B,C、D的最高價(jià)氧化物的水化物兩兩混合均能發(fā)生反應(yīng)生成鹽和水.E元素的原子核外共有20種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子,且E的原子序數(shù)比D大4.
(1)B、C的第一電離能較大的是
Al
Al
(填元素符號(hào)).
(2)A的氫化物的分子空間構(gòu)型為
V型或折線型
V型或折線型
,其中心原子采取
sp3
sp3
雜化.
(3)A和D的氫化物中,沸點(diǎn)較高的是
H2O
H2O
(填化學(xué)式),其原因是
水分子之間可以形成氫鍵,而H2S分子之間不能形成氫鍵
水分子之間可以形成氫鍵,而H2S分子之間不能形成氫鍵

(4)僅由A與B元素組成,且含有非極性鍵的化合物是
Na2O2
Na2O2
(填化學(xué)式).
(5)E的核外電子排布式是
1S22S22P63S23P64S2
1S22S22P63S23P64S2

(6)B的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物,其溶液與C單質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)方程式是
2Al+2NaOH+6H2O=2Na[Al(OH)4]+3H2↑或2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2
2Al+2NaOH+6H2O=2Na[Al(OH)4]+3H2↑或2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2

(7)E單質(zhì)在A單質(zhì)中燃燒時(shí)得到一種白色晶體,其晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該晶體的化學(xué)式為
CaO2
CaO2

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