14.發(fā)光二極管(LED)的材質(zhì)基本以砷化鎵、磷化鋁鎵銦(InGaAIP)、氮化銦鎵(GaInN)為主.已知鎵、砷分別是同族的鋁、磷的下一周期元素.如圖是砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)圖(白球?yàn)樯椋谇驗(yàn)殒墸?qǐng)回答:
Ⅰ鎵原子的基態(tài)原子電子排布式是1s22s22p63s23p633d104s24p1
Ⅱ砷化鎵的化學(xué)式為GaAs.
ⅢN、P、As的氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是NH3>AsH3>PH3(用氫化物分子式表示).
Ⅳ砷化鎵可由(CH33Ga和砷化氫在700℃時(shí)反應(yīng)制得.(ch33Ga中鎵原子的雜化方式為sp2
Ⅴ設(shè)砷化鎵的晶胞邊長(zhǎng)為a pm,則其密度為$\frac{\frac{4}{{N}_{A}}×145}{(a×1{0}^{-10})^{3}}$g/cm3(列式表示,設(shè)阿伏伽德羅常數(shù)的數(shù)值為NA).

分析 Ⅰ、鎵的原子序數(shù)為31,根據(jù)能量最低原理和洪特規(guī)則書(shū)寫(xiě)電子排布式;
Ⅱ、利用均攤法確定其化學(xué)式;
Ⅲ、從氫鍵以及影響分子間作用力的因素比較氫化物熔沸點(diǎn)的高低;
Ⅳ、根據(jù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)計(jì)算雜化類型;
Ⅴ、根據(jù)ρ=$\frac{m}{V}$,計(jì)算求解.

解答 解:Ⅰ、鎵位于周期表中第四周期第IIIA,故其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1,
故答案為:1s22s22p63s23p633d104s24p1;
Ⅱ、該晶胞中,Ga原子個(gè)數(shù)=4,As原子個(gè)數(shù)=$\frac{1}{8}$×8+6×$\frac{1}{2}$=4,所以其化學(xué)式為:GaAs,故答案為:GaAs;
Ⅲ、由于NH3分子間存在氫鍵,所以NH3的沸點(diǎn)最高,由于AsH3的相對(duì)分子質(zhì)量大于PH3,故AsH3的沸點(diǎn)高于PH3,
故答案為:NH3>AsH3>PH3;
Ⅳ、由于Ga原子周?chē)挥?對(duì)成鍵電子對(duì),故其雜化方法為sp2,故答案為:sp2
Ⅴ、該晶胞中,Ga原子個(gè)數(shù)=4,As原子個(gè)數(shù)=$\frac{1}{8}$×8+6×$\frac{1}{2}$=4,所以ρ=$\frac{m}{V}$=$\frac{\frac{4}{{N}_{A}}×145}{(a×1{0}^{-10})^{3}}$g/cm3,故答案為:$\frac{\frac{4}{{N}_{A}}×145}{(a×1{0}^{-10})^{3}}$.

點(diǎn)評(píng) 本題考查晶胞的計(jì)算、沸點(diǎn)的比較及第一電離能的大小比較等知識(shí),題目難度中等,本題注意晶胞的計(jì)算方法和元素周期律的利用.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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②反應(yīng)Ⅰ的化學(xué)方程式為4NH3+5O2$\frac{\underline{催化劑}}{△}$4NO+6H2O.
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