Question

下列描述中正確的是（　　）

• A、CS₂為V形分子
• B、NCl₃的空間構(gòu)型為平面三角形
• C、鋁的第一電離能比鎂的第一電離能大
• D、SiF₄和H₂O的中心原子均為sp³雜化

Answer 1

考點(diǎn)：判斷簡(jiǎn)單分子或離子的構(gòu)型,原子核外電子排布

專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：A、CS₂中碳原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+0=2，所以中心原子雜化方式為sp，所以CS₂是直線型；
B、NCl₃中氮原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+1=4，所以中心原子雜化方式為sp³，所以NCl₃的空間構(gòu)型為三角錐形；
C、同周期從左到第一電離增加，第ⅡA，ⅤA出現(xiàn)反常，所以鋁的第一電離能比鎂的第一電離能小；
D、SiF₄中硅原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=4+0=4，H₂O中氧原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+2=4，所以中心原子均為sp³雜化．

解答： 解：A、CS₂中碳原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+0=2，所以中心原子雜化方式為sp，所以CS₂是直線型，故A錯(cuò)誤；
B、NCl₃中氮原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+1=4，所以中心原子雜化方式為sp³，所以NCl₃的空間構(gòu)型為三角錐形，故B錯(cuò)誤；
C、同周期從左到第一電離增加，第ⅡA，ⅤA出現(xiàn)反常，所以鋁的第一電離能比鎂的第一電離能小，故C錯(cuò)誤；
D、SiF₄中硅原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=4+0=4，H₂O中氧原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+2=4，所以中心原子均為sp³雜化，故D正確；
故選D．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了原子雜化方式的判斷，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論來分析解答即可，難度中等．