【題目】(8分).氮化硅(Si3N4)是一種高溫陶瓷材料,它的硬度大、熔點高、化學性質穩(wěn)定,工業(yè)上普遍采用高純硅與純氮在1300℃反應獲得。
(1)根據(jù)性質,推測氮化硅陶瓷的用途是 。
A.制汽輪機葉片 | B.制有色玻璃 | C.制永久性模具 | D.制造柴油機 |
(2)氮化硅陶瓷抗腐蝕能力強,除氫氟酸外,她不與其他無機酸反應。試推測該陶瓷被氫氟酸腐蝕的化學方程式為 。
(3)現(xiàn)用四氯化硅和氮氣在氫氣中加強熱發(fā)生反應,可制得高純度氮化硅,反應的化學方程式為 。
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【題目】將標準狀況下2.24 L CO2緩慢通入1 L 0.15 mol·L-1的NaOH溶液中,氣體被充分吸收,下列關系不正確的是( )
A. 混合溶液溶質為NaHCO3和Na2CO3
B. c(Na+)+c(H+)=c(OH-)+c(HCO3-)+2c(CO32-)
C. c(Na+)>c(CO32-)>c(HCO3-)>c(OH-)>c(H+)
D. 加熱蒸干所得混合溶液,最終得到Na2CO3固體
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【題目】實驗室欲快速制取H2,應選用正確的措施是
A.純鋅與稀硫酸反應B.粗鋅跟稀硫酸反應
C.粗鋅跟硝酸反應D.將浸泡過CuSO4溶液的Zn跟稀硫酸反應
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【題目】硅單質及其化合物應用范圍很廣,請回答下列問題:
制備硅半導體材料必須先得到高純硅,三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
(1)寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應方程式___________;
(2)整個制備過程必須嚴格控制無水無氧,SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3,HCl和另一種物質,寫出配平的化學反應方程式___________; H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是_________。
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【題目】SiO2是____________的酸酐,不溶于水。常溫下和NaOH溶液反應的化學方程式為________;堿性試劑不能保存在______塞的試劑瓶中。高溫下,SiO2和堿性氧化物(如CaO)反應的化學方程式為:_______;常溫下SiO2和氫氟酸反應的化學方程式_______。
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【題目】鐵及其氧化物是日常生活生產(chǎn)中應用廣泛的材料。請回答下列問題:
(1)基態(tài)鐵原子的價電子排布圖為_______
(2)鐵元素常見的離子有Fe2+和Fe3+,穩(wěn)定性Fe2+_____Fe3+(填“大于”或“小于”),原因是____。
(3)納米氧化鐵能催化火管推進劑NH4ClO4的分解,NH4+的結構式為______(標出配位鍵),其中氮原子的雜化方式為______;與 ClO4-互為等電子體的分子或離子為_________(任寫兩種)。
(4)金屬鐵晶體原子采用體心立方堆積。則鐵晶體的空間利用率為____ (用含π的式子表示)。
(5)某種離子型鐵的氧化物晶胞如圖所示,它由A、B方塊組成。則該化合物中Fe2+、Fe3+、O2-的個數(shù)比為______(填最簡整數(shù)比);已知該晶體的密度dg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶胞參數(shù)為______nm(用含d和NA的代數(shù)式表示)。
(6)一種鐵、碳形成的間隙化合物的晶體結構如圖所示,其中碳原子位于鐵原子形成的八面體的中心。每個鐵原子又為兩個八面體共用。則該化合物的化學式為_______。
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【題目】在密閉容器中發(fā)生下列反應: I2(g)+H2(g)2HI(g)(正反應吸熱)
起始時,n(H2)=a mol,n(I2)=b mol。只改變表中列出的條件,其他條件不變,試將化學反應速率的改變(“增大”“減小”或“不變”)填入相應的表格。
編號 | 反應條件 | 反應速率 |
(1) | 升高溫度 | _________ |
(2) | 加入催化劑 | ________ |
(3) | 再充入a mol H2 | ________ |
(4) | 將容器容積擴大為原來2倍 | ________ |
(5) | 通入b mol Ne(g) | ________ |
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【題目】利用如下實驗探究鐵釘在不同溶液中的吸氧腐蝕。
下列說法不正確的是
A. 上述正極反應均為O2+4e-+2H2O=4OH-
B. 在不同溶液中,Cl是影響吸氧腐蝕速率的主要因素
C. 向實驗④中加入少量(NH4)2SO4固體,吸氧腐蝕速率加快
D. 在300 min內,鐵釘?shù)钠骄醺g速率酸性溶液大于中性溶液
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【題目】下列物質之間的相互關系錯誤的是( )
A.CH3CH2OH和CH3OCH3互為同分異構體
B.干冰和冰為同一種物質
C.CH3CH3和CH3CH2CH3互為同系物
D.12C和14C互為同位素
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