【題目】8分).氮化硅(Si3N4)是一種高溫陶瓷材料,它的硬度大、熔點高、化學性質穩(wěn)定,工業(yè)上普遍采用高純硅與純氮在1300℃反應獲得。

1)根據(jù)性質,推測氮化硅陶瓷的用途是 。

A.制汽輪機葉片

B.制有色玻璃

C.制永久性模具

D.制造柴油機

2)氮化硅陶瓷抗腐蝕能力強,除氫氟酸外,她不與其他無機酸反應。試推測該陶瓷被氫氟酸腐蝕的化學方程式為

3)現(xiàn)用四氯化硅和氮氣在氫氣中加強熱發(fā)生反應,可制得高純度氮化硅,反應的化學方程式為 。

【答案】(1)ACD

(2)Si3N412HF=3SiF44NH3

(3)3SiCl42N26H2Si3N412HCl

【解析】

氮化硅化學式應據(jù)氮的非金屬性強于硅來判斷化合價氮顯-3價,硅是+4價,化學式Si3N4。然后根據(jù)質量守恒定律寫化學方程式。

練習冊系列答案
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【題目】將標準狀況下2.24 L CO2緩慢通入1 L 0.15 mol·L1NaOH溶液中,氣體被充分吸收,下列關系不正確的是(  )

A. 混合溶液溶質為NaHCO3Na2CO3

B. c(Na)c(H)c(OH)c(HCO3-)2c(CO32-)

C. c(Na)>c(CO32-)>c(HCO3-)>c(OH)>c(H)

D. 加熱蒸干所得混合溶液,最終得到Na2CO3固體

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【題目】硅單質及其化合物應用范圍很廣請回答下列問題:

制備硅半導體材料必須先得到高純硅,三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

(1)寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應方程式___________;

(2)整個制備過程必須嚴格控制無水無氧,SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3HCl和另一種物質,寫出配平的化學反應方程式___________; H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是_________。

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【題目】SiO2____________的酸酐,不溶于水。常溫下和NaOH溶液反應的化學方程式為________;堿性試劑不能保存在______塞的試劑瓶中。高溫下,SiO2和堿性氧化物(如CaO)反應的化學方程式為:_______;常溫下SiO2和氫氟酸反應的化學方程式_______。

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【題目】鐵及其氧化物是日常生活生產(chǎn)中應用廣泛的材料。請回答下列問題:

(1)基態(tài)鐵原子的價電子排布圖為_______

(2)鐵元素常見的離子有Fe2+Fe3+,穩(wěn)定性Fe2+_____Fe3+(大于小于”),原因是____。

(3)納米氧化鐵能催化火管推進劑NH4ClO4的分解,NH4+的結構式為______(標出配位鍵),其中氮原子的雜化方式為______; ClO4-互為等電子體的分子或離子為_________(任寫兩種)。

(4)金屬鐵晶體原子采用體心立方堆積。則鐵晶體的空間利用率為____ (用含π的式子表示)。

(5)某種離子型鐵的氧化物晶胞如圖所示,它由A、B方塊組成。則該化合物中Fe2+、Fe3+、O2-的個數(shù)比為______(填最簡整數(shù)比);已知該晶體的密度dg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶胞參數(shù)為______nm(用含dNA的代數(shù)式表示)。

(6)一種鐵、碳形成的間隙化合物的晶體結構如圖所示,其中碳原子位于鐵原子形成的八面體的中心。每個鐵原子又為兩個八面體共用。則該化合物的化學式為_______。

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【題目】在密閉容器中發(fā)生下列反應: I2(g)+H2(g)2HI(g)(正反應吸熱)

起始時,n(H2)=a mol,n(I2)=b mol。只改變表中列出的條件,其他條件不變,試將化學反應速率的改變(“增大”“減小”或“不變”)填入相應的表格。

編號

反應條件

反應速率

(1)

升高溫度

_________

(2)

加入催化劑

________

(3)

再充入a mol H2

________

(4)

將容器容積擴大為原來2

________

(5)

通入b mol Ne(g)

________

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【題目】利用如下實驗探究鐵釘在不同溶液中的吸氧腐蝕。

下列說法不正確的是

A. 上述正極反應均為O2+4e-+2H2O=4OH-

B. 在不同溶液中,Cl是影響吸氧腐蝕速率的主要因素

C. 向實驗④中加入少量(NH4)2SO4固體,吸氧腐蝕速率加快

D. 在300 min內,鐵釘?shù)钠骄醺g速率酸性溶液大于中性溶液

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【題目】下列物質之間的相互關系錯誤的是(  )

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B.干冰和冰為同一種物質

C.CH3CH3CH3CH2CH3互為同系物

D.12C14C互為同位素

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