4.Q、R、X、M、Y、Z是周期表前四周期的五種元素,原子序數(shù)依次遞增.已知:
①Z位于ds區(qū),最外能層有單電子,其余的均為短周期主族元素; 
②Y原子價電子(外圍電子)排布msnmpn,M的基態(tài)原子2p能級有1個單電子
③R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù);④Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4.回答下列問題:
(1)基態(tài)Z2+的價電子排布式是1s22s22p63s23p63d9
(2)在[Z(NH34]2+離子中,Z2+的空軌道接受NH3分子提供的孤電子對形成配位鍵.
(3)Q和Y形成的最簡單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙,下列判斷正確的是b.
a.穩(wěn)定性:甲>乙,沸點:甲>乙    b.穩(wěn)定性:甲>乙,沸點:甲<乙
c.穩(wěn)定性:甲<乙,沸點:甲<乙    d.穩(wěn)定性:甲<乙,沸點:甲>乙
(4)寫出由R、X兩元素組成的與N3-互為等電子體的微粒(分子和離子各一種)N2O、NO2+
(5)X、M兩元素形成的化合物XM2的VSEPR模型名稱為四面體形,已知XM2分子的極性比水分子的極性弱,其原因是OF2和H2O均為V形分子且中心原子孤電子對均為2對,F(xiàn)于O的電負性差值比O與H的電負性差值小.

分析 Q、R、X、M、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增,Z位于ds區(qū),最外能層有單電子,Z為Cu元素,其余的均為短周期主族元素;Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4,Q原子的核外電子排布為1s22s22p2,故Q為C元素;X原子的核外電子排布為1s22s22p4,X為O元素;Y原子價電子(外圍電子)排布msnmpn,n=2,故為第ⅣA族元素,原子序數(shù)大于O元素,小于Cu元素,故Y為Si元素;M的基態(tài)原子2p能級有1個單電子,核外電子排布為1s22s22p5,則M為F元素;R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù),R原子有2個電子層,原子序數(shù)介于C元素與O元素之間,故R為N元素,據(jù)此解答.

解答 解:Q、R、X、M、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增,Z位于ds區(qū),最外能層有單電子,Z為Cu元素,其余的均為短周期主族元素;Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4,Q原子的核外電子排布為1s22s22p2,故Q為C元素;X原子的核外電子排布為1s22s22p4,X為O元素;Y原子價電子(外圍電子)排布msnmpn,n=2,故為第ⅣA族元素,原子序數(shù)大于O元素,小于Cu元素,故Y為Si元素;M的基態(tài)原子2p能級有1個單電子,核外電子排布為1s22s22p5,則M為F元素;R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù),R原子有2個電子層,原子序數(shù)介于C元素與O元素之間,故R為N元素.
(1)Cu原子的核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d104s1,Cu原子失去4s能級的1個電子及3d能級中的1個電子形成Cu2+,Cu2+的核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d9
故答案為:1s22s22p63s23p63d9;
(2)在[Cu(NH34]2+離子中,Cu2+的空軌道接受NH3分子提供的孤電子對形成配位鍵,
故答案為:孤電子對;
(3)Q形成的最簡單氣態(tài)氫化物甲為CH4,Y形成的最簡單氣態(tài)氫化物乙為SiH4,非金屬性C>Si,故穩(wěn)定性CH4>SiH4,二者結構相似,都可以形成分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,沸點越高,故沸點CH4<SiH4,
故答案為:b;
(4)由R、X兩元素組成的與N3-互為等電子體的微粒為:N2O、NO2+
故答案為:N2O、NO2+;
(5)X、M兩元素形成的化合物OF2中O原子價層電子對數(shù)=$\frac{6-1×2}{2}$=2、價層電子對數(shù)=2+2=4,VSEPR模型名稱為四面體形,已知OF2分子的極性比水分子的極性弱,其原因是:OF2和H2O均為V形分子且中心原子孤電子對均為2對,F(xiàn)于O的電負性差值比O與H的電負性差值小,
故答案為:四面體形;OF2和H2O均為V形分子且中心原子孤電子對均為2對,F(xiàn)于O的電負性差值比O與H的電負性差值。

點評 本題考查結構與位置關系、核外電子排布規(guī)律、元素周期律、化學鍵、等電子體、價層電子對數(shù)理論等,推斷元素是解題的關鍵,注意對基礎知識的理解掌握.

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