下列各項比較中前者高于(或大于或強于)后者的是( 。
| A. | CCl4和SiCl4的熔點 |
| B. | 鄰羥基苯甲醛()和對羥基苯甲醛()的沸點 |
| C. | SO2和CO2在水中的溶解度 |
| D. | H2SO3和H2SO4的酸性 |
考點:
晶體的類型與物質(zhì)熔點、硬度、導電性等的關(guān)系;不同晶體的結(jié)構(gòu)微粒及微粒間作用力的區(qū)別.
專題:
化學鍵與晶體結(jié)構(gòu).
分析:
A.根據(jù)分子組成和結(jié)構(gòu)相似的分子,相對分子質(zhì)量越大,物質(zhì)的熔沸越大;
B.分子內(nèi)形成氫鍵,使熔沸點降低,分子間氫鍵,使熔沸點升高;
C.根據(jù)價層電子對互斥理論確定分子空間構(gòu)型,根據(jù)相似相溶原理分析物質(zhì)的溶解性,SO2在水中溶解度比CO2大;
D.同等條件下亞硫酸比硫酸酸性弱;
解答:
解:A.分子組成和結(jié)構(gòu)相似的分子,相對分子質(zhì)量越大,物質(zhì)的熔沸越大,所以SiCl4的沸點比CCl4的高,故A錯誤;
B.鄰羥基苯甲醛的兩個基團靠的很近,能形成分子內(nèi)氫鍵,使熔沸點降低;而對羥基苯甲醛能夠形成分子間氫鍵,使熔沸點升高,所以鄰羥基苯甲醛比對羥基苯甲醛熔、沸點低,故B錯誤;
C.二氧化硫分子中價層電子對個數(shù)=2+(6﹣2×2)=3且含有一個孤電子對,所以為V形結(jié)構(gòu),SO2是V形的極性分子,CO2是直線型的非極性分子,根據(jù)相似相溶原理,SO2在水中的溶解度比CO2的大,故C正確;
D.H2SO3是二元弱酸,H2SO4是二元強酸,同等條件下亞硫酸比硫酸酸性弱,故D錯誤;
故選C.
點評:
本題考查較為綜合,涉及沸點比較、溶解度比較以及酸性比較等知識,題目難度中等,注意把握比較的方法和角度,注意相似相溶原理、注意氫鍵對熔沸點的影響,分子內(nèi)形成氫鍵,使熔沸點降低;分子間氫鍵,使熔沸點升高.
科目:高中化學 來源: 題型:
下列變化中,需要加入氧化劑才能實現(xiàn)的是( 。
| A. | MnO2→MnSO4 | B. | CuO→Cu | C. | KI→KIO3 | D. | HNO3→NO |
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科目:高中化學 來源: 題型:
在體積為VL的密閉容器中,充入a molN2和b molH2,經(jīng)3分鐘生成c molNH3.試回答下面問題:
(1)以N2為研究對象,計算其速率v(N2)的值
(2)求H2的轉(zhuǎn)化率
(3)求3分鐘時NH3的體積分數(shù)
(4)計算反應(yīng)前后的壓強之比.
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科目:高中化學 來源: 題型:
下列微粒的個數(shù)比不是1:1的是( 。
| A. | NaCl晶體中陰、陽離子 | B. | NH3分子中的質(zhì)子和電子 |
| C. | Na2O2固體中陰、陽離子 | D. | H原子中的質(zhì)子和中子 |
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科目:高中化學 來源: 題型:
下表列出了某短周期元素R的各級電離能數(shù)據(jù)(用I1、I2…表示,單位為kJ•mol﹣1).
I1 | I2 | I3 | I4 | … | |
R | 740 | 1 500 | 7 700 | 10 500 | … |
下列關(guān)于元素R的判斷中一定正確的是( 。
| A. | R的最高正價為+3價 |
| B. | R元素位于元素周期表中第ⅡA族 |
| C. | R元素的原子最外層共有4個電子 |
| D. | R元素基態(tài)原子的電子排布式為1s22s2 |
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科目:高中化學 來源: 題型:
短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,X 原子的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的3 倍,Y 原子的最外層只有2 個電子,Z 單質(zhì)可制成半導體材料,W與X屬于同一主族.下列敘述正確的是( 。
| A. | 元素W 的簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性比X 的強 |
| B. | 元素W 的最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性比Z 的弱 |
| C. | 化合物YX、ZX2、WX3 中化學鍵的類型相同 |
| D. | 原子半徑的大小順序:rY>rZ>rW>rX |
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科目:高中化學 來源: 題型:
對于反應(yīng)mA(g)+nB(g)⇌pC(g)+qD(g) 滿足下列圖象,根據(jù)圖象判斷四種關(guān)系正確的是( 。
| A. | m+n>p+q,正反應(yīng)吸熱 | B. | m+n<p+q,正反應(yīng)放熱 |
| C. | m+n>p+q,正反應(yīng)放熱 | D. | m+n<p+q,正反應(yīng)吸熱 |
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