Question

【題目】如表是元素周期表的一部分．表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素．

試回答下列問題：
（1）請寫出字母O代表元素的外圍電子排布 ．
（2）由j原子跟c原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體j相同．兩者相比熔點(diǎn)更高的是（填化學(xué)式），試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋： ．
（3）白磷分子中的鍵角為 ， 分子的空間結(jié)構(gòu)為 ， 每個(gè)P原子與個(gè)P原子結(jié)合成共價(jià)鍵．若將1分子白磷中的所有P﹣P鍵打開并各插入一個(gè)氧原子，共可結(jié)合個(gè)氧原子，若每個(gè)P原子上的孤對電子再與氧原子配位，就可以得到磷的另一種氧化物（填分子式）．
（4）i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示．

若已知i的原子半徑為d，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，i的相對原子質(zhì)量為M，請回答：
①i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為晶胞中i原子的配位數(shù)為 ， 一個(gè)晶胞中i原子的數(shù)目為__；
②該晶體的密度為（用字母表示）．

Answer 1

【答案】
（1）3d64s2
（2）SiC；因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C﹣Si鍵鍵長比晶體Si中Si﹣Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高
（3）60°；正四面體；3；6；P4O10
（4）面心立方堆積；12；4；
【解析】解：（1）由元素所在周期表中的位置可知，O位于第四周期ⅤⅢ族第一列，O為Fe，外圍電子排布式3d64s2 ， 所以答案是：3d64s2；
（2.）SiC和晶體Si均屬于原子晶體，原子晶體的熔沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)度，由于C原子半徑小，SiC中C﹣Si鍵鍵長比晶體Si中Si﹣Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高，所以答案是：SiC； 因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C﹣Si鍵鍵長比晶體Si中Si﹣Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高；
（3.）白磷為空心正四面體結(jié)構(gòu)，鍵角為60°，每個(gè)P原子與3個(gè)P原子結(jié)合成共價(jià)鍵，每個(gè)分子中含有6個(gè)共價(jià)鍵，若將1分子白磷中的所有P﹣P鍵打開并各插入一個(gè)氧原子，共可結(jié)合6個(gè)O原子，若每個(gè)P原子上的孤對電子分別再以配位鍵連接一個(gè)氧原子，還可結(jié)合4個(gè)O原子，則可形成化合物P4O10 ， 所以答案是：60°；正四面體；3；6；P4O10；
（4.）①根據(jù)圖片知，Al單質(zhì)為面心立方堆積，Al原子配位數(shù)配位數(shù)=3× ×8=12，由圖2可知占據(jù)頂點(diǎn)和面心，則個(gè)數(shù)為8× +6× =4，所以答案是：面心立方堆積；12；4；
②Al原子半徑為d，則晶胞邊長=2 d，晶胞體積V=（2 d）3 ， 每個(gè)晶胞中Al原子個(gè)數(shù)為4，則密度為ρ， = ，解得ρ= ，所以答案是： ．