下列關(guān)于金屬鈉及其化合物的描述正確的是(  )
分析:A、鈉與水反應(yīng)生成的氫氧化鈉和碳酸氫鈉反應(yīng);
B、過氧化鈉是由鈉離子和過氧根離子構(gòu)成分析;
C、氫氧化鈣和碳酸鈉,碳酸氫鈉都反應(yīng)生成沉淀現(xiàn)象;
D、鈉與水反應(yīng)生成氫氧化鈉,與硫酸銅生成氫氧化鐵沉淀,溶液質(zhì)量減小;
解答:解:A、將少量金屬鈉投入飽和NaHCO3溶液中,鈉和水反應(yīng)生成氫氧化鈉和氫氣,氫氧化鈉和碳酸氫鈉反應(yīng)生成碳酸鈉和水,碳酸鈉溶解性大于碳酸氫鈉,所以不會有晶體析出,故A錯誤;
B、氧化鈉是由鈉離子和氧離子構(gòu)成,過氧化鈉是由鈉離子和過氧根離子構(gòu)成,Na2O和Na2O2所含的陰陽離子個數(shù)比為2:1均相同,故B正確;
C、氫氧化鈣和碳酸鈉,碳酸氫鈉反應(yīng)生成碳酸鈣沉淀,所以利用澄清石灰水不可鑒別Na2CO3溶液與NaHCO3溶液,故C錯誤;
D、鈉與水反應(yīng)生成氫氧化鈉,與硫酸銅生成氫氧化鐵沉淀,溶液質(zhì)量減小,故D錯誤;
故選B.
點評:本題考查了鈉及其化合物性質(zhì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用,主要考查碳酸鈉和碳酸氫鈉的鑒別方法,鈉與鹽溶液反應(yīng)溶液質(zhì)量變化,關(guān)鍵是碳酸鈉溶解性大于碳酸氫鈉,過氧化鈉的構(gòu)成離子是鈉離子和過氧根離子.
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相關(guān)習題

科目:高中化學 來源:物理教研室 題型:013

氧族元素包括O、S、Se等元素.下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是 ( 。

A.硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物

B.硒難溶于水

C.H2S劇毒,H2Se無毒

D.硒與金屬、非金屬分界線相鄰,是良好的半導體材料

 

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科目:高中化學 來源: 題型:

氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是(  )?

A.硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物?

B.硒難溶于水?

C.H2S劇毒,H2Se無毒?

D.硒與金屬、非金屬分界線相鄰,是良好的半導體材料?

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科目:高中化學 來源: 題型:

氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是(  )?

A.硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物?

B.硒難溶于水?

C.H2S劇毒,H2Se無毒?

D.硒與金屬、非金屬分界線相鄰,是良好的半導體材料?

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科目:高中化學 來源: 題型:單選題

氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是(  )


  1. A.
    硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物
  2. B.
    硒難溶于水
  3. C.
    H2S劇毒,H2Se無毒
  4. D.
    硒與金屬、非金屬分界線相鄰,是良好的半導體材料

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