Question

如圖是常見物質(zhì)之間的轉(zhuǎn)化，其中A是芯片的主要成分，其對應(yīng)的單質(zhì)的結(jié)構(gòu)與金剛石的結(jié)構(gòu)是相似的，D、E外均含有A的元素．
（1）試推測A

 

、C

 

、F

 

（寫化學(xué)式）．
（2）試寫出以下的化學(xué)方程式，是離子反應(yīng)的寫出離子方程式：B→A

 

； C+E→F

 

．
（3）在B+碳→A+D的反應(yīng)中，碳的作用是

 

，當(dāng)生成1 mol A時，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為

 

．

Answer 1

考點：無機(jī)物的推斷

專題：

分析：A是芯片的主要成分，其對應(yīng)的單質(zhì)的結(jié)構(gòu)與金剛石的結(jié)構(gòu)是相似，則A為Si，D、E外均含有A的元素，由轉(zhuǎn)化關(guān)系可知，B為SiO₂，E為CO，C為Na₂SiO₃，D為CO，E為CO₂，F(xiàn)為H₂SiO₃，G為SiCl₄，據(jù)此解答．

解答： 解：A是芯片的主要成分，其對應(yīng)的單質(zhì)的結(jié)構(gòu)與金剛石的結(jié)構(gòu)是相似，則A為Si，D、E外均含有A的元素，由轉(zhuǎn)化關(guān)系可知，B為SiO₂，E為CO，C為Na₂SiO₃，D為CO，E為CO₂，F(xiàn)為H₂SiO₃，G為SiCl₄，
（1）由上述分析可知，A為Si，C為Na₂SiO₃，F(xiàn)為H₂SiO₃，故答案為：Si；Na₂SiO₃；H₂SiO₃；
（2）B→A是SiO₂與碳在高溫下反應(yīng)生成Si和CO，反應(yīng)的方程式為：SiO₂+2C

高溫  .

Si+2CO↑，
 C+E→F是硅酸鈉溶液與過量二氧化碳反應(yīng)生成硅酸與碳酸氫鈉，反應(yīng)離子方程式為：SiO₃^2-+2H₂O+2CO₂═H₂SiO₃↓+2HCO₃^-，
故答案為：SiO₂+2C

高溫  .

Si+2CO↑；SiO₃^2-+2H₂O+2CO₂═H₂SiO₃↓+2HCO₃^-；
（3）B+碳→A+D的反應(yīng)為：SiO₂+2C

高溫  .

Si+2CO↑，反應(yīng)中C元素化合價升高，碳其還原劑作用，Si元素化合價由+4降低為0價，當(dāng)成1 mol Si時，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為1mol×4=4mol，
故答案為：4mol．

點評：本題考查無機(jī)物的推斷，側(cè)重于硅單質(zhì)及其化合物的考查，注意根據(jù)A的用途及晶體結(jié)構(gòu)確定其為Si，再結(jié)合轉(zhuǎn)化關(guān)系推斷，需要學(xué)生熟練掌握元素化合物性質(zhì)，難度不大．