下列說法正確的是( 。
A、含硅材料廣泛用于太陽能電板、半導(dǎo)體材料、光纖通訊以及建筑材料等
B、水晶項鏈和餐桌上的瓷盤都是硅酸鹽制品
C、工藝師利用稀鹽酸刻蝕石英制作藝術(shù)品
D、粗硅制備單晶硅不涉及氧化還原反應(yīng)
考點:硅和二氧化硅
專題:碳族元素
分析:A.硅和硅的化合物在現(xiàn)代信息技術(shù)中應(yīng)用廣泛,如用于制造計算機芯片的材料是硅;
B.餐桌上的瓷盤是陶瓷,是硅酸鹽制品,水晶的主要成分是二氧化硅;
C.氫氟酸能夠與二氧化硅反應(yīng)生成四氟化硅氣體;
D.有化合價變化的反應(yīng)是氧化還原反應(yīng).
解答: 解:A.硅材料廣泛應(yīng)用于信息、通訊等領(lǐng)域,如:光導(dǎo)纖維的成分是二氧化硅,高純度的硅單質(zhì)廣泛用于制作硅能電池,故A正確;
B.餐桌上的瓷盤是陶瓷,主要成分是硅酸鹽,是硅酸鹽制品,水晶的主要成分是二氧化硅,不屬于硅酸鹽制品,故B錯誤;
C.石英為SiO2,可以用HF(氫氟酸)來刻蝕玻,反應(yīng)的化學(xué)方程式為:SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O,故C錯誤;
D.粗硅制備單晶硅的反應(yīng)是,Si+2Cl2
  △  
.
 
SiCl4,SiCl4+2H2
  △  
.
 
Si+4HCl,過程中涉及氧化還原反應(yīng),故D錯誤.
故選A.
點評:本題考查硅和二氧化硅的性質(zhì),為高頻考點,掌握粗硅的提純是解答本題的關(guān)鍵,題目難度不大.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

粗鹽提純實驗的部分操作如圖所示,其中錯誤的是( 。
A、
取一定量的粗鹽
B、
溶解
C、
過濾
D、
蒸發(fā)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列溶液一定是堿性的是( 。
A、pH>7的某電解質(zhì)的溶液
B、c(OH-)>1×10-7mol/L
C、溶液中含有OH-
D、溶液中c(OH-)>c(H+

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

水熱法制備納米顆粒Y(化合物)的反應(yīng)為aFe2++2S2O32-+O2+4OH-=Y+S4O62-+2H2O,下列說法中,不正確的是( 。
A、a=4
B、每有1molO2參加反應(yīng),轉(zhuǎn)移的電子總數(shù)為4mol
C、只有S2O32-是還原劑
D、Fe2+中有
2
3
被氧化成Fe3+

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

工業(yè)上以鉻鐵礦(主要成分為FeO?Cr2O3)、碳酸鈉、氧氣和硫酸為原料生產(chǎn)重鉻酸鈉晶體(Na2Cr2O7?2H2O),其主要反應(yīng)為:(1)4FeO?Cr2O3+8Na2CO3+7O2
高溫
8Na2CrO4+2Fe2O3+8CO2(2)2Na2CrO4+H2SO4?Na2SO4+Na2Cr2O7+H2O下列說法正確的是(  )
A、反應(yīng)(1)和(2)均為氧化還原反應(yīng)
B、反應(yīng)(1)的氧化劑是O2,氧化產(chǎn)物是Na2CrO4和Fe2O3
C、高溫下O2的氧化性強于Fe2O3,弱于Na2CrO4
D、反應(yīng)(1)中每生成2molFe2O3時電子轉(zhuǎn)移4mol

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

SiO2是一種化工原料,可以制備一系列物質(zhì)(如圖所示).下列說法錯誤的是( 。
A、高爐煉鐵時,加入石灰石將鐵礦石中的脈石(主要成分為SiO2)轉(zhuǎn)化為易熔的爐渣
B、純凈的二氧化硅和單晶硅都是信息產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)材料
C、用鹽酸可除去石英砂(主要成分為SiO2)中少量的碳酸鈣
D、圖中所含反應(yīng)都不屬于氧化還原反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列關(guān)于氯水的敘述正確的是( 。
A、新制氯水中只含Cl2和H2O分子
B、新制氯水可使藍色石蕊試紙先變紅后褪色
C、氯水中存在次氯酸根,不存在次氯酸分子
D、氯水放置數(shù)天后,pH將變大

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列說法正確的是(  )
A、在標準狀況下,11.2L某氣體的質(zhì)量為22g,則該氣體的相對分子質(zhì)量是44g/mol
B、16g O2和16g O3含的氧原子個數(shù)一樣多
C、在標準狀況下,水、氧氣和氮氣分子間的平均距離都相等
D、1mol氯化鈣溶于水配成1L溶液,所得溶液中Cl-的物質(zhì)的量濃度為1mol/L

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列說法中錯誤的是(  )
A、若XY4分子中X原子處于正四面體的中心,則XY4分子為非極性分子
B、C2H5OH與C2H5Br相比,前者的相對分子質(zhì)量遠小于后者,而沸點卻遠高于后者,其原因是前者的分子間存在氫鍵
C、在[Cu(NH34]2+離子中,Cu2+給出孤對電子,NH3提供空軌道
D、短周期元素離子aXm+bYn-具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則a>b

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