Question

【選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化臺(tái)物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是      ；
 
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離
子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>               ；
（3）Se原子序數(shù)為       ，其核外M層電子的排布式為                    ；
（4）H₂Se的酸性比H₂S         （填“強(qiáng)”或“弱”）。氣態(tài)SeO₃分子的立體構(gòu)型
為                 ，SO₃^2-離子的立體構(gòu)型為                   ；
（5）H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7x l0^-3和2.5x l0^-8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，
K₂為1.2X10^-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步電離程度大于第二步電離的原因：                          
                                                   ；
② H₂SeO₄比 H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：                                                  
                                                                              
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm．密度為                    （列式并計(jì)算），a位置S^2-離子與b位置Zn²⁺離子之間的距離為               pm（列示表示）

Answer 1

 （1）SP³
（2）O＞S＞Se
（3）34   3s²3p⁶3d¹⁰
（4）強(qiáng)  正四面體   平面三角形
（5）①H₂SeO₄和H₂SeO₃第一步電離產(chǎn)生的氫離子抑制第二步電離，所以第一步電離程度大于第二步電離程度。
②對(duì)同一種元素的含鹽酸來(lái)說(shuō)，該元素的化合價(jià)越高，其含氧酸的酸性越強(qiáng)。
（6）4.1           

（1）因?yàn)镾8為環(huán)狀立體結(jié)構(gòu)，鍵角為120°，所以軌道雜化方式為SP³。
（2）根據(jù)同主族電離能變化規(guī)律，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)镺＞S＞Se.（3）Se原子序數(shù)為34，其核外M層電子的排布式為3s²3p⁶3d¹⁰（4）原子半徑越大，氫化物越容易電離出氫離子，所以H₂Se的酸性比H₂S強(qiáng)。氣態(tài)SeO₃分子的立體構(gòu)型為正四面體，SO₃^2-離子的立體構(gòu)型為平面三角形。（5）①H₂SeO₄和H₂SeO₃第一步電離產(chǎn)生的氫離子抑制第二步電離，所以第一步電離程度大于第二步電離程度。

【考點(diǎn)定位】原子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、分子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶體的計(jì)算