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原子序數(shù)依次增大的短周期元素a、b、c、d和e中,a的最外層電子數(shù)為其周期數(shù)的二倍;b和d的A2B型氫化物均為V形分子,c的+1價離子比e的-1價離子少8個電子。
回答下列問題:
(1)元素a為________;c為________;
(2)由這些元素形成的雙原子分子為________;
(3)由這些元素形成的三原子分子中,分子的空間結(jié)構(gòu)屬于直線形的是________,非直線形的是______________;(寫2種)
(4)這些元素的單質(zhì)或由它們形成的AB型化合物中,其晶體類型屬于原子晶體的是________,離子晶體的是________,金屬晶體的是________,分子晶體的是________;(每空填一種)
(5)元素a和b形成的一種化合物與c和b形成的一種化合物發(fā)生的反應常用于防毒面具中,該反應的化學方程式為_______________ _________________________________________________________。
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金屬鎳在電池、合金、催化劑等方面應用廣泛。
(1)下列關于金屬及金屬鍵的說法正確的是________。
a.金屬鍵具有方向性與飽和性
b.金屬鍵是金屬陽離子與自由電子間的相互作用
c.金屬導電是因為在外加電場作用下產(chǎn)生自由電子
d.金屬具有光澤是因為金屬陽離子吸收并放出可見光
(2)Ni是元素周期表中第28號元素,第二周期基態(tài)原子未成對電子數(shù)與Ni相同且電負性最小的元素是_______________________ _________________________________________________。
(3)過濾金屬配合物Ni(CO)n的中心原子價電子數(shù)與配體提供電子總數(shù)之和為18,則n=________。CO與N2結(jié)構(gòu)相似,CO分子內(nèi)σ鍵與π鍵個數(shù)之比為________。
(4)甲醛(H2C===O)在Ni催化作用下加氫可得甲醇(CH3OH)。甲醇分子內(nèi)C原子的雜化方式為________,甲醇分子內(nèi)的O-C-H鍵角________(填“大于”“等于”或“小于”)甲醛分子內(nèi)的O-C-H鍵角。
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ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是________;
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為____________________;
(3)Se原子序數(shù)為________,其核外M層電子的排布式為________;
(4)H2Se的酸性比H2S________(填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為________,SO離子的立體構(gòu)型為________;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:________;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:_______________________
__________________________________________________________;
(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為________g·cm-3(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為________pm(列式表示)。
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(1)可正確表示原子軌道的是________。
A.2s B.2d
C.3px D.3f
(2)寫出基態(tài)鎵(Ga)原子的電子排布式:________。
(3)下列物質(zhì)變化,只與范德華力有關的是________ 。
A.干冰熔化 B.乙酸汽化
C.乙醇與丙酮混溶 D.溶于水
E.碘溶于四氯化碳 F.石英熔融
(4)下列物質(zhì)中,只含有極性鍵的分子是________,既含離子鍵又含共價鍵的化合物是________;只存在σ鍵的分子是________,同時存在σ鍵和π鍵的分子是________。
A. N2 B.CO2 C.CH2Cl2 D.C2H4
E.C2H6 F.CaCl2 G.NH4Cl
(5)用“>”、“<”或“=”填空:
第一電離能的大。篗g________Al;熔點的高低:KCl________ MgO。
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(1)元素的第一電離能:Al________Si(填“>”或“<”)。
(2)基態(tài)Mn2+的核外電子排布式為________。
(3)硅烷(SinH2n+2)的沸點與其相對分子質(zhì)量的變化關系如圖所示,呈現(xiàn)這種變化關系的原因是_________________________________。
(4)硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉,其陰離子Xm-(含B、O、H三種元素)的球棍模型如下圖所示:
①在Xm-中,硼原子軌道的雜化類型有________;配位鍵存在于________原子之間(填原子的數(shù)字標號);
m=________(填數(shù)字)。
②硼砂晶體由Na+、Xm-和H2O構(gòu)成,它們之間存在的作用力有________ (填序號)。
A.離子鍵 B.共價鍵 C.金屬鍵
D.范德華力 E.氫鍵
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一項科學研究成果表明,銅錳氧化物(CuMn2O4)能在常溫下催化氧化空氣中的一氧化碳和甲醛(HCHO)。
(1)向一定物質(zhì)的量濃度的Cu(NO3)2和Mn(NO3)2溶液中加入Na2CO3溶液,所得沉淀經(jīng)高溫灼燒,可制得CuMn2O4。
①Mn2+基態(tài)的電子排布式可表示為 ________。
②NO的空間構(gòu)型是________ (用文字描述)。
(2)在銅錳氧化物的催化下,CO被氧化為CO2,HCHO被氧化為CO2和H2O。
①根據(jù)等電子體原理,CO分子的結(jié)構(gòu)式為________。
②H2O分子中O原子軌道的雜化類型為________。
③1 mol CO2中含有的σ鍵數(shù)目為________。
(3)向CuSO4溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2-。不考慮空間構(gòu)型,[Cu(OH)4]2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為________。
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(1)依據(jù)第2周期元素第一電離能的變化規(guī)律,參照右圖B、F元素的位置,用小黑點標出C、N、O三種元素的相對位置。
(2)NF3可由NH3和F2在Cu催化劑存在下反應直接得到:
①上述化學方程式中的5種物質(zhì)所屬的晶體類型有_________(填序號)。
a.離子晶體 b.分子晶體 c.原子晶體 d.金屬晶體
②基態(tài)銅原子的核外電子排布式為________。
(3)BF3與一定量水形成(H2O)2·BF3晶體Q,Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R:
①晶體Q中各種微粒間的作用力不涉及___________(填序號)。
a.離子鍵 b.共價鍵 c.配位鍵 d.金屬鍵 e.氫鍵 f.范德華力
②R中陽離子的空間構(gòu)型為_______,陰離子的中心原子軌道采用_______雜化。
(4)已知苯酚()具有弱酸性,其Ka=1.1 ×10-10;水楊酸第一級電離形成的離子能形成分子內(nèi)氫鍵。據(jù)此判斷,相同溫度下電離平衡常數(shù)Ka2(水楊酸)_______Ka(苯酚)(填“>”或“<”),其原因是__________。
【知識點】化學鍵、晶體結(jié)構(gòu)、電子排布式的書寫、雜化軌道、分子的空間構(gòu)型以及電離
常數(shù)等知識。
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圖A所示的轉(zhuǎn)化關系中(具體反應條件略),a、b、c和d分別為四種短周期元素的常見單質(zhì),其余均為它們的化合物,i的溶液為常見的酸,a的一種同素異形體的晶胞如圖B所示。
回答下列問題:
(1)圖B對應的物質(zhì)名稱是 ,其晶胞中的原子數(shù)為 ,晶體類型為 。
(2)d中元素的原子核外電子排布式為 。
(3)圖A中由二種元素組成的物質(zhì)中,沸點最高的是 ,原因是 ,該物質(zhì)的分子構(gòu)型為 ,中心原子的雜化軌道類型為 。
(4)圖A中的雙原子分子中,極性最大的分子是 。
(5)k的分子式為 ,中心原子的雜化軌道類型為 ,屬于 分子(填“極性”或“非極性”)。
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A.[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
元素X位于第四周期,其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子,且最外層電子數(shù)為2。元素Y基態(tài)原子的3p軌道上有4個電子。元素Z的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍。
(1)X與Y所形成化合物晶體的晶胞如右圖所示。
①在1個晶胞中,X離子的數(shù)目為 。
②該化合物的化學式為 。
(2)在Y的氫化物(H2Y)分子中,Y原子軌道的雜化類型是
。
(3)Z的氫化物(H2Z)在乙醇中的溶解度大于H2Y,其原因是
。
(4)Y與Z可形成YZ42-
①YZ42-的空間構(gòu)型為 (用文字描述)。
②寫出一種與YZ42-互為等電子體的分子的化學式: 。
(5)X的氯化物與氨水反應可形成配合物[X(NH3)4]Cl2,1mol該配合物中含有σ鍵的數(shù)目為 。
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硅是重要的半導體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎。回答下列問題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號 ,該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。
(2)硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以 相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻 個原子。
(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4CI在液氨介質(zhì)中反應制得SiH4,,該反應的化學方程式為 。
(5)碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關事實:
① 硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是
② SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是
(6)在硅酸鹽中,四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根;其中Si原子的雜化形式為 。Si與O的原子數(shù)之比為 化學式為
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