20．金屬鎳有廣泛的用途．粗鎳中含有少量Fe、Zn、Cu、Pt等雜質(zhì)，可用電解法制備高純度的鎳，（已知：氧化性Fe²⁺＜Ni²⁺＜Cu²⁺），下列敘述正確的是（　�。�

	A．	陽極發(fā)生還原反應(yīng)，其電極反應(yīng)式：Ni2++2e-═Ni
	B．	電解后，電解槽底部的陽極泥中只有Pt
	C．	電解后，溶液中存在的陽離子只有Fe2+和Zn2+
	D．	電解過程中，陽極質(zhì)量的減少與陰極質(zhì)量的增加不相等

19．美國圣路易斯大學(xué)研制了一種新型的乙醇電池，它用磺酸類質(zhì)子溶劑，在200℃時供電，乙醇電池比甲醇電池效率高出32倍且更安全．電池總反應(yīng)為：C₂H₅OH+3O₂═2CO₂+3H₂O，電池示意如圖，下列說法不正確的是（　�。�

	A．	a極為電池的負極
	B．	電池工作時電流由b極沿導(dǎo)線經(jīng)燈泡再到a極
	C．	電池正極的電極反應(yīng)為：2H++O2+4e-═H2O
	D．	電池工作時1mol乙醇被氧化時就有6mol電子轉(zhuǎn)移

18．下列說法正確的是（　�。�

	A．	化學(xué)反應(yīng)不一定伴隨著能量的變化
	B．	氫氣燃燒的熱化學(xué)方程式為：2H2（g）+O2（g）═2H2O（g）△H=571.6kJ•mol-1
	C．	放在冰箱中的食品保質(zhì)期較長，這與溫度對反應(yīng)速率的影響有關(guān)D．所有燃燒反應(yīng)都是放熱反應(yīng)，所以不需吸收能量就可以進行
	D．	所有燃燒反應(yīng)都是放熱反應(yīng)，所以不需吸收能量就可以進行

17．下列反應(yīng)既是氧化還原反應(yīng)，又是吸熱反應(yīng)是（　　）

	A．	實驗室制備氫氣
	B．	Ba（OH）2•8H2O晶體與NH4Cl晶體的反應(yīng)
	C．	灼熱的木炭與CO2的反應(yīng)
	D．	鋁粉與氧化鐵粉末反應(yīng)

16．Cu₃N具有良好的電學(xué)和光學(xué)性能，在電子工業(yè)領(lǐng)域、航空航天領(lǐng)域、國防領(lǐng)域、通訊領(lǐng)域以及光學(xué)工業(yè)等領(lǐng)域中，發(fā)揮著廣泛的、不可替代的巨大作用．
（1）與N^3-含有相同電子數(shù)的三原子分子的空間構(gòu)型是V形．
（2）Cu具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱和延展性，請解釋Cu具有導(dǎo)電性的原因．
（3）在Cu的催化作用下，乙醇可被空氣氧化為乙醛，乙醛分子中碳原子的雜化方式是sp³、sp²，乙醛分子中H-C-O的鍵角大于乙醇分子中的H-C-O的鍵角（填“大于”、“等于”或“小于”）．
（4）Cu⁺的核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰，其在酸性溶液中不穩(wěn)定，可發(fā)生歧化反應(yīng)生成Cu²⁺和Cu，但CuO在高溫下會分解成Cu₂O，試從結(jié)構(gòu)角度解釋高溫下CuO為何會生成Cu₂OCu⁺的3d軌道上電子全滿其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定
（5）[Cu（H₂O）₄]²⁺為平面正方形結(jié)構(gòu)，其中的兩個H₂O被Cl-取代有兩種不同的結(jié)構(gòu)，試畫出[Cu（H₂O）₂（Cl）₂]具有極性的分子的結(jié)構(gòu)式．
（6））Cu₃N的晶胞結(jié)構(gòu)下圖所示：
N^3-的配位數(shù)為6，Cu⁺半徑為apm，N^3-半徑為b pm，Cu₃N的密度$\frac{103×10{\;}^{30}}{4（a+b）{\;}^{3}N{\;}_{A}}$g/cm³．（阿伏加德羅為常數(shù)用N_A表示）．

15．硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)．回答下列問題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號M，該能層具有的原子軌道數(shù)為9、電子數(shù)為4．
（2）硅主要以硅酸鹽、二氧化硅等化合物的形式存在于地殼中．
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以共價鍵相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻3個原子．
（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH₄）分解反應(yīng)來制備．工業(yè)上采用Mg₂Si和NH₄CI在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH₄，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為Mg₂Si+4NH₄Cl=SiH₄+4NH₃+2MgCl₂
（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實：

化學(xué)鍵	C-C	C-H	C-O	Si-Si	Si-H	Si-O
鍵能（KJ/mol）	356	413	336	226	318	452

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多，原因是C-C鍵和C-H鍵較強，所形成的烷烴穩(wěn)定．而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成．
②SiH₄的穩(wěn)定性小于CH₄，更易生成氧化物，原因是C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定．而Si-H鍵的鍵能卻遠小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵．
（6）在硅酸鹽中，SiO₄4-四面體（如下圖a）通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式．圖b為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根；其中Si原子的雜化形式為sp3．Si與O的原子數(shù)之比為1：3化學(xué)式為SiO₃^2-．

14．C₆₀、金剛石和石墨的結(jié)構(gòu)模型如圖所示（石墨僅表示出其中的一層結(jié)構(gòu)）：

（1）C₆₀、金剛石和石墨三者的關(guān)系互為B
A．同分異構(gòu)體   B．同素異形體      C．同系物       D．同位素
（2）固態(tài)時，C₆₀屬于分子晶體（填“離子”“原子”或“分子”），C₆₀分子中含有雙鍵的數(shù)目是30．
（3）硅晶體的結(jié)構(gòu)跟金剛石相似，1mol硅晶體中含有硅硅單鍵的數(shù)目約是2N_A個．二氧化硅的結(jié)構(gòu)相當于在硅晶體結(jié)構(gòu)中每個硅硅單鍵之間插入1個氧原子．二氧化硅的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，硅、氧原子形成的最小環(huán)上氧原子數(shù)目是6．
（4）石墨層狀結(jié)構(gòu)中，平均每個正六邊形占有的碳原子數(shù)是2．

13．下列說法正確的是（　�。�

	A．	第一電離能：Al＞Mg		B．	水溶性：CH3CH2OH＞CH3CH2OCH2CH3
	C．	沸點：HCl＞HF		D．	晶格能：NaCl＞MgO

12．設(shè)N_A代表阿伏伽德羅常數(shù)的值，下列說法正確的是（　�。�

	A．	2.3g鈉與水反應(yīng)失去的電子數(shù)目為0.2NA
	B．	20℃、101Kpa時，5.6L氨氣所含的原子數(shù)目為NA
	C．	0℃、101Kpa時，18g銨根離子所含有的電子數(shù)為10NA
	D．	1mol氯化鈉固體溶于1L水所得的溶液中氯化鈉的物質(zhì)的量濃度為1mol/L

11．常溫下，稀硝酸可以將銅溶解，反應(yīng)方程式為3Cu+8HNO₃=3Cu（NO₃）₂+2NO↑+4H₂O．生成的NO在標準狀況時的體積為5.6L，計算
（1）需要參加反應(yīng)的銅的質(zhì)量是多少？
（2）被還原的硝酸的物質(zhì)的量是多少？
（3）反應(yīng)過程中轉(zhuǎn)移的電子數(shù)？