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【題目】A、B、C、D、E代表單質(zhì)或化合物,它們之間的相互轉(zhuǎn)換關(guān)系如圖所示。A為地殼中含量僅次于氧的非金屬元素的單質(zhì),其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似。
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(1)形成單質(zhì)A的原子的結(jié)構(gòu)示意圖為________,它的最高化合價為________。
(2)B的化學(xué)式為_______________,B和碳反應(yīng)生成A和E的化學(xué)方程式為_________________________。
(3)C的化學(xué)式為________,D的化學(xué)式為____________。
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【題目】用來表示可逆反應(yīng)2A(g)+B(g) 2C(g)(正反應(yīng)為放熱反應(yīng))的正確圖像為
A. A B. B C. C D. D
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【題目】物質(zhì)A是一種高熔點化合物,不溶于硫酸、硝酸,卻溶于氫氟酸;C是一種氣體;D是白色膠狀沉淀;A、B、C、D之間的轉(zhuǎn)化如圖,試推斷:
A.______;B.______;C.______; D.______。
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【題目】下列四種溶液中: ① pH=0的鹽酸、② 0.1mol·L-1的鹽酸、③ 0.01mol·L-1的NaOH溶液、④ pH=11的NaOH溶液。室溫下由水電離生成的H+濃度之比(①∶②∶③∶④)是
A. 1:10:100:1000 B. 0:1:12:11 C. 14:13:12:11 D. 14:13:2:3
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【題目】硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式___________。
②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式___________;H2還原SiHCl3過程中若混有O2,可能引起的后果是___________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是___________(填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料光導(dǎo)纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點很高
E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
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【題目】下列實驗方法正確的是( )
A.用加熱、蒸發(fā)的方法除去粗鹽中的CaCl2、MgCl2等雜質(zhì)
B.用過濾的方法除去NaCl溶液中含有的少量淀粉膠體
C.用溶解、過濾的方法提純含有少量BaSO4的BaCO3
D.用丁達爾現(xiàn)象區(qū)分溶液與膠體
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【題目】水能滅火,水也能生火。下列某種物質(zhì)包在棉花團中,然后滴加適量的水,棉花團很快燃燒起來。該物質(zhì)是( )
A. MgO B. Na2O2 C. Al2O3 D. Fe2O3
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【題目】下列各組物質(zhì),按化合物、單質(zhì)、混合物順序排列的是
A. 純堿、液態(tài)氧、碘酒 B. 生石灰、單晶硅、熟石灰
C. 干冰、銅、氨氣 D. 空氣、氮氣、明礬
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