Question

Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增．已知：①Z的原子序數(shù)為29，其余的均為短周期主族元素；②Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布msⁿmpⁿ③R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)； ④Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4．
請回答下列問題
（1）Z²⁺的核外電子排布式是

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹

．
（2）Q與Y形成的最簡單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙，下列判斷正確的是

b

．
a．穩(wěn)定性：甲＞乙，沸點(diǎn)：甲＞乙          b．穩(wěn)定性：甲＞乙，沸點(diǎn)：甲＜乙
c．穩(wěn)定性：甲＜乙，沸點(diǎn)：甲＜乙          d．穩(wěn)定性：甲＜乙，沸點(diǎn)：甲＞乙
（3）Q、R、Y三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序?yàn)?!--BA-->

Si＜C＜N

（用元素符號作答）
（4）Q的一種氫化物相對分子質(zhì)量為26，其中分子中的σ鍵與π鍵的鍵數(shù)之比為

3：2

．
（5）五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于

原子晶體

．

Answer 1

分析：Z的原子序數(shù)為29，則Z為Cu元素；
Q、R、X、Y均為短周期主族元素，Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增．
Q、X的p軌道為2和4，二者有2個(gè)電子層，則為Q為C元素和X為O元素；
Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布msⁿmpⁿ，s能級容納電子數(shù)為2，則Y可能為C或Si，由于Q為C元素，所以Y為Si元素；
R的核外L層為奇數(shù)，所以R有2個(gè)電子層，則可能為Li、B、N或F，R的原子序數(shù)介于Q與X之間，Q為C元素，X為O元素，則R為N元素．
所以可推出：Q為C，R為N，X為O，Y為Si，Z為Cu．

解答：解：Z的原子序數(shù)為29，則Z為Cu元素；
Q、R、X、Y均為短周期主族元素，Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增．
Q、X的p軌道為2和4，則為Q為C元素和X為O元素；Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布msⁿmpⁿ，s能級容納電子數(shù)為2，則Y可能為C或Si，由于Q為C元素，所以Y為Si元素；R的核外L層為奇數(shù)，所以R有2個(gè)電子層，則可能為Li、B、N或F，R的原子序數(shù)介于Q與X之間，Q為C元素，X為O元素，則R為N元素．
所以可推出：Q為C，R為N，X為O，Y為Si，Z為Cu．
（1）Z為Cu元素，Z²⁺為Cu²⁺，Cu的價(jià)電子排布為3d¹⁰4s¹，失去兩個(gè)電子，則為3d⁹，Cu²⁺的核外電子排布式是
1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹．
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹．
（2）Q、Y的氫化物分別為CH₄和SiH₄，由于C的非金屬性強(qiáng)于Si，則穩(wěn)定性CH₄＞SiH₄．因?yàn)镾iH₄ 的相對分子質(zhì)量比
CH₄大，故分子間作用力大，沸點(diǎn)高．
故選：b．
（3）C、N和Si中，C、Si位于同一主族，則上面的非金屬性強(qiáng)，故第一電離能大，即Si＜C，而N由于具有半充滿狀態(tài)，故第一電離能比相鄰元素大，C＜N，所以第一電離能Si＜C＜N．
故答案為：Si＜C＜N．
（4）Q為C元素，C、H形成的相對分子質(zhì)量為26的物質(zhì)為C₂H₂，結(jié)構(gòu)式為H-C≡C-H，單鍵是σ鍵，叁鍵中有兩個(gè)是σ鍵一個(gè)π鍵，所以σ鍵與π鍵數(shù)之比為3：2．
故答案為：3：2．
（5）電負(fù)性最大的非金屬元素是O，最小的非金屬元素是Si，兩者構(gòu)成SiO₂，屬于原子晶體．
故答案為：原子晶體．

點(diǎn)評：以元素推斷為載體，考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、核外電子排布、電離能、化學(xué)鍵、晶體等，是對所學(xué)知識的綜合運(yùn)用，難度中等，根據(jù)原子結(jié)構(gòu)推斷元素是解題關(guān)鍵，注意基礎(chǔ)知識的掌握．