在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出.在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),離子P+和P3+( )
A.在電場(chǎng)中的加速度之比為1∶1
B.在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為∶1
C.在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1∶2
D.離開電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1∶3
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示。已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出。在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),離子P+和P3+
A.在電場(chǎng)中的加速度之比為1:1
B.在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為:1
C.在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1 : 2
D.離開電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1 : 3
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科目:高中物理 來(lái)源:浙江 題型:多選題
A.在內(nèi)場(chǎng)中的加速度之比為1:1 | ||
B.在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為
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C.在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1:2 | ||
D.離開電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1:3 |
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科目:高中物理 來(lái)源:2013年浙江省高考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
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