在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出.在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),離子P+和P3+(  )

A.在電場(chǎng)中的加速度之比為1∶1

B.在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為∶1

C.在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1∶2

D.離開電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1∶3

 [解析] 離子在電場(chǎng)中的加速度a=,故,A錯(cuò)誤.離開電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能Ek=Uq,故,D正確.在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑r=,故,B正確.在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度的正弦值sinθ==Bd,故,因θ1=30°,則sinθ2=,即θ2=60°,所以,C正確.

答案:BCD

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精英家教網(wǎng)在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出.在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),離子P+和P3+( 。

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在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示。已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出。在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),離子P+和P3+

A.在電場(chǎng)中的加速度之比為1:1

B.在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為:1

C.在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1 : 2

D.離開電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1 : 3

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科目:高中物理 來(lái)源:浙江 題型:多選題

在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出.在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),離子P+和P3+(  )
A.在內(nèi)場(chǎng)中的加速度之比為1:1
B.在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為
3
:1
C.在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1:2
D.離開電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1:3
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在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出.在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),離子P+和P3+( )

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