在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出.在電場和磁場中運(yùn)動時,離子P+和P3+( 。
A.在內(nèi)場中的加速度之比為1:1
B.在磁場中運(yùn)動的半徑之比為
3
:1
C.在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1:2
D.離開電場區(qū)域時的動能之比為1:3
精英家教網(wǎng)
A:兩個離子的質(zhì)量相同,其帶電量是1:3的關(guān)系,所以由a=
qU
md
可知其在電場中的加速度是1:3,故A錯.
B:要想知道半徑必須先知道進(jìn)入磁場的速度,而速度的決定因素是加速電場,所以在離開電場時其速度表達(dá)式為:v=
2qU
m
,可知其速度之比為:1:
3
.又由qvB=m
v2
r
r=
mv
qB
,所以其半徑之比為
3
:1
,故B正確.
C:由B的分析知道,離子在磁場中運(yùn)動的半徑之比為:
3
:1
,設(shè)磁場寬度為L,離子通過磁場轉(zhuǎn)過的角度等于其圓心角,所以有sinθ=
L
R
,則可知角度的正弦值之比為1:
3
,又P+的角度為300,可知P+3角度為600,故C正確.
D:由電場加速后:qU=
1
2
mv2
可知,兩離子離開電場的動能之比為1:3,故D正確.
故選B,C,D.
練習(xí)冊系列答案
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精英家教網(wǎng)在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出.在電場和磁場中運(yùn)動時,離子P+和P3+( 。

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A.在電場中的加速度之比為1:1

B.在磁場中運(yùn)動的半徑之比為:1

C.在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1 : 2

D.離開電場區(qū)域時的動能之比為1 : 3

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在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出.在電場和磁場中運(yùn)動時,離子P+和P3+(  )

A.在電場中的加速度之比為1∶1

B.在磁場中運(yùn)動的半徑之比為∶1

C.在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1∶2

D.離開電場區(qū)域時的動能之比為1∶3

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在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出.在電場和磁場中運(yùn)動時,離子P+和P3+( )

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