A.在內(nèi)場中的加速度之比為1:1 | ||
B.在磁場中運(yùn)動的半徑之比為
| ||
C.在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1:2 | ||
D.離開電場區(qū)域時的動能之比為1:3 |
qU |
md |
|
3 |
v2 |
r |
mv |
qB |
3 |
3 |
L |
R |
3 |
1 |
2 |
年級 | 高中課程 | 年級 | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中物理 來源: 題型:
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:
在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,如圖所示。已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出。在電場和磁場中運(yùn)動時,離子P+和P3+
A.在電場中的加速度之比為1:1
B.在磁場中運(yùn)動的半徑之比為:1
C.在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1 : 2
D.離開電場區(qū)域時的動能之比為1 : 3
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:
在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出.在電場和磁場中運(yùn)動時,離子P+和P3+( )
A.在電場中的加速度之比為1∶1
B.在磁場中運(yùn)動的半徑之比為∶1
C.在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1∶2
D.離開電場區(qū)域時的動能之比為1∶3
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源:2013年浙江省高考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報專區(qū) | 電信詐騙舉報專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報專區(qū)
違法和不良信息舉報電話:027-86699610 舉報郵箱:58377363@163.com