9.如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場Ⅰ和Ⅱ,兩電場的邊界均是邊長為三的正方形(不計(jì)電子所受重力)已知電子的質(zhì)量為肌,電荷量的大小為e,求:
(1)在該區(qū)域AB 邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開電場Ⅰ時(shí)的速度大;
(2)在該區(qū)域AB 邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置;
(3)若將左側(cè)電場Ⅱ整體水平向右移動(dòng)$\frac{L}{n}$(n≥1),使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動(dòng)),求在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.(可寫出坐標(biāo) x,y滿足的軌跡方程)

分析 (1)電子在電場Ⅰ區(qū)域的加速運(yùn)動(dòng),由動(dòng)能定理可以求出電子的速度.
(2)電子在電場Ⅱ區(qū)域內(nèi)做類平拋運(yùn)動(dòng),用類平拋的知識(shí)可求出偏轉(zhuǎn)距離,從而得到電子離開ABCD區(qū)域的位置.
(3)該問分為三個(gè)階段,一是在電場I中的直線加速運(yùn)動(dòng),二是在電場II中的類平拋運(yùn)動(dòng),三是從電場II射出后的勻速直線運(yùn)動(dòng),結(jié)合第二問的解題思路,可求出結(jié)果

解答 解:(1)電子在電場I中做勻加速直線運(yùn)動(dòng),
由動(dòng)能定理得:eEL=$\frac{1}{2}$mv02-0,解得:v0=$\sqrt{\frac{2eEL}{m}}$;
(2)電子在電場II中做類平拋運(yùn)動(dòng),
水平方向:L=v0t,
豎直方向:$\frac{L}{2}$-y=$\frac{1}{2}$at2=$\frac{1}{2}$$\frac{eE}{m}$t2,
解得:y=$\frac{1}{4}$L,
電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,$\frac{1}{4}$L);
(3)設(shè)電子從(x,y)點(diǎn)釋放,在電場I中加速到v,
進(jìn)入電場II后做類平拋運(yùn)動(dòng),然后電子做勻速直線運(yùn)動(dòng),經(jīng)過D點(diǎn),
則有:eEx=$\frac{1}{2}$mv2-0,
y-y′=$\frac{1}{2}$at2=$\frac{1}{2}$$\frac{eE}{m}$$(\frac{L}{v})^{2}$,
vy=at=$\frac{eE}{m}$$\frac{L}{v}$,
y′=vy×$\frac{L}{nv}$,
解得:xy=L2($\frac{1}{2n}$+$\frac{1}{4}$),即在電場I區(qū)域內(nèi)滿足方程的點(diǎn)即為所求位置;
答:(1)在該區(qū)域AB 邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開電場Ⅰ時(shí)的速度大小為$\sqrt{\frac{2eEL}{m}}$;
(2)在該區(qū)域AB 邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開ABCD區(qū)域的位置為(-2L,$\frac{1}{4}$L);
(3)若將左側(cè)電場Ⅱ整體水平向右移動(dòng)$\frac{L}{n}$(n≥1),使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動(dòng)),在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置,坐標(biāo) x,y滿足的軌跡方程為:xy=L2($\frac{1}{2n}$+$\frac{1}{4}$).

點(diǎn)評(píng) 本題實(shí)際是加速電場與偏轉(zhuǎn)電場的組合,對于加速往往根據(jù)動(dòng)能定理研究速度.對于類平拋運(yùn)動(dòng),運(yùn)用運(yùn)動(dòng)的分解法研究.要有分析和處理較為復(fù)雜的力電綜合題的能力.

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