分析 粒子在圓形磁場區(qū)域內(nèi)做勻速圓周運動,涉及兩圓相交的幾何知識,最能考察數(shù)學(xué)應(yīng)用能力.
(1)根據(jù)粒子1從A點沿AO射入,從C點射出,可以知道粒子的軌道半徑為R,從而求得磁感應(yīng)強(qiáng)度.
(2)粒子2只是入射方向不同,根據(jù)半徑相同的兩圓相交的性質(zhì)得到:粒子2出射方向恰與MN垂直.出射點與MN的水平距離為R-Rcos30°,所以水平勻速直線運動的位移除以速度得到第二階段的時間.水平進(jìn)入電場后又做類平拋運動,根據(jù)水平位移求出時間.
解答 解:(1)粒子1從A射入從C點射出,由幾何關(guān)系得到粒子1在磁場區(qū)域做勻速圓周運動的半徑:
r1=R ①
對粒子1在磁場中有:
$q{v}_{0}B=\frac{{{mv}_{0}}^{2}}{{r}_{1}}$ ②
聯(lián)立得:$B=\frac{m{v}_{0}}{qR}$.
(2)粒子2以AO成30°入射,也做半徑為r2=R的勻速圓周運動,
根據(jù)相交圓的性質(zhì)知:粒子2轉(zhuǎn)過60°從D點射出,在磁場里所用時間為:
${t}_{1}=\frac{1}{6}T=\frac{πR}{3{v}_{0}}$
由于粒子2開始與豎直方向成30°入射,又轉(zhuǎn)過60°,則離開磁場時速度方向恰與MN垂直.那么在MP之間做勻速直線運動的時間為:
${t}_{2}=\frac{MP+R-Rcos30°}{{v}_{0}}=\frac{R}{{v}_{0}}$
進(jìn)入電場后做類平拋運動,時間為
${t}_{3}=\frac{R}{{v}_{0}}$
所以總時間為$t={t}_{1}+{t}_{2}+{t}_{3}=\frac{π+6}{3{v}_{0}}R$
答:(1)圓形磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為$\frac{m{v}_{0}}{qR}$.
(2)粒子2從進(jìn)入磁場到熒光屏所用時間為$\frac{π+6}{3{v}_{0}}R$
點評 本題的難點在于粒子2進(jìn)入磁場區(qū)域的出射點問題,涉及到相交圓的性質(zhì)定理,易錯點在于離開磁場后水平勻速直線運動運動的位移,這又考察到幾何知識.至于在電場中的運動,根據(jù)水平位移就可求出時間.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0.2 N,0.3 N | B. | 0.3 N,0.2 N | C. | 0.3 N,0.3 N | D. | 0.4 N,0.3 N |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 質(zhì)點從P到N過程中,重力勢能的減小量大于電勢能的增加量 | |
B. | 質(zhì)點在電場中運動時所受電場力的大小為重力的兩倍 | |
C. | 若將A板向上平移一小段距離,質(zhì)點自P點自由下落后將不能返回 | |
D. | 若將B板向下平移一小段距離,質(zhì)點自P點自由下落后將穿過N孔繼續(xù)下落 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 滑塊電勢能的增加量大于滑塊重力勢能的減少量 | |
B. | 滑塊到達(dá)最低點的過程中,克服彈簧彈力做功$\frac{1}{2}$mv2 | |
C. | 滑塊動能的變化量等于電場力和重力做功的代數(shù)和 | |
D. | 當(dāng)滑塊的加速度最大時,滑塊和彈簧組成的系統(tǒng)機(jī)械能最小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | G1<G2<G3 | B. | G1=G2>G3 | C. | B=$\frac{1}{L}$$\sqrt{\frac{({G}_{3}-{G}_{1})R}{v}}$ | D. | B=$\frac{1}{L}$$\sqrt{\frac{({G}_{3}-{G}_{2})R}{v}}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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