如圖所示,水平的平行虛線間距為d,其間有磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場.一個長方形線圈的邊長分別為L1、L2,且L2<d,線圈質(zhì)量m,電阻為R.現(xiàn)將線圈由靜止釋放,測得當線圈的下邊緣到磁場上邊緣的距離為h時,其下邊緣剛進入磁場和下邊緣剛穿出磁場時的速度恰好相等.求:
(1)線圈剛進入磁場時的感應(yīng)電流的大。
(2)線圈從下邊緣剛進磁場到下邊緣剛出磁場(圖中兩虛線框所示位置)的過程做何種運動,求出該過程最小速度v;
(3)線圈進出磁場的全過程中產(chǎn)生的總焦耳熱Q
分析:(1)線圈進入磁場前做自由落體運動,根據(jù)機械能守恒求出線圈剛進入磁場時的速度v0,由E=BLv0、I=
E
R
求感應(yīng)電流.
(2)線框進入磁場的過程做加速度減小的減速運動,完全進入磁場后做加速度為g的勻加速運動,則知3位置時線圈速度最小,由運動學(xué)公式求解位置3的速度,即得到最小速度.
(3)線圈完全處于磁場中時不產(chǎn)生電熱,線圈進入磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q就是線圈從圖中2位置到4位置產(chǎn)生的電熱,而2、4位置動能相同,由能量守恒定律求解Q.
解答:解:(1)根據(jù)機械能守恒得
mgh=
1
2
m
v
2
0
,得v0=
2gh

感應(yīng)電動勢 E=BL1v0,
由閉合電路歐姆定律得 I=
E
R
=
BL1
2gh
R

(2)線框進入磁場的過程做加速度減小的減速運動,完全進入磁場后做加速度為g的勻加速運動,則知3位置時線圈速度最小,則有
 
v
2
0
-v2=2g(d-L2)
,
v=
2g(h+L2-d)

(3)由于線圈完全處于磁場中時不產(chǎn)生電熱,線圈進入磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q就是線圈從圖中2位置到4位置產(chǎn)生的電熱,而2、4位置動能相同.
由能量守恒Q=mgd
由對稱性可知:Q=2Q=2mgd
答:
(1)線圈剛進入磁場時的感應(yīng)電流的大小是
BL1
2gh
R

(2)線圈從下邊緣剛進磁場到下邊緣剛出磁場的過程中最小速度v是
2gh(h+L2-d)
;
(3)線圈進出磁場的全過程中產(chǎn)生的總焦耳熱Q是2mgd.
點評:本題要根據(jù)受力情況分析線框的運動情況,關(guān)鍵分析安培力與重力的關(guān)系.求熱量,往往根據(jù)能量守恒研究.
練習(xí)冊系列答案
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(2008?陽江一模)如圖所示,水平的平行虛線間距為d=50cm,其間有B=1.0T的勻強磁場.一個正方形線圈邊長為l=10cm,線圈質(zhì)量m=100g,電阻為R=0.20Ω.開始時,線圈的下邊緣到磁場上邊緣的距離為h=80cm.將線圈由靜止釋放,其下邊緣剛進入磁場和剛穿出磁場時的速度相等.取g=10m/s2,
求:(1)線圈下邊緣剛進入磁場時,線圈產(chǎn)生電流的大小和方向;
(2)線圈進入磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,水平的平行虛線間距為d=50cm,其間有B=1.0T的勻強磁場.一個正方形線圈abcd邊長為L=10cm,線圈質(zhì)量m=100g,電阻為R=0.02Ω.開始時,線圈的下邊緣到磁場上邊緣的距離為h=80cm.將線圈由靜止釋放,其下邊緣剛進入磁場和剛穿出磁場時的速度相等.取g=10m/s2,求:(1)線圈cd邊穿過磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q
(2)線圈ab邊穿越磁場過程中加速度的最小值a.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,水平的平行虛線間距為d,其間有磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場,方向垂直紙面向里.一個正方形線框的邊長為L,且L<d,線框質(zhì)量m,電阻為R.現(xiàn)將線框由靜止釋放,若線框的下邊緣進入磁場后線框剛好作勻速運動.
(1)線框剛進入磁場時的感應(yīng)電流的大小及方向;
(2)線框剛開始下落時下邊緣到磁場上邊緣豹距離.
(3)若線框上邊緣剛穿出磁場時的速度與線框進入磁場的速度恰好相等,求線框進出磁場的全過程中產(chǎn)生的總焦耳熱.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,水平的平行虛線間距為d,其間有磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場.一個正方形線框邊長為l(d>l),質(zhì)量為m,電阻為R.開始時,線框的下邊緣到磁場上邊緣的距離為h.將線框由靜止釋放,其下邊緣剛進入磁場時,線框的加速度恰為零.則線框進入磁場的過程和從磁場下邊穿出磁場的過程相比較,有(  )
A、產(chǎn)生的感應(yīng)電流的方向相同B、所受的安培力的方向相反C、進入磁場的過程中產(chǎn)生的熱量小于穿出磁場的過程中產(chǎn)生的熱量D、進入磁場過程所用的時間大于穿出磁場過程中所用的時間

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