【題目】如圖,abcd 是一個質(zhì)量為 m,邊長為 L 的正方形金屬線框,從圖示位置自由下落,在下落 h 后進入磁感應(yīng)強度為 B 的勻強磁場,恰好做勻速直線運動,該磁場的寬度也為 L.在這個磁場的正下方 h+L 處以下,還充滿一個強度未知的勻強磁場(寬度足夠?qū)挘覉D中未畫出),金屬線框 abcd 在進入這個磁場時也恰好做勻速直線運動。(不計空氣阻力影響)

求:(1)線框 cd 邊剛進入未知磁場時的速度大?

2)未知磁場的磁感應(yīng)強度大小?

3)線框從開始下落到完全進入未知磁場的全過程中,產(chǎn)生的電能是多少?

【答案】(1)(2) ;(3)3mgL

【解析】

1)線框進入第一個磁場前做自由落體運動,機械能守恒,

由機械能守恒定律得:mghmv12

解得:v1 ,

線框離開第一個磁場后到進入第二個磁場前做勻加速運動,

由勻變速運動的速度位移公式得:v22v122gh

解得:v22;

2)線框進入第一個磁場過程所受安培力:FBIL ,

線框進入磁場過程做勻速直線運動,由平衡條件得:mg,

線框進入第二個磁場過程受到的安培力:F′=BIL

線框進入第二個磁場過程做勻速直線運動,由平衡條件得:

mg 解得,磁感應(yīng)強度:B′=

3)線框穿過兩個磁場時都做勻速直線運動,減少的重力勢能都轉(zhuǎn)化為電能,

線框從開始下落到完全進入未知磁場的全過程中,線框產(chǎn)生的電能:Emg2L+L)=3mgL;

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】為了測量木塊與木板間的動摩擦因數(shù)μ,某小組使用DIS位移傳感器設(shè)計了如圖甲所示實驗裝置,讓木塊從傾斜木板上一點A由靜止釋放,位移傳感器可以測出木塊到傳感器的距離.位移傳感器連接計算機,描繪出滑塊相對傳感器的距離x隨時間t的變化規(guī)律如圖乙所示.

(1)根據(jù)上述圖線,計算0.4 s時木塊的速度大小v______ m/s,木塊加速度a______ m/s2(結(jié)果均保留2位有效數(shù)字).

(2)在計算出加速度a后,為了測定動摩擦因數(shù)μ,還需要測量斜面的傾角θ(已知當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣?/span>g),那么得出μ的表達式是μ____________.(用aθ,g表示)

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖,用碰撞實驗器可以驗證動量守恒定理,即研究兩個小球在軌道水平部分碰撞前后的動量關(guān)系。

1)實驗中,直接測定小球碰撞前后的速度是不容易的,但是,可以通過僅測量______(填選項前的符號),間接地解決這個問題。

A.小球開始釋放高度h

B.小球拋出點距地面的高度H

C.小球做平拋運動的射程

2)圖甲中O點是小球拋出點在地面上的垂直投影。實驗時,先讓入射球m1多次從斜軌上S位置靜止釋放,找到其平均落地點的位置P,測量平拋射程OP.然后,把被碰小球m2靜置于軌道的水平部分,再將入射球m1從斜軌上S位置靜止釋放,與小球m2相碰,并多次重復(fù),分別找到m1、m2相碰后平均落地點的位置M、N。接下來需要測量是______(填選項前的符號)

A.用天平測量兩個小球的質(zhì)量m1、m2

B.測量小球m1開始釋放的高度h

C.測量拋出點距地面的高度H

D.測量平拋射程OMON

3)若兩球相碰前后的動量守恒,其表達式可表示為______[用(2)中測量的量表示]

4)經(jīng)測定,m1=45.0g,m2=7.5g,小球落地點的平均位置距O點的距離如圖乙所示。碰撞前、后m1的動量分別為p1p1,則p1p1′=______11;若碰撞結(jié)束時m2的動量為p2,則p1p2′=______2.9.(均用分?jǐn)?shù)形式表示)

實驗結(jié)果說明,碰撞前、后總動量的比值______。

5)有同學(xué)認(rèn)為,上述實驗中僅更換兩個小球的材質(zhì),其他條件不變,可以使被碰小球做平拋運動的射程增大。請你用(4)中已知的數(shù)據(jù),分析和計算出被碰小球m2平拋運動射程ON的最大值為______cm

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】6分)一個靜止的鈾核,放在勻強磁場中,它發(fā)生一次衰變后變?yōu)殁Q核,衰變后,粒子和釷核都在勻強磁場中做勻速圓周運動,則以下判斷正確的是( )

A. 1粒子的徑跡,2是釷核的徑跡

B. 1是釷核的徑跡,2粒子的徑跡

C. 3粒子的徑跡,4是釷核的徑跡

D. 3是釷核的徑跡,4粒子的徑跡

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,在光滑的水平面上方,有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B,方向相反的水平勻強磁場,PQ為兩個磁場的理想邊界,磁場范圍足夠大。一個邊長為a、質(zhì)量為m、電阻為R的單匝正方形金屬線框,以速度v垂直磁場方向從如圖實線位置開始向右運動,當(dāng)線框運動到分別有一半面積在兩個磁場中的位置時,線框的速度為。則下列說法正確的是(

A. 在位置時線框中的電功率為

B. 此過程中回路產(chǎn)生的電能為mv2

C. 在位置時線框的加速度為

D. 此過程中通過導(dǎo)線橫截面的電荷量為

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】下列說法正確的是(

A. 愛因斯坦在光的粒子性的基礎(chǔ)上,建立了光電效應(yīng)方程

B. 康普頓效應(yīng)表明光子只具有能量,不具有動量

C. 玻爾的原子理論成功地解釋了氫原子光譜的實驗規(guī)律

D. 盧瑟福根據(jù)α粒子散射實驗提出了原子的核式結(jié)構(gòu)模型

E. 德布羅意指出微觀粒子的動量越大,其對應(yīng)的波長就越長

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】處于第 2 激發(fā)態(tài)的大量氫原子向低能級躍遷輻射多種頻率的光子,已知普朗克常量為 h,氫原子能級公式為 E=,不同軌道半徑為 r n =n2r1,E1為基態(tài)能量,r1為第軌道半徑, n=12,3….則下列說法中錯誤的是

A. 共產(chǎn)生 3 種頻率的光子

B. 電子由第 2 激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時,電勢能減小,動能增加,總能量減小

C. 處于第 2 激發(fā)態(tài)和處于基態(tài)電子做圓周運動線速度大小之比為 1:3

D. 產(chǎn)生光子最大波長為λm=

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】1是電子束加工工件的示意圖,電子槍產(chǎn)生熱電子后被高壓電源加速,經(jīng)聚焦系統(tǒng)會聚成很細的電子束,打在工件上產(chǎn)生高壓力和強能量,對工件進行加工。圖2是電子加速系統(tǒng),K是與金屬板M距離很近的燈絲,電源EAK加熱可以產(chǎn)生初速度不計的熱電子,N為金屬網(wǎng),MN接在輸出電壓恒為U的高壓電源EB上,M、N之間的電場近似為勻強電場。系統(tǒng)放置在真空環(huán)境中,通過控制系統(tǒng)排走工件上的多余電子,保證N與工件之間無電壓。正常工作時,若單位時間內(nèi)從K發(fā)出的電子數(shù)為n,經(jīng)M、N之間的電場加速后大多數(shù)電子從金屬網(wǎng)N的小孔射出,少部分電子打到金屬網(wǎng)絲上被吸收,從而形成回路電流,電流表的示數(shù)穩(wěn)定為I.已知電子的質(zhì)量為m、電量大小為e,不計電子所受的重力和電子之間的相互作用。求:

1)單位時間內(nèi)被金屬網(wǎng)N吸收的電子數(shù)n;若金屬網(wǎng)N吸收電子的動能全部轉(zhuǎn)化為內(nèi)能,則其發(fā)熱功率P為多少;

2)電子在聚焦時運動方向改變很小,可認(rèn)為垂直打到工件上時的速度與從N中射出時的速度相同,并假設(shè)電子打在工件上被工件全部吸收不反彈。求電子束打到工件表面時對工件的作用力F大;并說明為增大這個作用力,可采取的合理可行的措施(至少說出兩點方法);

3)已知MN兩板間的距離為d,設(shè)在兩板之間與M相距xx+x的空間內(nèi)(△x足夠。╇娮訑(shù)為△N,求x的關(guān)系式。

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖,由U形管和細管連接的玻璃泡A、BC浸泡在溫度均為0℃的水槽中,B的容積是A/4倍。閥門SAB兩部分隔開.A內(nèi)為真空,BC內(nèi)都充有氣體.U形管內(nèi)左邊水銀柱比右邊的低50mm.打開閥門S,整個系統(tǒng)穩(wěn)定后,U形管內(nèi)左右水銀柱高度相等。假設(shè)U形管和細管中的氣體體積遠小于玻璃泡的容積。

(i)求玻璃泡C中氣體的壓強(mmHg為單位)

(ii)將右側(cè)水槽的水從0℃加熱到一定溫度時,U形管內(nèi)左右水銀柱高度差又為40mm,求加熱后右側(cè)水槽的水溫。

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