分析 (1)從釋放裝置到線框的下邊運(yùn)動(dòng)到磁場(chǎng)的上邊界MN過(guò)程中,用動(dòng)能定理可求線框所受安培力對(duì)線框做功的大小為W,此功的數(shù)值等于線框中產(chǎn)生的熱量
(2)裝置往復(fù)運(yùn)動(dòng)的最高位置:線框的上邊位于磁場(chǎng)的下邊界,此時(shí)金屬棒距磁場(chǎng)上邊界d;往復(fù)運(yùn)動(dòng)到最低位置時(shí),金屬棒在磁場(chǎng)內(nèi),設(shè)距離上邊界x,根據(jù)棒所受安培力做功等于裝置的重力做功建立聯(lián)系,列方程求解.
解答 解:(1)裝置由靜止釋放到線框的下邊運(yùn)動(dòng)到磁場(chǎng)的上邊界MN過(guò)程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱為Q,由能量守恒得:
BIL•d-mgsinα•4d-Q=0
解得線框中產(chǎn)生的熱量為:Q=BILd-4mgdsinα
(2)裝置往復(fù)運(yùn)動(dòng)的最高位置:線框的上邊位于磁場(chǎng)的下邊界,此時(shí)金屬棒據(jù)磁場(chǎng)上邊界為d;裝置往復(fù)運(yùn)動(dòng)到最低位置時(shí):金屬棒在磁場(chǎng)內(nèi),設(shè)其距離上邊界為x,則有:mgsinα•(x+d)=BIL•x
解得:x=$\frac{mgdsinα}{BIL-mgsinα}$
最高位置與最低位置之間的距離為:s=x+d=$\frac{BILd}{BIL-mgsinα}$
答:(1)這一過(guò)程中線框中產(chǎn)生的熱量為BILd-4mgdsinα;
(2)穩(wěn)定后裝置運(yùn)動(dòng)的最高位置與最低位置之間的距離為$\frac{BILd}{BIL-mgsinα}$.
點(diǎn)評(píng) 本題要注意當(dāng)線框在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí),安培力做功從而產(chǎn)生熱量.要理解并掌握力和運(yùn)動(dòng)的關(guān)系、功與能的關(guān)系,運(yùn)用力學(xué)規(guī)律解決電磁感應(yīng)問(wèn)題.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 電場(chǎng)強(qiáng)度大小為5N/C,方向沿x軸負(fù)方向 | |
B. | 粒子的電荷量與質(zhì)量的比值$\frac{q}{m}$=1.25×106C/kg | |
C. | 粒子運(yùn)動(dòng)到x=-6cm處用時(shí)8×10-6s | |
D. | 粒子在x軸上x(chóng)=-2cm處的電勢(shì)能和x=2cm處的電勢(shì)能相等 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 圖示位置穿過(guò)線框的磁通量變化率不為零 | |
B. | 圖示位置開(kāi)始計(jì)時(shí)時(shí),線框中產(chǎn)生變電壓的表達(dá)式為μ=500$\sqrt{2}$sin(200t)V | |
C. | 變壓器原、副線圈匝數(shù)之比為50:11 | |
D. | 允許變壓器輸出的最大功率為2200W |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 球一定不受墻的彈力 | |
B. | 球一定受墻的彈力且水平向左 | |
C. | 球一定不受斜面的彈力 | |
D. | 球一定受斜面的彈力且垂直斜面向上 |
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