如圖所示,實(shí)線為一點(diǎn)電荷Q建立的電場中的幾條電場線(方向未標(biāo)出),虛線為一電子在電場中從M點(diǎn)運(yùn)動到N點(diǎn)的軌跡.若電子在運(yùn)動中只受電場力的作用,則下列判斷正確的是( 。
| A. | 建立電場的點(diǎn)電荷Q帶負(fù)電 |
| B. | 粒子在M點(diǎn)的加速度比在N點(diǎn)的加速度大 |
| C. | 粒子在M點(diǎn)的速度比在N點(diǎn)的速度大 |
| D. | 粒子在M點(diǎn)的電勢能比在N點(diǎn)的電勢能大 |
電場線;電場強(qiáng)度.. | |
專題: | 電場力與電勢的性質(zhì)專題. |
分析: | 由運(yùn)動的軌跡彎曲方向確定出電場力方向,根據(jù)離子的電性分析電場線的方向.根據(jù)電場力的方向與速度方向的夾角確定電場力做功的正負(fù),從而判斷出動能和勢能的大小關(guān)系. |
解答: | 解:A、由圖看出,電子的軌跡向下彎曲,其所受的電場力方向向上,故建立電場的點(diǎn)電荷Q帶正電,A錯誤; B、電場線的疏密表示電場強(qiáng)度的大小,M點(diǎn)電場線稀疏,所以離子在M點(diǎn)的電場力小,加速度也小,B錯誤; C、粒子從M到N,電場力做正功,動能增大.電勢能減小,所以離子在N點(diǎn)的速度大于在M點(diǎn)的速度,粒子在M點(diǎn)的電勢能比在N點(diǎn)的電勢能大,所以C錯誤D正確; 故選:D |
點(diǎn)評: | 在電場中根據(jù)帶電粒子運(yùn)動軌跡和電場線關(guān)系判斷電場強(qiáng)度、電勢、電勢能、動能等變化,這對學(xué)生是基本的要求,要重點(diǎn)掌握. |
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科目:高中物理 來源: 題型:
一根通有電流I的直銅棒用軟導(dǎo)線掛在如圖所示勻強(qiáng)磁場中,此時懸線中的張力大于零而小于銅棒的重力.欲使懸線中拉力為零,可采用的方法有( 。
| A. | 適當(dāng)增大電流,方向不變 | B. | 適當(dāng)減小電流,并使它反向 |
| C. | 電流大小、方向不變,適當(dāng)增強(qiáng)磁場 | D. | 使原電流反向,并適當(dāng)減弱磁場 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
待測電阻Rx的阻值約為20Ω,現(xiàn)要測量其阻值,實(shí)驗室提供器材如下:
A.電流表A1(量程150mA,內(nèi)阻r1約為10Ω);
|
C.電壓表V(量程15V,內(nèi)阻約為3000Ω);
D.定值電阻R0=100Ω;
E.滑動變阻器R(阻值范圍0~10Ω,允許最大電流1.0A);
F.電源(電動勢E=4V,內(nèi)阻不計);
G.開關(guān)S及導(dǎo)線若干。
(1)為了使測量結(jié)果準(zhǔn)確,要求測量時電表讀數(shù)變化范圍較大,且不得小于其量程的1/3,以上器材不合適的是_______(用器材前對應(yīng)的序號字母填寫)。
(2)利用其余的實(shí)驗器材,設(shè)計測量Rx的最佳實(shí)驗電路,將電路圖畫在實(shí)線框內(nèi)并標(biāo)明元件符號。
(3)實(shí)驗中需要測量的物理量有_______,待測電阻的表達(dá)式Rx=_________。
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科目:高中物理 來源: 題型:
下列說法正確的是 (填正確答案標(biāo)號。選對1個給3分,選對2個給4分,選對3個給6分,每選錯1個扣3分,最低得分為0分)。
A.顯微鏡下觀察到墨水中的小炭粒在不停的作無規(guī)則運(yùn)動,這反映了液體分子運(yùn)動的無規(guī)則性
B.分子間的相互作用力隨著分子間距離的增大,一定先減小后增大
C.分子勢能隨著分子間距離的增大,可能先減小后增大
D.在真空、高溫條件下,可以利用分子擴(kuò)散向半導(dǎo)體材料摻入其它元素
E.當(dāng)溫度升高時,物體內(nèi)每一個分子熱運(yùn)動的速率一定都增大
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,平行板間的勻強(qiáng)電場范圍內(nèi)存在著勻強(qiáng)磁場,帶電粒子以速度v0垂直電場從P點(diǎn)射入平行板間,恰好做勻速直線運(yùn)動,從Q飛出,忽略重力,下列說法正確的是( 。
| A. | 磁場方向垂直紙面向里 |
| B. | 磁場方向與帶電粒子的符號有關(guān) |
| C. | 帶電粒子從Q沿QP進(jìn)入,也能做勻速直線運(yùn)動 |
| D. | 粒子帶負(fù)電時,以速度v1從P沿PQ射入,從Q′飛出,則v1<v0 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
一個質(zhì)量m=0.1kg的正方形金屬框總電阻R=0.5Ω,金屬框放在表面絕緣且光滑的斜面頂端(金屬框上邊與AA′重合),自靜止開始沿斜面下滑,下滑過程中穿過一段邊界與斜面底邊BB′平行、寬度為d的勻強(qiáng)磁場后滑至斜面底端(金屬框下邊與BB′重合),設(shè)金屬框在下滑過程中的速度為v,與此對應(yīng)的位移為s,那么v2﹣s圖象如圖所示,已知勻強(qiáng)磁場方向垂直斜面向上,g=10m/s2.
(1)根據(jù)v2﹣s圖象所提供的信息,計算出斜面傾角θ和勻強(qiáng)磁場寬度d.
(2)金屬框從進(jìn)入磁場到穿出磁場所用的時間是多少?
(3)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度多大?
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科目:高中物理 來源: 題型:
一實(shí)驗小組用某種導(dǎo)電材料制作成電阻較小的線狀元件Z,并通過實(shí)驗研究該元件中的電流隨兩端電壓從零逐漸增大過程中的變化規(guī)律.
(1)該小組連成的實(shí)物電路如圖1所示,其中有兩處錯誤,請在錯誤的連線上打“×”,并在原圖上用筆畫出正確的連線.
(2)在實(shí)驗中應(yīng)選用的滑動變阻器是 A .
A.滑動變阻器R1 (0~5Ω 額定電流5A)
B.滑動變阻器R2 (0~20Ω 額定電流2A)
C.滑動變阻器R3 (0~100Ω 額定電流0.5A)
(3)實(shí)驗測得元件中的電流與電壓的關(guān)系如表所示,試在圖2方格紙中畫出電流與電壓的關(guān)系圖線.
U(V) | 0 | 0.40 | 0.50 | 0.60 | 0.70 | 0.80 | 1.00 | 1.20 |
I(A) | 0 | 0.20 | 0.30 | 0.40. | 0.55 | 0.75 | 1.25 | 1.80 |
(4)把元件Z接入如圖3所示的電路中,當(dāng)電阻R的阻值為2Ω時,電流表的讀數(shù)為1.25A;當(dāng)電阻R的阻值為3.6Ω時,電流表的讀數(shù)為0.80A.結(jié)合圖線,求出電池的電動勢為 4.1 V,內(nèi)阻為 0.47 Ω.(不計電流表的內(nèi)阻,結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)
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科目:高中物理 來源: 題型:
如(a)圖表示光滑平臺上,物體A以初速度v0滑到上表面粗糙的水平小車上,車與水平面間的動摩擦因數(shù)不計,重力加速度為 g,(b)圖為物體A與小車的v-t 圖像,由此可求出( )
A.小車上表面的長度
B.物體A與小車B的質(zhì)量之比
C.A與小車上B 上表面的動摩擦因數(shù)
D.小車B獲得的動能
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