A. | 從關(guān)系式E=I(R+r)可知,電源電動勢由通過它的電流I和電路的總電阻(R+r)共同決定 | |
B. | 從關(guān)系式R=$\frac{U}{I}$可知,導(dǎo)體的電阻跟導(dǎo)體兩端的電壓成正比,跟導(dǎo)體中的電流成反比 | |
C. | 從關(guān)系式I=$\frac{E}{R+r}$可知,電路中的電流跟電源電動勢成正比,跟電路的總電阻成反比 | |
D. | 從關(guān)系式R=$\frac{U}{I}$可知,對一個確定的導(dǎo)體來說,所加的電壓跟通過導(dǎo)體的電流的比值是一定值 |
分析 電源電動勢由電源本身決定,與外電路無關(guān).導(dǎo)體的電阻由導(dǎo)體本身決定,與電壓和電流無關(guān).電路中的電流跟電源電動勢成正比,跟電路的總電阻成反比.
解答 解:A、E=I(R+r)反映電源的電動勢與電流和整個電路總電阻的關(guān)系,但電源電動勢由電源本身決定,與外電路總電阻無關(guān).故A錯誤.
B、R=$\frac{U}{I}$是電阻的定義式,采用比值法定義,可知,導(dǎo)體的電阻由導(dǎo)體本身決定,與電壓和電流無關(guān),故B錯誤.
C、關(guān)系式I=$\frac{E}{R+r}$反映了電路中由什么量決定,由此式可知,電路中的電流跟電源電動勢成正比,跟電路的總電阻成反比,故C正確.
D、從關(guān)系式R=$\frac{U}{I}$可知,R由導(dǎo)體本身決定,對一個確定的導(dǎo)體來說,所加的電壓跟通過導(dǎo)體的電流的比值等于其電阻,是一定值,故D正確.
故選:CD
點(diǎn)評 解決本題的關(guān)鍵要明確關(guān)系式是定義式還是決定式,若是比值法定義出來的物理量,是與參與定義的物理量無關(guān)的.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電場方向與BC垂直 | |
B. | B點(diǎn)電勢是C點(diǎn)電勢的2倍 | |
C. | A、C兩點(diǎn)間電勢差是A、B兩點(diǎn)間電勢差的2倍 | |
D. | 圓環(huán)由A滑到C是圓環(huán)由A滑到B過程中電場力做功的2倍 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 2.0W | B. | 4.0W | C. | 5.0W | D. | 6.0W |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 16nL | B. | 8nL | C. | 4nL | D. | 2nL |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
功W | 0 | W | 2W | 3W | 4W | 5W | 6W |
v/(m•s-1) | 0 | 1.00 | 1.41 | 1.73 | 2.00 | 2.24 | 2.45 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 若等離子體從右方射入,上金屬板的電勢高 | |
B. | 若等離子體從左方射入,下金屬板的電勢高 | |
C. | 若等離子體從右方射入,CD段導(dǎo)線受到向左的安培力 | |
D. | 若等離子體從左方射入,GH段導(dǎo)線受到向右的安培力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
點(diǎn)跡 | s/m | △v2/m2•s2 |
O | / | / |
1 | 1.60 | 0.04 |
2 | 3.60 | 0.09 |
3 | 6.00 | 0.15 |
4 | 7.00 | 0.18 |
5 | 9.20 | 0.23 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 天然放射現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)揭示了原子核是可分的 | |
B. | 光電效應(yīng)現(xiàn)象中,極限頻率越大的金屬材料逸出功越大 | |
C. | 放射性元素的半衰期與原子所處的溫度、壓強(qiáng)有關(guān) | |
D. | 重核裂變反應(yīng)過程中出現(xiàn)質(zhì)量虧損會導(dǎo)致方程兩邊質(zhì)量數(shù)不守恒 | |
E. | 處于n=3能級狀態(tài)的一個氫原子自發(fā)躍遷時,能發(fā)出3種頻率的光子 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
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