如圖所示,R2是一個(gè)可變電阻器，R1和R3是定值電阻，C1和C2是固定電容器．滿(mǎn)足下面的哪個(gè)條件，當(dāng)R2的阻值變大時(shí)，C1、C2所帶電荷量的比值也變大？


  1. A.
    只要滿(mǎn)足R1<R3的條件
  2. B.
    只要滿(mǎn)足R1>R3的條件
  3. C.
    只要滿(mǎn)足C1>C2的條件
  4. D.
    既要R1<R3，又要C1>C2 
A
電路的結(jié)構(gòu)是R1、R2與R3串聯(lián)在電路中，電容器C1兩端的電壓等于電阻R1、R2兩端電壓之和，C2兩端的電壓等于電阻R2、R3兩端電壓之和．即
UC1=I(R1+R2)，UC2=I(R2+R3)．
兩電容器帶電荷量之比，
可以看出，當(dāng)電阻R2阻值變大時(shí)，只要滿(mǎn)足R1<R3的條件，C1、C2所帶電荷量的比值也變大．
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，是一個(gè)半徑為R的中國(guó)古代八卦圖，中央S部分是兩個(gè)半圓，練功人從A點(diǎn)出發(fā)沿相關(guān)路線(xiàn)進(jìn)行（不能重復(fù)），在最后又到達(dá)A點(diǎn)．求在整個(gè)過(guò)程中，此人所經(jīng)過(guò)的最大路程為
2πR
2πR
，最大位移為
2R
2R
．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2007?肇慶二模）受控核聚變裝置中有極高的溫度，因而帶電粒子將沒(méi)有通常意義上的“容器”可裝，而是由磁場(chǎng)約束帶電粒子運(yùn)動(dòng)使之束縛在某個(gè)區(qū)域內(nèi)．現(xiàn)按下面的簡(jiǎn)化條件來(lái)討論這個(gè)問(wèn)題：如圖所示的是一個(gè)截面為內(nèi)徑R1=0.6m、外徑R2=1.2m的環(huán)狀區(qū)域，區(qū)域內(nèi)有垂直于截面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)．已知氦核的荷質(zhì)比
q
m
=4.8×107c/hg，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.4T，不計(jì)帶電粒子重力．
（1）把氫核聚變反應(yīng)簡(jiǎn)化為4個(gè)氫核（
 
1
1
H）聚變成氦核（
 
4
2
He），同時(shí)放出2個(gè)正電子（
 
0
1
e）和2個(gè)中微子（v0），請(qǐng)寫(xiě)出該氫核聚變反應(yīng)的方程，并給出一次核反應(yīng)所釋放能量的表達(dá)式．（氫核、氦核及電子的質(zhì)量分別為mp、mα、me，光速為c）
（2）實(shí)踐證明，氦核在磁場(chǎng)區(qū)域內(nèi)沿垂直于磁場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)速度v的大小與它在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑r有關(guān)，試導(dǎo)出v與r的關(guān)系式；
（3）若氦核沿磁場(chǎng)區(qū)域的半徑方向平行于截面從A點(diǎn)射入磁場(chǎng)，畫(huà)出氦核在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)而不穿出外邊界的最大圓軌道示意圖；
（4）若氦核在平行于截面從A點(diǎn)沿各個(gè)方向射入磁場(chǎng)都不能穿出磁場(chǎng)外邊界，求氦核的最大速度．

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科目：高中物理 來(lái)源：高中物理復(fù)習(xí)題 題型：013

如圖所示,R2是一個(gè)可變電阻器，R1和R3是定值電阻，C1和C2是固定電容器．滿(mǎn)足下面的哪個(gè)條件，當(dāng)R2的阻值變大時(shí)，C1、C2所帶電荷量的比值也變大？

[　　]

A．只要滿(mǎn)足R1<R3的條件

B．只要滿(mǎn)足R1>R3的條件

C．只要滿(mǎn)足C1>C2的條件

D．既要R1<R3，又要C1>C2

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示,R2是一個(gè)可變電阻器，R1和R3是定值電阻，C1和C2是固定電容器．滿(mǎn)足下面的哪個(gè)條件，當(dāng)R2的阻值變大時(shí)，C1、C2所帶電荷量的比值也變大？

A．只要滿(mǎn)足R1<R3的條件

B．只要滿(mǎn)足R1>R3的條件

C．只要滿(mǎn)足C1>C2的條件

D．既要R1<R3，又要C1>C2

 

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