分析 (1)根據(jù)動(dòng)能定理求解帶電微粒經(jīng)U1=100V的電場加速后的速率;
(2)帶電微粒在偏轉(zhuǎn)電場中只受電場力作用,做類平拋運(yùn)動(dòng),運(yùn)用運(yùn)動(dòng)的分解法研究:在水平方向微粒做勻速直線運(yùn)動(dòng),在豎直方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式結(jié)合求解電場強(qiáng)度.帶電微粒進(jìn)入磁場后做勻速圓周運(yùn)動(dòng),軌跡對應(yīng)的圓心角就等于速度的偏向角,作出軌跡,得到軌跡的圓心角,由幾何知識求出軌跡半徑,由牛頓第二定律求解磁感應(yīng)強(qiáng)度的大。畡t可求得電場強(qiáng)度與磁感應(yīng)強(qiáng)度的比值.
解答 解:(1)帶電微粒經(jīng)加速電場加速后速度為v1,
根據(jù)動(dòng)能定理:qU1=$\frac{1}{2}m{v}_{1}^{2}$
得:v1=$\sqrt{\frac{2{U}_{1}q}{m}}$=1.0×104m/s
(2)帶電微粒在偏轉(zhuǎn)電場中只受電場力作用,做類平拋運(yùn)動(dòng).在水平方向微粒做勻速直線運(yùn)動(dòng).
水平方向:v1=$\frac{L}{t}$
帶電微粒在豎直方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),加速度為a,出電場時(shí)豎直方向速度為v2
豎直方向:a=$\frac{qE}{m}$
由幾何關(guān)系:tanθ=$\frac{{v}_{2}}{{v}_{1}}$,由題θ=60°
解得:E=10000V/m.
設(shè)帶電粒子進(jìn)磁場時(shí)的速度大小為v,則:$v=\frac{{v}_{1}}{cos60°}$=2×104m/s
由粒子運(yùn)動(dòng)的對稱性可知,入射速度方向過磁場區(qū)域圓心,則出射速度反向延長線過磁場區(qū)域圓心,粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,則軌跡半徑為:r=Rtan60°=0.3m
由:qvB=m$\frac{{v}^{2}}{r}$
得:B=$\frac{mv}{qr}$=0.13T
故$\frac{E}{B}$=$\frac{10000}{0.13}$=$\frac{1000000}{13}$
答:(1)帶電微粒經(jīng)U1=100V的電場加速后的速率是1.0×104m/s;
(2)電場強(qiáng)度與磁感應(yīng)強(qiáng)度的比值為:$\frac{1000000}{13}$
點(diǎn)評 本題考查帶電粒子在電場和磁場中的運(yùn)動(dòng)分析問題;解題的難點(diǎn)是作出粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡,根據(jù)幾何知識得到軌跡半徑與磁場邊界半徑的關(guān)系.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 該衛(wèi)星的運(yùn)行速度一定大于7.9km/s | |
B. | 該衛(wèi)星與同步衛(wèi)星的運(yùn)行半徑之比為1:4 | |
C. | 該衛(wèi)星與同步衛(wèi)星的運(yùn)行速度之比為2:1 | |
D. | 該衛(wèi)星的機(jī)械能一定大于同步衛(wèi)星的機(jī)械能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)物體做勻加速直線運(yùn)動(dòng)時(shí)V1>V2 | B. | 當(dāng)物體做勻減速直線運(yùn)動(dòng)時(shí)V1>V2 | ||
C. | 當(dāng)物體做勻加速直線運(yùn)動(dòng)時(shí)V1<V2 | D. | 當(dāng)物體做勻減速直線運(yùn)動(dòng)時(shí)V1<V2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | a、b之間一定存在靜摩擦力 | B. | 水平面對b的支持力可能大于2mg. | ||
C. | b對a的支持力一定等于mg | D. | b與水平面之間可能存在靜摩擦力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | Ea=Eb | B. | Ea=EO=Ec | C. | Ec=Ed | D. | Ec>EO>Ea |
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