分析 (1)根據(jù)平衡條件列方程求金屬棒的質(zhì)量;
(2)根據(jù)歐姆定律求出兩板間的電壓,進而得到場強,根據(jù)牛頓第二定律和運動學公式求微粒發(fā)生的位移大小.
解答 解:(1)a下滑h的過程中,由運動學規(guī)律有:v2=2gh
代入數(shù)據(jù)解得:v=10m/s
a進入磁場Ⅰ后,由平衡條件有:BIL=Mg
感應電動勢為:E=BLv=2×1×10V=20V
感應電流為:I=$\frac{E}{R+r}=\frac{20}{5+5}A=2A$,
解得:M=0.4kg.
(2)因磁場I、Ⅱ的磁感應強度大小相同,故a在磁場Ⅱ中也做勻速運動,a勻速穿過磁場中的整個過程中,電容器兩板間的電壓為:U=$\frac{RE}{R+r}=\frac{5×20}{10}V=10V$,
場強為:E′=$\frac{U}wgj0ukf=\frac{10}{1}V/m=10V/m$,
a穿越磁場I的過程中經(jīng)歷時間為:t1=$\frac{{h}_{1}}{v}=\frac{3}{10}s=0.3s$,
此過程下板電勢高,加速度為:a1=$\frac{qE′-mg}{m}$,
代入數(shù)據(jù)解得:${a}_{1}=10m/{s}^{2}$.方向豎直向上
末速度為:v1=a1t1=3m/s
向上位移為:x1=$\frac{1}{2}{a}_{1}{{t}_{1}}^{2}=\frac{1}{2}×10×0.09m=0.45m$,
a穿越磁場Ⅱ的過程中經(jīng)歷時間為:t2=$\frac{{h}_{2}}{v}=\frac{1}{10}s=0.1s$,
此過程中上板電勢高,加速度為:a2=$\frac{qE′+mg}{m}$,
代入數(shù)據(jù)解得:a2=30m/s2,方向豎直向下
末速度為:v2=v1-a2t2=0,故微粒運動方向始終未變
向上位移為:x2=v1t2-$\frac{1}{2}{a}_{2}{{t}_{2}}^{2}$,
代入數(shù)據(jù)解得:x2=0.15m,
得:x=x1+x2=0.45+0.15=0.60m
答:(1)金屬棒a的質(zhì)量M為0.4kg;
(2)在a穿越磁場的整個過程中,微粒發(fā)生的位移大小x為0.6m.
點評 本題是電磁感應與電路、力學知識的綜合,與電路聯(lián)系的關(guān)鍵點是感應電動勢,與力學聯(lián)系的關(guān)鍵點是靜電力.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 擴散現(xiàn)象說明物質(zhì)分子在做永不停息的無規(guī)則運動 | |
B. | 壓縮氣體時氣體會表現(xiàn)出抗拒壓縮的力是由于氣體分子間存在斥力的緣故 | |
C. | 兩個分子距離減小時,分子間引力和斥力都在增大 | |
D. | 如果兩個系統(tǒng)分別于第三個系統(tǒng)達到熱平衡,那么這兩個系統(tǒng)彼此之間也必定處于熱平衡,用來表征它們所具有的“共同熱學性質(zhì)”的物理量叫做內(nèi)能 | |
E. | 兩個分子間的距離為r0時,分子勢能最小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 偏轉(zhuǎn)電壓越高,偏轉(zhuǎn)角越小 | |
B. | 帶電粒子的質(zhì)量越大,偏轉(zhuǎn)角越大 | |
C. | 帶電粒子的電量越少,偏轉(zhuǎn)角越大 | |
D. | 帶電粒子的初速度越大,偏轉(zhuǎn)角越小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 甲電路電源內(nèi)部產(chǎn)生熱量較多 | B. | 乙電路外電阻R產(chǎn)生熱量較少 | ||
C. | 乙電路電源做功較多 | D. | 甲電路電源效率較高 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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