如圖所示，有一個正方形ABCD，E、F分別為BC和CD的中點，有一個小球從A點由靜止開始沿著三個光滑斜面AC、AE、AF分別下滑到C、E、F三點，所用時間依次表示為t1、t2、t3，則


  1. A.
    t1＞t2＞t3
  2. B.
    t2＞t1＞t3
  3. C.
    t3＞t1＞t2
  4. D.
    以上判斷均不正確
C
分析：根據(jù)幾何關(guān)系求出斜面AC、AE、AF的長度，小球沿斜面AC、AE、AF做勻加速直線運動，根據(jù)受力情況求出加速度，再根據(jù)勻加速直線運動位移時間公式即可求出時間．
解答：設(shè)正方形的邊長為l，斜面AC、AE、AF與AD的夾角分別為θ1、θ2、θ3，根據(jù)幾何關(guān)系可知：AC=、AE=AF=，
根據(jù)牛頓第二定律得：=5m/s，=m/s，=
小球沿斜面AC、AE、AF做勻加速直線運動，根據(jù)運動學(xué)基本公式得：
x=
解得：t=
所以，，
所以t3＞t1＞t2
故選C
點評：本題主要考查了牛頓第二定律及勻加速直線運動位移時間公式的直接應(yīng)用，要比較某個量的關(guān)系，可以把這個物理量表示出來進行比較，難度適中．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?開封一模）如圖所示，有一個等腰直角三角形的勻強磁場區(qū)域，其直角邊長為L，磁場方向垂直紙面向外，磁感應(yīng)強度大小為B．一邊長為L總電阻為R的正方形導(dǎo)線框abcd，從圖示位置開始沿x軸正方向以速度v勻速穿過磁 場區(qū)域．取沿a→b→c→d→a的感應(yīng)電流為正，則表示線框中電流i隨bC邊的位置坐標(biāo)x變化的圖象正確的是（　　）

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科目：高中物理 來源： 題型：

在直角坐標(biāo)系xOy中，有一半徑為R的圓形勻強磁場區(qū)域，磁感應(yīng)強度為B，磁場方向垂直xOy平面指向紙面內(nèi)，該區(qū)域的圓心坐標(biāo)為（R，0），如圖所示，有一個質(zhì)量為m、帶電荷量為-q的離子，由靜止經(jīng)電場加速后從點（0，
R2
）沿x軸正方向射入磁場，離子從射入到射出磁場通過了該磁場的最大距離，不計重力影響．求：
（1）離子在磁場區(qū)域經(jīng)歷的時間；   
（2）加速電場的加速電壓U．

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，有一個等腰直角三角形的勻強磁場區(qū)域，其直角邊長為L，磁場方向垂直紙面向外，磁感應(yīng)強度大小為B．邊長為L、總電阻為R的正方形導(dǎo)線框abcd，從圖示位置開始沿x軸正方向以速度v勻速穿過磁場區(qū)域．取沿a→b→c→d→a的感應(yīng)電流為正，則下圖中表示線框中電流i隨bc邊的位置坐標(biāo)x變化的圖象正確的是（　　）
A、精英家教網(wǎng)B、精英家教網(wǎng)C、精英家教網(wǎng)D、精英家教網(wǎng)

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年北京市海淀區(qū)高三上學(xué)期期末考試物理試卷（解析版） 題型：選擇題

霍爾式位移傳感器的測量原理如圖所示，有一個沿z軸方向均勻變化的勻強磁場，磁感應(yīng)強度B=B0+kz(B0、k均為常數(shù))。將霍爾元件固定在物體上，保持通過霍爾元件的電流I不變(方向如圖所示)，當(dāng)物體沿z軸正方向平移時，由于位置不同，霍爾元件在y軸方向的上、下表面的電勢差U也不同。則(    )

A.磁感應(yīng)強度B越大，上、下表面的電勢差U越大

B.k越大，傳感器靈敏度()越高

C.若圖中霍爾元件是電子導(dǎo)電，則下板電勢高

D.電流，越大，上、下表面的電勢差U越小

 

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年北京市海淀區(qū)高三第一學(xué)期期末考試物理試卷（解析版） 題型：選擇題

霍爾式位移傳感器的測量原理如圖所示，有一個沿z軸方向均勻變化的勻強磁場，磁感應(yīng)強度B=B0+kz(B0、k均為常數(shù))。將霍爾元件固定在物體上，保持通過霍爾元件的電流I不變(方向如圖9所示)，當(dāng)物體沿z軸正方向平移時，由于位置不同，霍爾元件在y軸方向的上、下表面的電勢差U也不同。則    (    )

A.磁感應(yīng)強度B越大，上、下表面的電勢差U越大

B.k越大，傳感器靈敏度()越高

C.若圖中霍爾元件是電子導(dǎo)電，則下板電勢高

D.電流越大，上、下表面的電勢差U越小

 

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