A. | 剛進入磁場時,ab邊感應(yīng)電流的方向由a至b | |
B. | 剛進入磁場時,abcd框克服安培力做功的功率為$\frac{13mg\sqrt{10gL}}{100}$ | |
C. | 兩導(dǎo)線框的電阻均為$\frac{{B}^{2}{L}^{2}}{mg}$$\sqrt{10gl}$ | |
D. | 從開始運動到cd邊剛好離開磁場,經(jīng)歷的時間為2$\sqrt{\frac{10L}{g}}$ |
分析 根據(jù)右手定則判斷感應(yīng)電流的方向;對兩個線框整體根據(jù)動能定理列式求解進入磁場時的速度,根據(jù)平衡條件列式求解安培力,根據(jù)安培力公式、歐姆定律和切割公式求解電阻;根據(jù)運動學(xué)公式求解從開始運動到cd邊剛好離開磁場過程經(jīng)歷的時間.
解答 解:A、ab邊剛進入磁場時,根據(jù)右手定則,感應(yīng)電流的方向由b至a,故A錯誤;
B、對兩個框整體,到達磁場區(qū)域前過程,根據(jù)動能定理,有:
mgsin53°L-μmgL-μmgcos53°L=$\frac{1}{2}(2m){v}^{2}$,
解得:v=$\sqrt{0.4gL}$;
進入磁場后是勻速運動,對兩個框整體,根據(jù)平衡條件,有:
mgsin53°-μmg-μmgcos53°-2FA=0,
解得:FA=0.2mg,
故abcd框克服安培力做功的功率:P=FAv=0.2mg•$\sqrt{0.4gL}$,故B錯誤;
C、根據(jù)E=BLv、I=$\frac{E}{R}$、FA=BIL,有:FA=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,
由于FA=0.2mg,v=$\sqrt{0.4gL}$;故R=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}}{mg}\sqrt{10gl}$,故C正確;
D、勻加速過程,根據(jù)平均速度公式,有:L=$\frac{v}{2}{t}_{1}$,
勻速過程,時間:${t}_{2}=\frac{L}{v}$,
由于v=$\sqrt{0.4gL}$,t=t1+t2,
聯(lián)立解得:t=3$\sqrt{\frac{5L}{2g}}$,故D錯誤;
故選:C
點評 本題關(guān)鍵是明確兩個線框系統(tǒng)的受力情況和運動情況,結(jié)合動能定理、平衡條件、安培力公式、切割公式列式分析,難度較大.
科目:高中物理 來源: 題型:實驗題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | M的加速度比N的加速度大 | |
B. | M在斜面上運動的時間更長 | |
C. | M到達水平地面時的速度比N到達水平地面時的速度大 | |
D. | M克服摩擦力所做的功必比N克服摩擦力所做的功小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 帶電小球沿斜面向上滑動 | |
B. | R的電功率變小 | |
C. | 伏特表示數(shù)變小 | |
D. | 導(dǎo)體棒有向左運動的趨勢,且對導(dǎo)軌的壓力變大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 要使炮彈沿導(dǎo)軌向右發(fā)射,必須通以自 M 向 N 的電 流 | |
B. | 要使炮彈沿導(dǎo)軌向右發(fā)射,必須通以自 N 向 M 的電流 | |
C. | 要想提高炮彈的發(fā)射速度,可適當(dāng)增大電流或磁感應(yīng)強度 | |
D. | 使電流和磁感應(yīng)強度的方向同時反向,炮彈的發(fā)射方向亦將隨之反向 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電磁波是電磁場由產(chǎn)生的區(qū)域向遠處傳播形成的 | |
B. | 在真空中電磁波的傳播速度小于真空中的光速 | |
C. | 空間有變化的電場(或磁場)存在,一定能形成電磁波 | |
D. | 把手機放在抽成真空的玻璃盒中,手機接收不到電磁波的信號,所以撥打該手機號碼,手機不會響鈴(或振動) |
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科目:高中物理 來源: 題型:實驗題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | FB=35N,fB=5$\sqrt{3}$N | B. | FB=35N,fB=0 | C. | FB=30N,fB=0 | D. | FB=30N,fB=5$\sqrt{3}$N |
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