單匝閉合線框在勻強(qiáng)磁場中，繞垂直于磁場方向的轉(zhuǎn)軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。在轉(zhuǎn)動(dòng)的過程中，線框中的最大磁通量為φm，最大感應(yīng)電動(dòng)勢為Em，下列說法中錯(cuò)誤的是


  1. A.
    當(dāng)穿過線框的磁通量為零時(shí)，線框中感應(yīng)電動(dòng)勢也為零
  2. B.
    當(dāng)穿過線框的磁通量減小時(shí)，線框中感應(yīng)電動(dòng)勢也減小
  3. C.
    當(dāng)穿過線框的磁通量等于0.5φm時(shí)，線框中感應(yīng)電動(dòng)勢不等于0.5Em
  4. D.
    線框轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度等于Em /φm
AB
試題分析：當(dāng)穿過線框的磁通量為零時(shí)，此時(shí)線圈平行于磁場，磁通量變化率最大，感應(yīng)電動(dòng)勢最大，A錯(cuò)誤，感應(yīng)電動(dòng)勢和磁通量大小無關(guān)，只和磁通量變化率有關(guān)，B錯(cuò)誤；C正確；最大感應(yīng)電動(dòng)勢為，最大磁通量，所以，故，D正確；
讓選錯(cuò)誤的；故選AB
考點(diǎn)：考查了交流電的產(chǎn)生
點(diǎn)評：本題就是考查學(xué)生對最大感應(yīng)電動(dòng)勢為Em和最大磁通量 фm的理解，應(yīng)用公式可直接求出．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2008?北京）均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質(zhì)量為m，將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處，如圖所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行，當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí)．
（1）求cd兩點(diǎn)間的電勢差大小；
（2）若此時(shí)線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?永康市模擬）均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長L=0.1m，總電阻R=0.1Ω，總質(zhì)量為m=0.1kg．將其置于磁感強(qiáng)度B=1.0T的水平勻強(qiáng)磁場上方h處，如圖所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行，取g=10m/s2．
（1）當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，線框做勻速直線運(yùn)動(dòng)，求線框下落的高度h；
（2）線框進(jìn)入磁場過程中的電功率P；
（3）若磁場的寬度等于L，從cd剛進(jìn)入磁場到ab完全離開磁場的過程中，試在答題卷的坐標(biāo)紙中畫出cd兩點(diǎn)間的電勢差Ucd與時(shí)間的關(guān)系圖線，在圖象中注明關(guān)鍵點(diǎn)的數(shù)據(jù)（不要求書寫求解過程）；
（4）為了減小下落的高度就能使線框剛進(jìn)入磁場時(shí)就做勻速直線運(yùn)動(dòng)，三個(gè)同學(xué)各自提出了方案：
甲：用同種規(guī)格的導(dǎo)線，做成邊長為2L的單匝線框；
乙：用同種材料但粗一些的導(dǎo)線，做成邊長仍為L的單匝線框；
丙：用同種規(guī)格的導(dǎo)線，做成邊長仍為L的雙匝線框；
對上述三位同學(xué)的方案，請給出你的評價(jià)．

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年江西省高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質(zhì)量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場區(qū)，磁場區(qū)高度為2L，磁場方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場區(qū)．對此，下列說法中正確的是

A．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)閍→b→c→d→a        

B．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為

C．線圈在磁場以上，下落的高度為

D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

 

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質(zhì)量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場區(qū)，磁場區(qū)高度為2L，磁場方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場區(qū)．對此，下列說法中正確的是

A．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)?i>a→b→c→d→a　　　　

B．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為

C．線圈在磁場以上，下落的高度為

D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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科目：高中物理 來源：2012屆江西省贛州三中、于都中學(xué)高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷（帶解析） 題型：單選題

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質(zhì)量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場區(qū)，磁場區(qū)高度為2L，磁場方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場區(qū)．對此，下列說法中正確的是

A．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)閍→b→c→d→a
B．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為
C．線圈在磁場以上，下落的高度為
D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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