如圖所示,由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無(wú)初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動(dòng).在線框的下方,有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū),磁場(chǎng)區(qū)高度為2L,磁場(chǎng)方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū).對(duì)此,下列說(shuō)法中正確的是
A.線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),感應(yīng)電流的方向?yàn)?i>a→b→c→d→a
B.線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),a、b兩點(diǎn)間的電壓為
C.線圈在磁場(chǎng)以上,下落的高度為
D.線圈從開(kāi)始下落到ab邊剛好離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年黑龍江哈爾濱第六中學(xué)高二下學(xué)期期中考試物理試卷(帶解析) 題型:單選題
如圖所示,由粗細(xì)均勻的電阻絲制成的邊長(zhǎng)為l的正方形線框abcd,其總電阻為R,現(xiàn)使線框以水平向右的速度v勻速穿過(guò)一寬度為2l、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,整個(gè)過(guò)程中ab、cd兩邊始終保持與磁場(chǎng)邊界平行。令線框的cd邊剛好與磁場(chǎng)左邊界重合時(shí)t=0,電流沿abcda流動(dòng)的方向?yàn)檎?i>u0=Blv。線框中a、b兩點(diǎn)間電勢(shì)差uab隨線框cd邊的位移x變化的圖象正確的是( )
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科目:高中物理 來(lái)源:2014屆黑龍江哈爾濱第六中學(xué)高二下學(xué)期期中考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,由粗細(xì)均勻的電阻絲制成的邊長(zhǎng)為l的正方形線框abcd,其總電阻為R,現(xiàn)使線框以水平向右的速度v勻速穿過(guò)一寬度為2l、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,整個(gè)過(guò)程中ab、cd兩邊始終保持與磁場(chǎng)邊界平行。令線框的cd邊剛好與磁場(chǎng)左邊界重合時(shí)t=0,電流沿abcda流動(dòng)的方向?yàn)檎?i>u0=Blv。線框中a、b兩點(diǎn)間電勢(shì)差uab隨線框cd邊的位移x變化的圖象正確的是( )
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