一個(gè)氫離子以速度v垂直電場方向飛入平行板電容器的兩板間，它飛離電場時(shí)的偏轉(zhuǎn)距離為d.如果換成一個(gè)兩價(jià)氦離子以速度2v沿同樣的方向飛入該電場，則飛離電場時(shí)的偏轉(zhuǎn)距離為________.

解析：偏距y=at2=，則有y∝,求得.

答案：d/8

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個(gè)氫離子以速度v垂直電場方向飛入平行板電容器的兩板間，它飛離電場時(shí)的偏轉(zhuǎn)距離為d．如果換成一個(gè)兩價(jià)氦離子以速度2v沿同樣的方向飛入該電場，則飛離電場時(shí)的偏轉(zhuǎn)距離為多大？

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一個(gè)負(fù)粒子，質(zhì)量為m，電量為q，以速度v垂直于屏S經(jīng)過小孔O射入存在著勻強(qiáng)磁場的真空室中，如圖所示，磁感應(yīng)強(qiáng)度B的方向與離子的運(yùn)動(dòng)方向垂直，并垂直紙面向里，求：離子進(jìn)入磁場后到達(dá)屏上的位置與O點(diǎn)的距離和該過程的運(yùn)動(dòng)時(shí)間。

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(7分)一個(gè)氫離子以垂直于電場方向的速度飛入平行板電容器的兩極板間的電場，它飛離電場時(shí)的偏轉(zhuǎn)距離為。如果換成一個(gè)電荷量是氫離子的2倍、質(zhì)量是氫離子4倍的二價(jià)的氦離予以速度沿著同樣的方向飛入該電場，那么氦離子飛離電場時(shí)的偏轉(zhuǎn)距離是多少?

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一個(gè)氫離子以速度v垂直電場方向飛入平行板電容器的兩板間，它飛離電場時(shí)的偏轉(zhuǎn)距離為d．如果換成一個(gè)二價(jià)氦離子以速度2v沿同樣的方向飛入該電場，則飛離電場時(shí)的偏轉(zhuǎn)距離為___________.

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