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如圖所示,半圓形玻璃磚置于光屏PQ的左下方。一束白光沿半徑方向從A點射入玻璃磚,在O點發(fā)生反射和折射,折射光在光屏上呈現(xiàn)七色光帶。若入射點由A向B緩慢移動,并保持白光沿半徑方向入射到O點,觀察到各色光在光屏上陸續(xù)消失。在光帶未完全消失之前,反射光的強度變化以及光屏上最先消失的光分別是

A. 減弱,紫光    B. 減弱,紅光    C. 增強,紫光    D. 增強,紅光

練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:


如圖3所示,有四個等量異種電荷,放在正方形的四個頂點處。A、B、C、D為正方形四個邊的中點,O為正方形的中心,下列說法中正確的是(  )

圖3

A.A、B、C、D四個點的電場強度相同

B.O點電場強度等于零

C.將一帶正電的試探電荷勻速從B點沿直線移動到D點,電場力做功為零

D.將一帶正電的試探電荷勻速從A點沿直線移動到C點,試探電荷具有的電勢能增大

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科目:高中物理 來源: 題型:


約里奧•居里夫婦由于在1934年發(fā)現(xiàn)了放射性同位素而獲得了1935年諾貝爾獎金,約里奧•居里夫婦發(fā)現(xiàn)放射性同位素和正電子的核反應方程是Al+He→P+n,P→Si+e,則以下判斷中正確的是( 。

 

A.

P是由Si和e組成的

 

B.

e是P內的質子轉化為中子時產生的

 

C.

e是P內的中子轉化為質子時產生的

 

D.

P原子核的質量為mPSi原子核的質量為mS,e的質量為m0,則P衰變成Si的過程中釋放的核能為(mP﹣mSi﹣m0)c2

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科目:高中物理 來源: 題型:


水平拋出的一個石子,經過0.4s落到地面,落地時的速度方向跟水平方向的夾角是53°(sin53°=0.8;cos53°=0.6,g取10m/s2 ).不計阻力,試求:

(1)石子的拋出點距地面的高度;

(2)石子拋出的水平初速度.

 

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如圖所示,一理想變壓器原線圈匝數(shù)n1=1000匝,副線圈匝數(shù)n2=200匝,原線圈所接交流電源的電動勢瞬時值表達式e=311sin100πtV,副線圈所接電阻R=88Ω,電流表、電壓表對電路影響可忽略不計。則

A. A1的示數(shù)約為0.10A

B. V1的示數(shù)約為311 V

C. V2的示數(shù)約為62.2V

D. A2的示數(shù)約為0.75A

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已知能使某金屬產生光電效應的極限頻率為v0,則

A. 當用頻率為2v0的單色光照射該金屬時,一定能產生光電子

B. 當用頻率為2v0的單色光照射該金屬時,所產生的光電子的最大初動能為hv0

C. 當照射光的頻率v大于v0時,若v增大,則逸出功增大

D. 當照射光的頻率v大于v0時,若v增大一倍,則光電子的最大初動能也增大一倍

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如圖所示,在x軸上方有一豎直向下的勻強電場區(qū)域,電場強度為E=500V/m。x軸下方分布有很多磁感應強度為B=1T的條形勻強磁場區(qū)域,其寬度均為d1=3cm,相鄰兩磁場區(qū)域的間距為d2=4cm。現(xiàn)將一質量為m=5×10-13kg、電荷量為g=1×10-8C的帶正電的粒子(不計重力)從y軸上的某處靜止釋放,則:

(1)若粒子從坐標(0,h1)點由靜止釋放,要使它經過x軸下方時,不會進入第二磁場區(qū),h1應滿足什么條件?

(2)若粒子從坐標(0,5cm)點由靜止釋放,求自釋放到第二次過x軸的時間(π取3.14)。

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 某同學用如圖裝置做“驗證機械能守恒定律”的實驗.

① 該同學為了能完成實驗,除圖甲器材外,還必須準備哪些實驗器材________


A. 交流電源


B. 秒表


C. 天平


D. 刻度尺


② 圖乙是某次實驗獲得的紙帶,圖中 O 點是打出的第 1 個點,各計數(shù)點與

O 點之間的距離已測出.已知打點計時器的打點周期為 T=0.02 s,則打

點計時器打下 C 點時物體的速度 vC=______m/s(結果保留兩位有效數(shù)字).

3


 

 

 


③ 若選取 O 點和 C 點為研究點,則要驗證重物下落過程機械能守恒的計算式為

(設 OC 的距離為 hOC,C 點時物體的速度 vC,重力加速度為 g);

④為減少實驗誤差,下落物體應選用________(填“50g 鉤碼”或“200g 重物”).

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如圖6所示,直線A、B分別為電源a、b的路端電壓與電流的關系圖線,設兩個電源的內阻分別為rarb,若將一定值電阻R0分別接到a、b兩電源上,通過R0的電流分別為IaIb,則(  )

圖6

A.ra>rb

B.Ia>Ib

C.R0接到a電源上,電源的輸出功率較大,但電源的效率較低

D.R0接到b電源上,電源的輸出功率較小,電源的效率較低

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