A. | 指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近,電容小 | |
B. | 指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn),電容小 | |
C. | 對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓,在手指靠近時(shí),各金屬電極均處于充電狀態(tài) | |
D. | 對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓,在手指遠(yuǎn)離時(shí),各金屬電極均處于充電狀態(tài) |
分析 手指的嵴和峪與金屬電極的距離不同,根據(jù)電容的決定式分析電容的大。呻娙莸亩x式分析,電容的電壓一定時(shí),電量變化,判斷金屬電極是處于充電狀態(tài)還是放電狀態(tài).
解答 解:A、指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近,根據(jù)電容的決定式C=$\frac{?S}{4πkd}$得知,電容大.故A錯(cuò)誤.
B、指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn),根據(jù)電容的決定式C=$\frac{?S}{4πkd}$得知,電容。蔅正確.
C、在手指靠近時(shí),電容增大,而電壓一定,則由Q=CU可知,各金屬電極電量增大,處于充電狀態(tài).故C正確.
D、在手指遠(yuǎn)離時(shí),電容減小,而電壓一定,則由Q=CU可知,各金屬電極電量放電狀態(tài).故D錯(cuò)誤.
故選:BC
點(diǎn)評(píng) 本題題干較長(zhǎng),要有快速獲取有效信息的能力.本題是電容器動(dòng)態(tài)變化分析問題,根據(jù)電容的決定式和定義式結(jié)合進(jìn)行分析.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
額定電壓 | 220V |
額定頻率 | 50Hz |
PTC額定功率 | 750W |
最高溫度 | 60℃ |
水容量 | 10kg |
規(guī)格 | 550×400×470mm |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | a、b兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度相同 | |
B. | c、d兩點(diǎn)的電勢(shì)相同 | |
C. | 將電子從a點(diǎn)移到c點(diǎn)的過程中,電場(chǎng)力對(duì)電子做正功 | |
D. | 質(zhì)子在O點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能大于其在b點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | X1是中子 | B. | X2是質(zhì)子 | C. | X3是α粒子 | D. | X4是氘核 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 一個(gè)物體受到幾個(gè)力共同作用產(chǎn)生的效果與某一個(gè)力產(chǎn)生的效果相同,這個(gè)力叫做那幾個(gè)力的合力,這里包含了“等效替代”的思想 | |
B. | 在“探究彈性勢(shì)能的表達(dá)式”時(shí),為計(jì)算彈簧彈力所做的功,把拉伸彈簧的過程分為許多小段,把每一小段的彈力認(rèn)為是恒力,用每小段做功的代數(shù)和代表彈力在整個(gè)過程中所做的功,這種方法叫“微元法” | |
C. | 在探究加速度與力、質(zhì)量的關(guān)系時(shí),先保持質(zhì)量不變探究加速度與力的關(guān)系,再保持力不變探究加速度與質(zhì)量的關(guān)系,這種方法叫“控制變量法” | |
D. | 根據(jù)速度定義式v=$\frac{△x}{△t}$,當(dāng)△t極短時(shí),$\frac{△x}{△t}$就可以表示物體在t時(shí)刻的瞬時(shí)速度,這種方法叫“微元法” |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體先做加速運(yùn)動(dòng),推力撤去才開始做減速運(yùn)動(dòng) | |
B. | 物體在水平面上運(yùn)動(dòng)的最大位移是10m | |
C. | 物體運(yùn)動(dòng)的最大速度為20m/s | |
D. | 物體在運(yùn)動(dòng)中的加速度先變小后不變 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)相等 | B. | a、c兩點(diǎn)的電勢(shì)相等 | ||
C. | a、c兩點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)相同 | D. | a、b兩點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)相同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | q2在坐標(biāo)原點(diǎn)處,且為正電荷 | |
B. | x0位置處電場(chǎng)強(qiáng)度為零 | |
C. | q1到坐標(biāo)原點(diǎn)的距離為$\frac{{{x}_{1}}^{2}}{{x}_{0}}$(1-$\frac{2{x}_{0}}{{x}_{1}}$) | |
D. | 兩個(gè)點(diǎn)電荷所帶電荷量大小q1<q2 |
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