A. | 導(dǎo)體棒cd兩端的電壓為Blv | |
B. | t時間內(nèi)通過導(dǎo)體棒cd橫截面的電荷量為$\frac{2BLvt}{3R}$ | |
C. | cd棒克服安培力做功的功率為$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{R}$ | |
D. | 導(dǎo)體棒ab所受安培力為mgsinθ |
分析 由公式E=Blv得到cd產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢,由電路的結(jié)構(gòu)得到cd兩端的電壓;由歐姆定律求解電路中的電流,從而求出通過導(dǎo)體棒cd橫截面的電荷量;
根據(jù)歐姆定律求解R的阻值大。鶕(jù)串并聯(lián)電路特點(diǎn),由P=I2R求解cd棒克服安培力做功的功率.根據(jù)ab棒處于靜止?fàn)顟B(tài),由棒受力平衡求出安培力的大。
解答 解:A、根據(jù)題意畫出等效電路如圖所示:
cd產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢 E=Blv,cd兩端的電壓是外電壓,為$\frac{1}{3}E$=$\frac{1}{3}$Blv,故A錯誤.
B、通過cd棒的電流 I=$\frac{E}{0.5R+R}$=$\frac{Blv}{1.5R}$,時間內(nèi)通過導(dǎo)體棒cd橫截面的電荷量為 q=It=$\frac{2BLvt}{3R}$.故B正確.
C、對ab棒進(jìn)行受力分析如右圖所示,由于ab棒靜止,所以ab棒所受安培力 Fab=mgtanθ,故C錯誤.
D、由功能關(guān)系知cd棒克服安培力做功等于整個電路的電功率,為 P=$\frac{{E}^{2}}{0.5R+R}$=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}{v}^{2}}{1.5R}$.故D錯誤.
故選:B.
點(diǎn)評 掌握閉合電路歐姆定律和正確的受力分析,根據(jù)平衡知識求解是解決本題的關(guān)鍵.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 氣體擴(kuò)散現(xiàn)象表明氣體分子間存在斥力 | |
B. | 液晶具有流動性,光學(xué)性質(zhì)各向異性 | |
C. | 熱量總是自發(fā)的從分子平均動能大的物體傳遞到分子平均動能小的物體 | |
D. | 機(jī)械能不可能全部轉(zhuǎn)化為內(nèi)能,內(nèi)能也無法全部用來做功以轉(zhuǎn)化成機(jī)械能 | |
E. | 液體表面層分子間距離大于液體內(nèi)部分子間距離,所以液體表面存在表面張力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 運(yùn)動員經(jīng)過最低點(diǎn)A時處于超重狀態(tài) | |
B. | 運(yùn)動員經(jīng)過最低點(diǎn)A時處于失重狀態(tài) | |
C. | 運(yùn)動員在騰空過程中一直處于超重狀態(tài) | |
D. | 運(yùn)動員在騰空過程中一直處于失重狀態(tài) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 圖中光束①是紅光,光束②是藍(lán)光 | |
B. | 在光盤的透明介質(zhì)層中,光束①比光束②傳播速度更快 | |
C. | 若光束①、②先后通過同一雙縫干涉裝置,光束①條紋寬度比光束②的寬 | |
D. | 若光束①、②先后通過同一單縫衍射裝置,光束①的中央亮紋比光束②的窄 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 不可求出油的折射率 | |
B. | 能求出油的折射率 | |
C. | 當(dāng)桶內(nèi)油深度等于桶高一半時沿AB方向看C點(diǎn)的像在B點(diǎn) | |
D. | 光在油中的傳播速度為3×108m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 用大球替代小球,單擺的周期不變 | |
B. | 擺角從5°改為3°,單擺的周期會變小 | |
C. | 用等大的銅球替代鐵球,單擺的周期不變 | |
D. | 將單擺從赤道移到北極,單擺的周期會變大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | m的最終速度為$\frac{mv}{M+m}$ | |
B. | 因小車上表面粗糙,故系統(tǒng)動量不守恒 | |
C. | 當(dāng)m速度最小時,小車M的速度最大 | |
D. | 若小車上表面越粗糙,則系統(tǒng)因摩擦而產(chǎn)生的內(nèi)能也越大 |
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