釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子,設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場(chǎng)時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與Ox方向的夾角θ=60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中。
(1)寫(xiě)出釷核衰變方程;
(2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間t。
解:(1)釷核衰變方程
(2)設(shè)粒子離開(kāi)電場(chǎng)時(shí)速度為v,對(duì)加速過(guò)程有
粒子在磁場(chǎng)中有
由①②式得
(3)粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的回旋周期
粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間
由③④式得
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(8分)釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子. 設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S1S2間電場(chǎng)時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S2. 當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與Ox方向的夾角,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

(1)寫(xiě)出釷核的衰變方程;

(2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;

(3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間t

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(04年天津卷)(15分)釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子。設(shè)該粒子的質(zhì)量為、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極間電場(chǎng)時(shí),其速度為,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),垂直平板電極,當(dāng)粒子從點(diǎn)離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與方位的夾角,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中。

(1)寫(xiě)出釷核衰變方程;

(2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;

(3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間。

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釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場(chǎng)時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與Ox方向的夾角θ=60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

(1)寫(xiě)出釷核衰變方程;

(2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;

(3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用的時(shí)間t.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,光滑且足夠長(zhǎng)的平行金屬導(dǎo)軌MN和PQ固定在同一水平面上,兩導(dǎo)軌間距離L=0.2m,電阻R1=0.4,導(dǎo)軌上靜止放置一質(zhì)量m=0.1kg,電阻R2=0.1的金屬桿ab,導(dǎo)軌電阻忽略不計(jì),整個(gè)裝置處在磁感應(yīng)強(qiáng)度B1=0.5T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)的方向豎直向下,現(xiàn)用一外力F沿水平方向拉桿ab,使之由靜止開(kāi)始運(yùn)動(dòng),最終以8m/s的速度做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)。若此時(shí)閉合開(kāi)關(guān)S,釋放的粒子經(jīng)加速電場(chǎng)C加速?gòu)腶孔對(duì)著圓心O進(jìn)入半徑r=的固定圓筒中(筒壁上的小孔a只能容一個(gè)粒子通過(guò)),圓筒內(nèi)有垂直水平面向下的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的勻強(qiáng)磁場(chǎng),粒子每次與筒壁發(fā)生碰撞均無(wú)電荷遷移,也無(wú)機(jī)械能損失。(粒子質(zhì)量m≈6.4×10-23kg,電荷量q=3.2×10-19C)。求:

  

(1)ab桿做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,外力F的功率;

(2)射線(xiàn)源Q是釷核發(fā)生衰變生成鐳核

并粒出一個(gè)粒子,完成下列釷核的衰變方程     ;

(3)若粒子與圓筒壁碰撞5次后恰又從a孔背離圓心射出,忽略粒子進(jìn)入加速電場(chǎng)的初速度,求磁感應(yīng)強(qiáng)度B2

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場(chǎng)時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與Ox方向的夾角θ=60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

(1)寫(xiě)出釷核衰變方程;

(2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;

(3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用的時(shí)間t.

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