分別用和的單色光照射同一金屬,發(fā)出的光電子的最大初動能之比為1∶2。若已知普朗克常量為h,c表示真空中的光速,則此金屬板的逸出功是多大?
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,兩塊長為L的帶等量異種電荷的平行金屬板M、N,板間距亦為L,一負(fù)離子以速度v0沿板間中線射入,負(fù)離子恰好能沿板M板右側(cè)邊緣飛出,同時進(jìn)入金屬板右方磁感強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場中,一段時間后負(fù)離子垂直打在屏PQ上,屏PQ與金屬板右端的水平距離為d,不計負(fù)離子的重力。試求:
(1)負(fù)離子離開電場時速度v的大小和方向;
(2)負(fù)離子比荷的大小。
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右圖為兩分子系統(tǒng)的勢能Ep與兩分子間距離r的關(guān)系曲線。下列說法正確的是( )
A.當(dāng)r大于r1時,分子間的作用力表現(xiàn)為引力
B.當(dāng)r小于r1時,分子間的作用力表現(xiàn)為斥力
C.當(dāng)r等于r2時,分子間的作用力為零
D.在r由r1變到r2的過程中,分子間的作用力做負(fù)功
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如圖所示,一個活塞將絕熱容器分成A、B兩部分,用控制栓K固定活塞。保持A體積不變,給電熱絲通電,則此過程中氣體A的內(nèi)能 ,溫度 ;拔出控制栓K,活塞將向右移動壓縮氣體B,則氣體B的內(nèi)能 。
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如圖一個滑塊質(zhì)量為m從半徑為R的半圓形截面的凹槽頂點A處由靜止滑下,滑過最低點B后又在另一側(cè)上滑至最高點C恰能靜止下來,C點與圓心邊線與水平方向成θ角,設(shè)滑都必須塊與凹槽的動摩擦因數(shù)為μ,最大靜摩擦力約等于滑動摩擦力,則下述分析正確的有 ( )
A.滑塊在C點靜止時受到的靜摩擦力是
B.滑塊在C點靜止時對凹面的壓力是
C.滑塊由B向C運動中摩擦阻力越來越大
D.由A到C滑塊克服摩擦力做功
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如圖甲所示,電阻不計的“”形光滑導(dǎo)體框架水平放置,導(dǎo)體框處在豎直向上的勻強(qiáng)磁場中,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B=1T,有一導(dǎo)體棒AC橫放在框架上且與導(dǎo)體框架接觸良好,其質(zhì)量為m=0.2kg,電阻為R=0.8,現(xiàn)用絕緣輕繩拴住導(dǎo)體棒,輕繩的右端通過光滑的定滑輪繞在電動機(jī)的轉(zhuǎn)軸上,左端通過另一光滑的定滑輪與物體D相連,物體D的質(zhì)量為M=0.2kg,電動機(jī)內(nèi)阻r=1。接通電路后電壓表的讀數(shù)恒為U=10V,電流表讀數(shù)恒為I=1A,電動機(jī)牽引原來靜止的導(dǎo)體棒AC平行于EF向右運動,其運動位移x隨時間t變化的圖象如圖乙所示,其中OM段為曲線,MN段為直線。
(取g=10m/s2)求:
(1)電動機(jī)的輸出功率;
(2)導(dǎo)體框架的寬度;
(3)導(dǎo)體棒在變速運動階段產(chǎn)生的熱量。
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如圖所示,水平放置的平行板電容器, 上板帶負(fù)電,下板帶正電,斷開電源,帶電小球以速度v0水平射入電場,且沿下板邊緣飛出.若下板不動,將上板上移一小段距離,小球仍以相同的速度v0從原處飛入,則帶電小球 ( )
A.將打在下板中央
B.仍沿原軌跡由下板邊緣飛出
C.不發(fā)生偏轉(zhuǎn),沿直線運動
D.若上板不動,將下板上移一段距離,小球可能打在下板的中央
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在物理學(xué)發(fā)展過程中,觀測、實驗、假說和邏輯推理等方法都起到了重要作用.下列敘述符合史實的是( )
A.奧斯特在實驗中觀察到電流的磁效應(yīng),該效應(yīng)揭示了電和磁之間存在聯(lián)系
B.安培根據(jù)通電螺線管的磁場和條形磁鐵的磁場的相似性,提出了分子電流假說
C.法拉第在實驗中觀察到,在通有恒定電流的靜止導(dǎo)線附近的固定導(dǎo)線圈中,會出現(xiàn)感應(yīng)電流
D.楞次在分析了許多實驗事實后提出,感應(yīng)電流應(yīng)具有這樣的方向,即感應(yīng)電流的磁場總要阻礙引起感應(yīng)電流的磁通量的變化
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