單匝閉合線框在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，繞垂直于磁場(chǎng)方向的轉(zhuǎn)軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)．在轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，線框中的最大磁通量為φm，最大感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為Em，下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（　�。�
A、當(dāng)穿過(guò)線框的磁通量為零時(shí)，線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)也為零
B、當(dāng)穿過(guò)線框的磁通量減小時(shí)，線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)也減小
C、當(dāng)穿過(guò)線框的磁通量等于0.5φm時(shí)，線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不等于0.5Em
D、線框轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度等于
Em
φm
分析：閉合線框在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，繞垂直于磁場(chǎng)方向的轉(zhuǎn)軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，線圈產(chǎn)生的是正弦式交變電流，最大磁通量為φm=BS，最大感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為Em=BSω．根據(jù)線圈與磁場(chǎng)方向的關(guān)系，判斷感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大�。�
解答：解：A、當(dāng)穿過(guò)線框的磁通量為零時(shí)，線圈與磁場(chǎng)平行，線圈垂直切割磁感線，產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)最大，故A錯(cuò)誤．
B、當(dāng)穿過(guò)線框的磁通量減小時(shí)，線圈與磁場(chǎng)方向的夾角減小，線圈有效的切割速度增大，感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)增大，故B錯(cuò)誤．
C、設(shè)線圈與磁場(chǎng)方向的夾角為θ，則穿過(guò)線框的磁通量 φ=φmsinθ，感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) E=Emcosθ
則當(dāng)φ=0.5φm時(shí)，θ=30°，E=Emcosθ=
3
2
Em，故C正確．
D、線圈產(chǎn)生的是正弦式交變電流，最大磁通量為φm=BS，最大感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為Em=BSω．則有：ω=
Em
φm
，故D正確．
本題選錯(cuò)誤的，故選：AB
點(diǎn)評(píng)：對(duì)于正弦交變電流產(chǎn)生的過(guò)程，要抓住兩個(gè)特殊位置進(jìn)行分析理解：一是線圈與磁場(chǎng)垂直位置，磁通量最大，感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為零；二是線圈與磁場(chǎng)平行位置，磁通量為零，感應(yīng)電流最大．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2008?北京）均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長(zhǎng)為L(zhǎng)，總電阻為R，總質(zhì)量為m，將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h處，如圖所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場(chǎng)邊界面平行，當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)．
（1）求cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大小；
（2）若此時(shí)線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2013?永康市模擬）均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長(zhǎng)L=0.1m，總電阻R=0.1Ω，總質(zhì)量為m=0.1kg．將其置于磁感強(qiáng)度B=1.0T的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h處，如圖所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場(chǎng)邊界面平行，取g=10m/s2．
（1）當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，線框做勻速直線運(yùn)動(dòng)，求線框下落的高度h；
（2）線框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中的電功率P；
（3）若磁場(chǎng)的寬度等于L，從cd剛進(jìn)入磁場(chǎng)到ab完全離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中，試在答題卷的坐標(biāo)紙中畫出cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差Ucd與時(shí)間的關(guān)系圖線，在圖象中注明關(guān)鍵點(diǎn)的數(shù)據(jù)（不要求書寫求解過(guò)程）；
（4）為了減小下落的高度就能使線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)就做勻速直線運(yùn)動(dòng)，三個(gè)同學(xué)各自提出了方案：
甲：用同種規(guī)格的導(dǎo)線，做成邊長(zhǎng)為2L的單匝線框；
乙：用同種材料但粗一些的導(dǎo)線，做成邊長(zhǎng)仍為L(zhǎng)的單匝線框；
丙：用同種規(guī)格的導(dǎo)線，做成邊長(zhǎng)仍為L(zhǎng)的雙匝線框；
對(duì)上述三位同學(xué)的方案，請(qǐng)給出你的評(píng)價(jià)．

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科目：高中物理 來(lái)源：2011-2012學(xué)年江西省高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質(zhì)量為m，高度為L(zhǎng)、寬度為2L．若線框無(wú)初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)區(qū)高度為2L，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)．對(duì)此，下列說(shuō)法中正確的是

A．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)閍→b→c→d→a        

B．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為

C．線圈在磁場(chǎng)以上，下落的高度為

D．線圈從開(kāi)始下落到ab邊剛好離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

 

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質(zhì)量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無(wú)初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)區(qū)高度為2L，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)．對(duì)此，下列說(shuō)法中正確的是

A．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)?i>a→b→c→d→a　　　　

B．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為

C．線圈在磁場(chǎng)以上，下落的高度為

D．線圈從開(kāi)始下落到ab邊剛好離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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科目：高中物理 來(lái)源：2012屆江西省贛州三中、于都中學(xué)高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷（帶解析） 題型：單選題

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質(zhì)量為m，高度為L(zhǎng)、寬度為2L．若線框無(wú)初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)區(qū)高度為2L，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)．對(duì)此，下列說(shuō)法中正確的是

A．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)閍→b→c→d→a
B．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為
C．線圈在磁場(chǎng)以上，下落的高度為
D．線圈從開(kāi)始下落到ab邊剛好離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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