在如圖1所示的電場(chǎng)中，設(shè)粒子的電荷量為q、質(zhì)量為m，兩平行金屬板間的電壓為U，板長(zhǎng)為L(zhǎng)，板間距離為d.當(dāng)粒子以初速v0平行于兩板進(jìn)入電場(chǎng)時(shí).

圖1

（1）運(yùn)動(dòng)規(guī)律:垂直于電場(chǎng)方向做__________，沿電場(chǎng)方向做__________.

（2）運(yùn)動(dòng)量:運(yùn)動(dòng)時(shí)間t＝__________，

側(cè)向位移y＝__________＝__________，

粒子飛出電場(chǎng)時(shí)速度v＝__________，

偏轉(zhuǎn)角θ，tanθ＝__________＝__________，

速度v反向延長(zhǎng)線與v0方向交點(diǎn)位置為__________.

(1)勻速直線運(yùn)動(dòng)    　初速為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng)?

   　 水平位移的中點(diǎn)

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2010?長(zhǎng)寧區(qū)二模）在如圖1所示的x軸上有一個(gè)點(diǎn)電荷Q（圖中未畫出所在位置），O為x軸坐標(biāo)原點(diǎn)，A、B兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為0.1m和0.4m．放在A、B兩點(diǎn)的檢驗(yàn)電荷q1、q2受到的電場(chǎng)力跟它們所帶電量的關(guān)系如圖2所示．則A、B兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小之比為
4：1
4：1
；點(diǎn)電荷Q的位置坐標(biāo)為x=
0.2
0.2
m．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

質(zhì)量為m帶電荷量為-q的小球，用長(zhǎng)為L(zhǎng)的細(xì)線固定在如圖1所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)中保持靜止，勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)為E，方向豎直向下.現(xiàn)用一絕緣棒給其一個(gè)水平?jīng)_量，使之轉(zhuǎn)過微小角度（小于5°），求小球由最大偏離位置再次回到初位置時(shí)所經(jīng)歷的時(shí)間.

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

在如圖 9 所示的裝置中 , 虛線框內(nèi)存在互相垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng) , 勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向 向下 , 磁感應(yīng)強(qiáng)度為B1; 勻強(qiáng)電場(chǎng)方向垂直紙面向外 , 場(chǎng)強(qiáng)為 E 。在MN右側(cè)有垂直紙面向里 的勻強(qiáng)磁場(chǎng) , 磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B2 。現(xiàn)有一離子從 01 點(diǎn)垂直于電場(chǎng)、磁場(chǎng)方向射人后 , 沿直線運(yùn)動(dòng) 至 02 點(diǎn)后進(jìn)入MN的右側(cè)區(qū)域 , 最后打在MN上距O2為 d 的 P 點(diǎn)。不計(jì)離子的重力 , 求 :

(1)離子帶何種電?

(2) 離子的電荷量與質(zhì)量之比。

(3)離子在MN右側(cè)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。

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科目：高中物理 來(lái)源：2012-2013學(xué)年河北唐山一中第一學(xué)期高三第二次月考物理試卷（帶解析） 題型：計(jì)算題

在如圖甲所示的裝置中，陰極K能夠連續(xù)不斷地發(fā)射初速不計(jì)的電子，這些電子經(jīng)P、K間的電場(chǎng)加速后，都能通過P板上的小孔沿垂直于P板的方向進(jìn)入P板右側(cè)的區(qū)域，打到P板右側(cè)L遠(yuǎn)處且與P平行的熒光屏Q上的O點(diǎn)，由于P、K相距很近，所有電子通過電場(chǎng)所用時(shí)間忽略不計(jì)�，F(xiàn)在P與Q間加垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，且從某一時(shí)刻t=0開始，在P、K間加一周期性變化的電壓，電壓隨時(shí)間的變化關(guān)系如圖乙所示，則從該時(shí)刻起，所有從小孔射出的電子恰好能全部打到熒光屏上。已知電子質(zhì)量為m，帶電量為e，粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期小于4T0，求：

（1）電子打到熒光屏上的范圍；
（2）從t=0時(shí)刻開始在電壓變化的一個(gè)周期內(nèi)，打到屏上距O點(diǎn)最近的電子與最遠(yuǎn)的電子的時(shí)間

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