11.為了保護磁卡或帶有磁條的存折上的信息,下列說法錯誤的是( 。
A.應注意磁卡或帶有磁條的存折不放在高溫環(huán)境中
B.不能將磁卡或帶有磁條的存折靠近產(chǎn)生強磁場的家用電器旁邊
C.不能將磁卡或帶有磁條的存折折疊放置
D.不能用手觸摸磁卡,特別是不要觸摸背面的黑條,以免弄臟

分析 磁卡內部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進行的,但在劇烈敲打時,高溫,靠近磁體時分子電流的排布重新變的雜亂無章,磁卡所帶信息消失.

解答 解:磁卡內部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進行的,但在劇烈敲打時,分子電流的排布重新變的雜亂無章,每個分子電流產(chǎn)生的磁場相互抵消,故對外不顯磁性,所帶信息消失,
A、高溫會是分子電流變得雜亂無章,所以磁卡或帶有磁條的存折不放在高溫環(huán)境中,故A正確.
B、強磁場會改變分子電流的分布特點,所以要放在遠離強磁場的地方,故B正確.
C、將磁卡或帶有磁條的存折折疊會使一部分信息丟失,所以不能將磁卡或帶有磁條的存折折疊放置,故C正確.
D、用手觸摸磁卡,不會使磁卡所帶信息消失,故D錯誤.
本題選擇錯誤的,故選:D.

點評 掌握了安培的分子電流假說的內容即可順利解決此類題目,所以要加強對基本概念的學習.

練習冊系列答案
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1.如圖為用頻閃攝影方法拍攝的小球作平拋運動的照片,小球在運動過程中的幾個位置如圖中的a、b、c、d所示.下列說法正確的是( 。
A.若已知小方格的邊長,可求得平拋的初速度
B.若已知小方格的邊長,可求得頻閃周期
C.若已知小方格的邊長和當?shù)氐闹亓铀俣龋汕蟮胊、b、c、d任一點的速度
D.若已知小方格的邊長和頻閃周期,不可以求得當?shù)氐闹亓铀俣?/td>

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2.如圖所示,研究平拋運動規(guī)律的實驗裝置放置在水平桌面上,利用光電門傳感器和碰撞傳感器可以測得小球的水平初速度v0和飛行時間t,底板上的標尺可以測得水平位移d,控制斜槽軌道的水平槽口高度h不變,讓小球從斜槽的不同高度處滾下,以不同的速度沖出水平槽口,以下說法正確的是(  )
A.飛行時間t與初速度v0成正比
B.飛行時間t與初速度v0大小無關
C.落地點的水平距離d與初速度v0成反比
D.落地點的水平距離d與初速度v0成正比

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19.用兩條細繩把一個鏡框懸掛在墻上,在如圖所示的四種掛法中,單獨一根細繩對鏡框拉力最小的是( 。
A.B.C.D.

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6.汽車的質量是m,發(fā)動機的額定功率為P,汽車與路面的動摩擦因數(shù)為μ,則汽車在平直的路面上行駛的最大速度為多少?當汽車以v的速度勻速行駛時,汽車的實際功率多大?

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16.下列說法中正確的是( 。
A.在電路中電流所做的功就是電場力對電荷所做的功,電流所做的功只能轉化為熱能
B.帶電粒子在磁場中一定受到洛侖茲力的作用,洛侖茲力不做功,但是可以改變物體的運動狀態(tài)
C.通電直導線在磁場中會受到安培力的作用,安培力的方向總是垂直于磁感應強度和導線所確定的平面
D.帶電粒子射入電場中,一定會受到電場力的作用

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3.如圖所示,某人沿3條不同的路徑由A走到B,問沿哪條路徑運動時的位移較大( 。
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20.如圖所示電路中,R為電阻箱,電源的電動勢為E,內阻為r.當調節(jié)電阻箱使外電阻分別為R1、R2時,其功率相等.此時對應的電流分別為I1、I2,電路中對應的電源效率分別為η1、η2,下列說法中正確的是( 。
A.I1+I2>$\frac{E}{r}$B.I1+I2=$\frac{E}{r}$C.η12=1D.I1R1+I2R2=E

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1.如圖所示,實線表示某點電荷產(chǎn)生的電場線,虛線表示該電場的等勢面,且1、2兩點之間的距離等于3、4兩點之間的距離.下列判斷正確的是(  )
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