11．為了保護(hù)磁卡或帶有磁條的存折上的信息，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�
A．應(yīng)注意磁卡或帶有磁條的存折不放在高溫環(huán)境中
B．不能將磁卡或帶有磁條的存折靠近產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)的家用電器旁邊
C．不能將磁卡或帶有磁條的存折折疊放置
D．不能用手觸摸磁卡，特別是不要觸摸背面的黑條，以免弄臟

分析 磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行的，但在劇烈敲打時(shí)，高溫，靠近磁體時(shí)分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章，磁卡所帶信息消失．

解答 解：磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行的，但在劇烈敲打時(shí)，分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章，每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消，故對(duì)外不顯磁性，所帶信息消失，
A、高溫會(huì)是分子電流變得雜亂無(wú)章，所以磁卡或帶有磁條的存折不放在高溫環(huán)境中，故A正確．
B、強(qiáng)磁場(chǎng)會(huì)改變分子電流的分布特點(diǎn)，所以要放在遠(yuǎn)離強(qiáng)磁場(chǎng)的地方，故B正確．
C、將磁卡或帶有磁條的存折折疊會(huì)使一部分信息丟失，所以不能將磁卡或帶有磁條的存折折疊放置，故C正確．
D、用手觸摸磁卡，不會(huì)使磁卡所帶信息消失，故D錯(cuò)誤．
本題選擇錯(cuò)誤的，故選：D．

點(diǎn)評(píng) 掌握了安培的分子電流假說(shuō)的內(nèi)容即可順利解決此類題目，所以要加強(qiáng)對(duì)基本概念的學(xué)習(xí)．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

1．如圖為用頻閃攝影方法拍攝的小球作平拋運(yùn)動(dòng)的照片，小球在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的幾個(gè)位置如圖中的a、b、c、d所示．下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A．若已知小方格的邊長(zhǎng)，可求得平拋的初速度
B．若已知小方格的邊長(zhǎng)，可求得頻閃周期
C．若已知小方格的邊長(zhǎng)和當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣�，可求得a、b、c、d任一點(diǎn)的速度
D．若已知小方格的邊長(zhǎng)和頻閃周期，不可以求得當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣?/td>

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：多選題

2．如圖所示，研究平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律的實(shí)驗(yàn)裝置放置在水平桌面上，利用光電門傳感器和碰撞傳感器可以測(cè)得小球的水平初速度v0和飛行時(shí)間t，底板上的標(biāo)尺可以測(cè)得水平位移d，控制斜槽軌道的水平槽口高度h不變，讓小球從斜槽的不同高度處滾下，以不同的速度沖出水平槽口，以下說(shuō)法正確的是（　�。�
A．飛行時(shí)間t與初速度v0成正比
B．飛行時(shí)間t與初速度v0大小無(wú)關(guān)
C．落地點(diǎn)的水平距離d與初速度v0成反比
D．落地點(diǎn)的水平距離d與初速度v0成正比

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

19．用兩條細(xì)繩把一個(gè)鏡框懸掛在墻上，在如圖所示的四種掛法中，單獨(dú)一根細(xì)繩對(duì)鏡框拉力最小的是（　�。�
A．B．C．D．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：解答題

6．汽車的質(zhì)量是m，發(fā)動(dòng)機(jī)的額定功率為P，汽車與路面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，則汽車在平直的路面上行駛的最大速度為多少？當(dāng)汽車以v的速度勻速行駛時(shí)，汽車的實(shí)際功率多大？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

16．下列說(shuō)法中正確的是（　　）
A．在電路中電流所做的功就是電場(chǎng)力對(duì)電荷所做的功，電流所做的功只能轉(zhuǎn)化為熱能
B．帶電粒子在磁場(chǎng)中一定受到洛侖茲力的作用，洛侖茲力不做功，但是可以改變物體的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)
C．通電直導(dǎo)線在磁場(chǎng)中會(huì)受到安培力的作用，安培力的方向總是垂直于磁感應(yīng)強(qiáng)度和導(dǎo)線所確定的平面
D．帶電粒子射入電場(chǎng)中，一定會(huì)受到電場(chǎng)力的作用

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

3．如圖所示，某人沿3條不同的路徑由A走到B，問(wèn)沿哪條路徑運(yùn)動(dòng)時(shí)的位移較大（　�。�
A．都一樣大B．沿1較大C．沿3較大D．沿2較大

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：多選題

20．如圖所示電路中，R為電阻箱，電源的電動(dòng)勢(shì)為E，內(nèi)阻為r．當(dāng)調(diào)節(jié)電阻箱使外電阻分別為R1、R2時(shí)，其功率相等．此時(shí)對(duì)應(yīng)的電流分別為I1、I2，電路中對(duì)應(yīng)的電源效率分別為η1、η2，下列說(shuō)法中正確的是（　�。�
A．I1+I2＞$\frac{E}{r}$B．I1+I2=$\frac{E}{r}$C．η1+η2=1D．I1R1+I2R2=E

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

1．如圖所示，實(shí)線表示某點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)線，虛線表示該電場(chǎng)的等勢(shì)面，且1、2兩點(diǎn)之間的距離等于3、4兩點(diǎn)之間的距離．下列判斷正確的是（　�。�
A．2、3兩點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)相同
B．電子在1點(diǎn)的電勢(shì)能小于在3點(diǎn)的電勢(shì)能
C．1、2兩點(diǎn)之間的電勢(shì)差等于3、4兩點(diǎn)之間的電勢(shì)差
D．把一正試探電荷從2移到4再移到3，電場(chǎng)力一直不做功

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