A. | 應注意磁卡或帶有磁條的存折不放在高溫環(huán)境中 | |
B. | 不能將磁卡或帶有磁條的存折靠近產(chǎn)生強磁場的家用電器旁邊 | |
C. | 不能將磁卡或帶有磁條的存折折疊放置 | |
D. | 不能用手觸摸磁卡,特別是不要觸摸背面的黑條,以免弄臟 |
分析 磁卡內部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進行的,但在劇烈敲打時,高溫,靠近磁體時分子電流的排布重新變的雜亂無章,磁卡所帶信息消失.
解答 解:磁卡內部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進行的,但在劇烈敲打時,分子電流的排布重新變的雜亂無章,每個分子電流產(chǎn)生的磁場相互抵消,故對外不顯磁性,所帶信息消失,
A、高溫會是分子電流變得雜亂無章,所以磁卡或帶有磁條的存折不放在高溫環(huán)境中,故A正確.
B、強磁場會改變分子電流的分布特點,所以要放在遠離強磁場的地方,故B正確.
C、將磁卡或帶有磁條的存折折疊會使一部分信息丟失,所以不能將磁卡或帶有磁條的存折折疊放置,故C正確.
D、用手觸摸磁卡,不會使磁卡所帶信息消失,故D錯誤.
本題選擇錯誤的,故選:D.
點評 掌握了安培的分子電流假說的內容即可順利解決此類題目,所以要加強對基本概念的學習.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 若已知小方格的邊長,可求得平拋的初速度 | |
B. | 若已知小方格的邊長,可求得頻閃周期 | |
C. | 若已知小方格的邊長和當?shù)氐闹亓铀俣龋汕蟮胊、b、c、d任一點的速度 | |
D. | 若已知小方格的邊長和頻閃周期,不可以求得當?shù)氐闹亓铀俣?/td> |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 飛行時間t與初速度v0成正比 | |
B. | 飛行時間t與初速度v0大小無關 | |
C. | 落地點的水平距離d與初速度v0成反比 | |
D. | 落地點的水平距離d與初速度v0成正比 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在電路中電流所做的功就是電場力對電荷所做的功,電流所做的功只能轉化為熱能 | |
B. | 帶電粒子在磁場中一定受到洛侖茲力的作用,洛侖茲力不做功,但是可以改變物體的運動狀態(tài) | |
C. | 通電直導線在磁場中會受到安培力的作用,安培力的方向總是垂直于磁感應強度和導線所確定的平面 | |
D. | 帶電粒子射入電場中,一定會受到電場力的作用 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | I1+I2>$\frac{E}{r}$ | B. | I1+I2=$\frac{E}{r}$ | C. | η1+η2=1 | D. | I1R1+I2R2=E |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 2、3兩點的場強相同 | |
B. | 電子在1點的電勢能小于在3點的電勢能 | |
C. | 1、2兩點之間的電勢差等于3、4兩點之間的電勢差 | |
D. | 把一正試探電荷從2移到4再移到3,電場力一直不做功 |
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