分析 (1)根據(jù)左手定則可得.粒子在磁場(chǎng)中向右偏轉(zhuǎn),由圓周運(yùn)動(dòng)的對(duì)稱性可得,粒子將沿水平方向進(jìn)入電場(chǎng),然后減速到0,再加速運(yùn)動(dòng),從進(jìn)入點(diǎn)再次進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后第二次進(jìn)入電場(chǎng)區(qū)域,畫出運(yùn)動(dòng)的軌跡,結(jié)合洛倫茲力提供向心力放電方程即可求出坐標(biāo);
(2)粒子在第二次進(jìn)入電場(chǎng)后做平拋運(yùn)動(dòng),將運(yùn)動(dòng)分解,即可求出電場(chǎng)強(qiáng)度;
(3)分別求出粒子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間與在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間即可.
(4)用矢量分解與合成的方法求出粒子進(jìn)入第四象限的速度,結(jié)合半徑公式、軌跡圖與幾何關(guān)系即可求解.
解答 解:(1)根據(jù)左手定則可得.粒子在磁場(chǎng)中向右偏轉(zhuǎn),由圓周運(yùn)動(dòng)的對(duì)稱性可得,粒子將沿水平方向進(jìn)入電場(chǎng),然后減速到0,再加速運(yùn)動(dòng),從進(jìn)入點(diǎn)再次進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后第二次進(jìn)入電場(chǎng)區(qū)域,畫出運(yùn)動(dòng)的軌跡如圖:
由幾何關(guān)系知,從O到A為$\frac{1}{4}$圓周,從A到C速度勻減速到0,再反向加速到A,從A經(jīng)$\frac{3}{4}$圓周到D,后垂直電場(chǎng)方向進(jìn)入電場(chǎng),做類平拋運(yùn)動(dòng),由幾何關(guān)系知粒子運(yùn)動(dòng)與OP的交點(diǎn)坐標(biāo)為:A(R,R);D(2R,2R)
由洛倫茲力提供向心力得:$qvB=\frac{m{v}_{0}^{2}}{R}$
得:$R=\frac{m{v}_{0}}{qB}$
所以:交點(diǎn)坐標(biāo)為:A($\frac{m{v}_{0}}{qB}$,$\frac{m{v}_{0}}{qB}$);D($\frac{2m{v}_{0}}{qB}$,$\frac{2m{v}_{0}}{qB}$)
(2)粒子第二次進(jìn)入電場(chǎng)后做平拋運(yùn)動(dòng),豎直方向:2R=v0t3
得:${t}_{3}=\frac{2R}{{v}_{0}}=\frac{2m}{qB}$
從x軸上某處沿與x軸負(fù)向成$\frac{π}{4}$角的方向離開(kāi)第一象限,得:$tan45°=\frac{{v}_{0}}{{v}_{y}}$
得:vy=v0
又:${v}_{y}=a{t}_{3}=\frac{qE}{m}•\frac{2m}{qB}$=$\frac{2E}{B}$
解得:$E=\frac{1}{2}B{v}_{0}$
(3)由圖可得,粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間剛剛是一個(gè)周期,所以粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間:${t}_{1}=T=\frac{2πm}{qB}$
粒子在電場(chǎng)中做直線往返運(yùn)動(dòng)的時(shí)間:${t}_{2}=\frac{2{v}_{0}}{a}$
粒子在第一象限運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間:t=t1+t2+t3聯(lián)立解得:$t=2(π+3)\frac{m}{qB}$
(4)粒子進(jìn)入第四象限時(shí)的速度大。$v=\sqrt{{v}_{0}^{2}+{v}_{y}^{2}}=\sqrt{2}{v}_{0}$
在圓形磁場(chǎng)的區(qū)域中運(yùn)動(dòng):$qv(2B)=\frac{m{v}^{2}}{R′}$
穿越磁場(chǎng)的過(guò)程中,速度的方向改變$\frac{π}{2}$,由幾何關(guān)系知,所甲磁場(chǎng)的最小圓形區(qū)域的直徑為:$d=\sqrt{2}R′$
則最小面積:$s=π(\fracpl7zb9x{2})^{2}$
整理得:$S=\frac{π{m}^{2}{v}_{0}^{2}}{4{q}^{2}{B}^{2}}$
答:(1)粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡與OP的交點(diǎn)坐標(biāo)分別是A($\frac{m{v}_{0}}{qB}$,$\frac{m{v}_{0}}{qB}$);D($\frac{2m{v}_{0}}{qB}$,$\frac{2m{v}_{0}}{qB}$).
(2)電場(chǎng)強(qiáng)度的大小是$\frac{1}{2}B{v}_{0}$.
(3)粒子在第I象限內(nèi)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間是$2(π+3)\frac{m}{qB}$.
(4)若只在第Ⅳ象限中適當(dāng)區(qū)域加一方向垂直坐標(biāo)平面,磁感應(yīng)強(qiáng)度為2B的圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng),使粒子能再次經(jīng)過(guò)坐標(biāo)原點(diǎn)O且與y軸正向夾角為$\frac{π}{4}$進(jìn)入第Ⅱ象限.所加磁場(chǎng)的最小面積是$\frac{π{m}^{2}{v}_{0}^{2}}{4{q}^{2}{B}^{2}}$.
點(diǎn)評(píng) 考查帶電粒子做勻速圓周運(yùn)動(dòng)與類平拋運(yùn)動(dòng)中,用牛頓第二定律與運(yùn)動(dòng)學(xué)公式,并結(jié)合幾何關(guān)系來(lái)處理這兩種運(yùn)動(dòng),強(qiáng)調(diào)運(yùn)動(dòng)的分解,并突出準(zhǔn)確的運(yùn)動(dòng)軌跡圖.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | $\frac{U}{3},\frac{4U}{3}$ | B. | $\frac{U}{3},\frac{2U}{3}$ | C. | $\frac{U}{3},\frac{2U}{3}$ | D. | $\frac{U}{3},U$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
序號(hào) | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
U/V | 4.00 | 3.40 | 2.80 | 2.00 | 1.50 | 0.80 |
I/A | 0.20 | 0.25 | 0.33 | 0.40 | 0.46 | 0.52 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
I(A) | 0.12 | 0.20 | 0.31 | 0.32 | 0.50 | 0.57 |
U(V) | 1.37 | 1.32 | 1.24 | 1.18 | 1.10 | 1.05 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 線框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中ab邊所受安培力沿斜面向上 | |
B. | 線框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中可能做勻減速運(yùn)動(dòng) | |
C. | 線框中產(chǎn)生的焦耳熱一定等于線框減少的機(jī)械能 | |
D. | 線框從不同高度釋放至完全進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中,通過(guò)導(dǎo)線橫截面的電量相等 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 從光照至金屬表面上到發(fā)射出光電子之間的時(shí)間間隔將明顯增加 | |
B. | 逸出的光電子的最大初動(dòng)能不變 | |
C. | 單位時(shí)間內(nèi)從金屬表面逸出的光電子數(shù)目將減少 | |
D. | 有可能不發(fā)生光電效應(yīng) |
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