A. | 一個孤立系統(tǒng)總是從熵小的狀態(tài)向熵大的狀態(tài)發(fā)展,熵值較大代表著較為無序 | |
B. | 物體的內能在宏觀上只與其溫度和體積有關 | |
C. | 如果封閉氣體的密度變小,分子平均動能增加,則氣體的壓強可能不變 | |
D. | 某氣體的摩爾質量為M、密度為ρ,用NA表示阿伏伽德羅常數(shù),每個氣體分子的質量m0,每個氣體分子的體積V0,則m0=$\frac{M}{{N}_{A}}$,V0=$\frac{{m}_{0}}{ρ}$ | |
E. | 密封在容積不變的容器內的氣體,若溫度升高,則氣體分子對器壁單位面積上的平均作用力增大 |
分析 熵增加原理:一個孤立系統(tǒng)總是從熵小的狀態(tài)向熵大的狀態(tài)發(fā)展;物體的內能與物體的物質的量、溫度、體積以及物態(tài)都有關;結合理想氣體的狀態(tài)方程分析內狀態(tài)參量的變化;原子的質量等于摩爾質量與阿伏加德羅常數(shù)的比值,將氣體分子球體,先求解體積,再求解直徑;溫度是分子的平均動能的標志.
解答 解:A、根據(jù)熵增加原理,一個孤立系統(tǒng)總是從熵小的狀態(tài)向熵大的狀態(tài)發(fā)展.故A正確.
B、物體的內能在宏觀上與其物質的量、溫度和體積有關,故B錯誤;
C、如果封閉氣體的密度變小,可知其體積增大;溫度是分子的平均動能的標志,分子平均動能增加,即氣體的溫度升高;根據(jù)理想氣體的狀態(tài)方程:$\frac{PV}{T}=C$可知,氣體的體積增大、溫度同時也升高時,氣體的壓強可能不變,故C正確;
D、氣體的分子之間的距離比較大,使用公式:V0=$\frac{{m}_{0}}{ρ}$求出的結果是每一個分子所占的空間的大小,不是分子的體積.故D錯誤;
E、密封在容積不變的容器內的氣體,若溫度升高,根據(jù)理想氣體的狀態(tài)方程:$\frac{PV}{T}=C$可知氣體的壓強增大,再根據(jù)壓強的定義可知氣體分子對器壁單位面積上的平均作用力增大,故E正確;
故選:ACE.
點評 本題考查了分子力、分子勢能、內能、熱力學第二定律、物態(tài)變化等,知識點多,難度小,對基礎知識要加強記憶;同時對于狀態(tài)參量的變化,要注意使用理想氣體的狀態(tài)方程進行解答.
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 向下移動,壓強下降 | B. | 向下移動,壓強不變 | ||
C. | 向上移動,壓強上升 | D. | 向上移動,壓強不變 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 兩個分子間距離小于r0時,分子間只有斥力 | |
B. | 兩個分子間距離大于r0時,分子間只有引力 | |
C. | 兩個分子間距離由較遠逐漸減小到r0的過程中,分子力先增大后減小,分子力表現(xiàn)為引力 | |
D. | 兩個分子間距離由極小逐漸增大到r0的過程中,引力和斥力都同時減小,分子力表現(xiàn)為斥力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 若電源為直流電源且直流電流表示數(shù)不為零,說明物體一定在發(fā)生移動 | |
B. | 若電源為交流電源且交流電流表示數(shù)不為零,說明物體一定在發(fā)生移動 | |
C. | 若電源為直流電源且直流電流表示數(shù)變大,說明物體一定在向右發(fā)生移動 | |
D. | 若電源為交流電源且交流電流表示數(shù)變大,說明物體一定在向右發(fā)生移動 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 人造天體環(huán)繞地球運動的最小速度 | |
B. | 第一宇宙速度跟地球的半徑無關 | |
C. | 使人造天體環(huán)繞地球運動所必需的最小地面發(fā)射速度 | |
D. | 使人造天體擺脫地球引力束縛所必需的最小地面發(fā)射速度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 一直為引力 | B. | 一直為斥力 | ||
C. | 先為引力,后為斥力 | D. | 無法判斷 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | mB下降的高度比mA大 | B. | mB下降的高度比mA小 | ||
C. | mB與mA下降的高度一樣大 | D. | 兩重物下降高度無法確定誰大. |
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