A. | 導(dǎo)體棒所受重力與安培力的合力方向與豎直方向夾角小于θ | |
B. | 電阻R1消耗的熱功率為$\frac{1}{4}$mgv(sinθ-μcosθ) | |
C. | t時(shí)間內(nèi)通過導(dǎo)體棒的電荷量為$\frac{mgt(sinθ-μcosθ)}{BL}$ | |
D. | 導(dǎo)體棒兩端電壓為$\frac{3mgR(sinθ-μcosθ)}{2BL}$ |
分析 導(dǎo)體棒勻速運(yùn)動(dòng)時(shí),合力為零,安培力對導(dǎo)體棒做負(fù)功,導(dǎo)體棒克服安培力做功和摩擦力做功之和等于導(dǎo)體棒機(jī)械能的減少量;根據(jù)q=It求出流過導(dǎo)體棒的電量.由平衡條件列式可求感應(yīng)電流,根據(jù)部分電路的歐姆定律求出導(dǎo)體棒MN兩端的電壓(路端電壓).
解答 解:A、導(dǎo)體棒勻速運(yùn)動(dòng)時(shí),合力為零,導(dǎo)體棒受到重力、支持力、摩擦力和安培力四個(gè)力作用.根據(jù)平衡條件得知:支持力、摩擦力和安培力三個(gè)力的合力與重力大小相等、方向相反,摩擦力與安培力方向相同,則支持力與摩擦力的合力與豎直方向的夾角小于θ.而重力與安培力的合力和支持力和摩擦力的合力方向相反,則知導(dǎo)體棒所受重力與安培力的合力方向與豎直方向夾角小于θ.故A正確.
B、導(dǎo)體棒重力的功率:PG=mgvsinθ,摩擦力的功率:Pf=μmgcosθ•v,根據(jù)P=I2R知,MN上的功率:PMN=I2R,R1R2上的功率:PR=($\frac{1}{2}$I)2•R=$\frac{1}{4}$I2R=$\frac{1}{4}$PMN
根據(jù)功能關(guān)系知:PG=Pf+PMN+2PR1,即有 mgv(sinθ-μcosθ)=2PR1+PMN=6PR1,
解得,電阻R1消耗的熱功率為 PR1=$\frac{1}{6}$mgv(sinθ-μcosθ).故B錯(cuò)誤.
C、根據(jù)平衡條件有:mgsinθ=μmgcosθ+BIL,得 I=$\frac{mg(sinθ-μcosθ)}{BL}$,t時(shí)間內(nèi)通過導(dǎo)體棒的電荷量為q=It=$\frac{mgt(sinθ-μcosθ)}{BL}$.故C正確.
D、外電阻 R外=$\frac{1}{2}$R,導(dǎo)體棒MN兩端的電壓 U=IR外,聯(lián)立以上三式得:U=$\frac{mgR(sinθ-μcosθ)}{2BL}$.故D錯(cuò)誤.
故選:AC.
點(diǎn)評 本題分析導(dǎo)體棒的受力情況是求解的關(guān)鍵,不能將滑動(dòng)摩擦力遺漏.畫出該電路的等效電路有助于分析電路中的電流與電阻消耗的功率.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | O點(diǎn)電場強(qiáng)度的方向垂直于ac由O指向d | |
B. | 從O到d電勢逐漸升高 | |
C. | 將b點(diǎn)的電荷移到O點(diǎn)時(shí),d點(diǎn)的電場強(qiáng)度變小 | |
D. | 將帶正電的試探電荷由O移到d,該電荷的電勢能逐漸減少 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在導(dǎo)線框下落過程中,由于重力做正功,所以有v2>v1 | |
B. | 該過程中線框動(dòng)能的變化量大小為△Ek=W2-W1-E0 | |
C. | 該過程中線框中的電流方向沒有發(fā)生變化 | |
D. | 在導(dǎo)線框通過磁場的整個(gè)過程中,線框中的平均感應(yīng)電流為零 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | Ek=hv-W | B. | Ek=hv+W | C. | W=Ek-hv | D. | W=Ek+hv |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 氣缸內(nèi)氣體的分子平均動(dòng)能變小 | B. | 氣缸內(nèi)氣體的壓強(qiáng)變小 | ||
C. | 氣缸內(nèi)氣體向外放出熱量 | D. | 氣缸內(nèi)氣體從外界吸收熱 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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