利用如圖所示的方法可以測得金屬導體中單位體積內(nèi)的自由電子數(shù)n,現(xiàn)測得一塊橫截面為矩形的金屬導體的寬為b,厚為d,并加有與側面垂直的勻強磁場B,當通以圖示方向電流I時,在導體上、下表面間用電壓表可測得電壓為U.已知自由電子的電荷量為e,則下列判斷正確的是( )
A.上表面電勢高
B.下表面電勢高
C.該導體單位體積內(nèi)的自由電子數(shù)為
D.該導體單位體積內(nèi)的自由電子數(shù)為
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如圖,可視為質點的小球位于半圓體左端點A的正上方某處,以初速度v0水平拋出,其運動軌跡恰好能與半圓柱體相切于B點.過B點的半圓柱體半徑與水平方向的夾角為30°,求半圓柱體的半徑為多大?(不計空氣阻力,重力加速度為g)
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車床在工作時是不允許將手隨便接近飛轉的工件的,為了防止萬一,設計了下面的光電自動控制安全電路,只要人手不小心靠近了工件,機器就自動停轉,請簡述其工作原理.圖中的A為車床上的電動機;B為隨電動機高速轉動的工件;C為光,它發(fā)出的光照在光敏電阻D上;E為電磁鐵;F為銜鐵;G為電;H為彈簧.
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如圖,一物塊在斜面上能保持靜止,再施加一水平外力F,當F從零稍許增大時,若物塊仍保持靜止,則( )
A.物塊所受合力仍為零
B.物塊所受摩擦力減小
C.物塊所受斜面彈力減小
D.物塊所受摩擦力反向
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一段長0.2 m,通過2.5 A電流的直導線,關于在磁感應強度為B的勻強磁場中所受安培力F的情況,正確的是( )
A.如果B=2T,F(xiàn)一定是1 N
B.如果F=0,B也一定為零
C.如果B=4T,F(xiàn)有可能是1 N
D.如果F有最大值時,通電導線一定與B平行
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質量和電荷量都相等的帶電粒子M和N,以不同的速率經(jīng)小孔S垂直進入勻強磁場,運行的半圓軌跡如圖中虛線所示,下列表述正確的是( )
A.M帶負電,N帶正電
B.M的速率小于N的速率
C.洛倫茲力對M、N做正功
D.M的運行時間大于N的運行時間
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在半導體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進入磁感應強度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強磁場區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場中轉過θ=30°后從磁場右邊界射出.在電場和磁場中運動時,離子P+和P3+( )
A.在電場中的加速度之比為1∶1
B.在磁場中運動的半徑之比為∶1
C.在磁場中轉過的角度之比為1∶1
D.離開電場區(qū)域時的動能之比為1∶3
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如圖,長為a、寬為b的矩形線圈,電阻為r,處在磁感應強度為B的勻強磁場邊緣,磁場方向垂直于紙面向外,線圈與磁感線垂直.用力F將線圈向右以速度v勻速拉出磁場的過程中( )
A.線圈中感應電流大小為
B.安培力做的功等于Fb
C.線圈中感應電流方向為逆時針
D.線圈所受安培力逐漸減小
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下列說法正確的是( )
A.當氫原子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時,要吸收能量
B.由于每種原子都有自己的特征譜線,故可以根據(jù)原子光譜來鑒別物質
C.大量原子從n=3的激發(fā)態(tài)向低能級躍遷時,產(chǎn)生的光譜線有3種
D.氫原子光譜線的頻率與氫原子能級的能量差無關
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